onsemi N-Channel JFET(J109、MMBFJ108)器件详解
在电子设计领域,合适的晶体管对于实现高效、可靠的电路至关重要。今天我们来深入了解 onsemi 的 N - Channel JFET(结型场效应晶体管),型号为 J109 和 MMBFJ108,看看它们在数字开关应用中能带来怎样的表现。
文件下载:J109-D.PDF
一、器件特性
设计用途
这款器件专为对导通电阻要求极低的数字开关应用而设计,采用了 Process 58 工艺,并且是无铅器件,符合环保要求。
封装形式
它有多种封装形式,包括 TO - 92(3引脚,尺寸为 4.825x4.76 或 4.83x4.76)和 SOT - 23/SUPERSOT - 23(3引脚,尺寸为 1.4x2.9)。不同的封装形式可以满足不同的应用场景和电路板布局需求。
二、最大额定值
| 在使用器件时,我们必须关注其最大额定值,以确保器件的安全和可靠运行。以下是一些关键的最大额定值参数(环境温度 (T_{A}=25^{circ} C) ): | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DG}) | Drain−Gate Voltage | 25 | V | |
| (V_{GS}) | Gate−Source Voltage | −25 | V | |
| (I_{GF}) | Forward Gate Current | 10 | mA | |
| (T{J}, T{STG}) | Operating and Storage Junction Temperature Range | −55 to 150 | °C |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。这些额定值是基于最大结温 150°C 的稳态条件,对于脉冲或低占空比操作,建议咨询 onsemi。
三、热特性
| 热特性对于器件的性能和寿命也非常重要。以下是相关的热特性参数((T_{A}=25^{circ} C) ): | Symbol | MMBFJ108 | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (P_{D}) | 350 | mW | ||
| 2.8 | mW/°C | |||
| (R_{JC}) | 125 | °C/W | ||
| (R_{JA}) | 357 | °C/W |
这些参数有助于我们在设计电路时合理考虑散热问题,确保器件在合适的温度范围内工作。
四、电气特性
关断特性
- (V_{(BR)GSS})(Gate−Source Breakdown Voltage):当 (I{G} = -10 mu A) ,(V{DS} = 0) 时,该值为 -25 V。
- (I_{GSS})(Gate Reverse Current):在 (V{GS} = -15 V) ,(V{DS} = 0) 条件下,为 -3.0 nA;当 (T_{A} = 100^{circ}C) 时,为 -200 nA。
- (V_{GS(off)})(Gate−Source Cut−Off Voltage):对于 MMBFJ108,在 (V{DS} = 15 V) ,(I{D} = 10 nA) 时,范围为 -3.0 至 -10.0 V;对于 J109,范围为 -2.0 至 -6.0 V。
导通特性
- (I_{DSS})(Zero - Gate Voltage Drain Current):典型值为 40 mA。
- (r_{Ds(on)})(Drain - Source On Resistance):在 (V{DS} leq 0.1 V) ,(V{GS} = 0) 条件下,最大值为 8.0 (Omega) ,典型值为 12 (Omega) 。
小信号特性
- (C{dg(on)}) 和 (C{sg(off)})(Drain−Gate & Source−Gate On Capacitance):在 (V{DS} = 0) ,(V{GS} = 0) ,(f = 1.0 MHz) 时,最大值为 85 pF。
- (C_{dg(off)})(Drain−Gate Off Capacitance):在 (V{DS} = 0) ,(V{GS} = -10 V) ,(f = 1.0 MHz) 时,最大值为 15 pF。
- (C_{sg(off)})(Source−Gate Off Capacitance):在 (V{DS} = 0) ,(V{GS} = -10 V) ,(f = 1.0 MHz) 时,最大值为 15 pF。
这里大家可以思考一下,这些电气特性参数在实际电路设计中会对电路的性能产生怎样的影响呢?
五、典型性能特性
文档中提供了一系列典型性能特性的图表,包括常见的漏源特性、漏极导通电阻、漏极电流与栅源截止电压关系、噪声电压与频率关系、开关导通时间与栅源截止电压和漏极电流关系等。这些图表可以帮助我们更直观地了解器件在不同条件下的性能表现,对于优化电路设计非常有帮助。
六、订购信息
| Part Number | Top Mark | Package | Shipping |
|---|---|---|---|
| J109 | J109 | TO - 92 3L (Pb - Free) | 10000 Units / Bulk |
| J109 - D26Z | J109 | TO - 92 3L (Pb - Free) | 2000 / Tape & Reel 3000 / Tape & Reel |
| MMBFJ108 | I8 (Pb - Free) | SSOT 3L |
大家在订购时,可以根据自己的需求选择合适的包装和数量。
七、机械尺寸
文档还提供了不同封装形式的机械尺寸图,包括 TO - 92 和 SOT - 23/SUPERSOT - 23 的详细尺寸信息。这些信息对于电路板的布局和设计非常重要,确保器件能够正确安装和使用。
总的来说,onsemi 的 J109 和 MMBFJ108 N - Channel JFET 在数字开关应用中具有低导通电阻等优势,通过了解其特性、额定值、电气特性等参数,我们可以更好地将其应用到实际电路设计中。大家在使用过程中遇到任何问题,欢迎一起交流探讨。
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