安森美N沟道JFET MCH5908：特性、规格与应用考量

在电子设计领域，场效应晶体管（FET）是不可或缺的组件，尤其是JFET（结型场效应晶体管），以其独特的性能在众多电路中发挥着重要作用。今天，我们来深入了解安森美（onsemi）推出的N沟道JFET——MCH5908。

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产品概述

MCH5908是一款复合类型的N沟道JFET，它将两个JFET集成在一个MCPH5封装中。这种设计大大提高了安装效率，而且该器件由两个芯片组成，等效于2SK3557，并且是无铅器件，符合环保要求。

引脚定义

MCH5908的引脚定义如下：

1. Drain 1（漏极1）
2. Source 1 / Source 2（源极1/源极2）
3. Drain 2（漏极2）
4. Gate 2（栅极2）
5. Gate 1（栅极1）

绝对最大额定值

在使用MCH5908时，必须严格遵守其绝对最大额定值，以确保器件的正常运行和可靠性。以下是在环境温度 (T_{A}=25^{circ} C) 时的绝对最大额定值：	参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	(V_{DSX})		15	V
栅漏电压	(V_{GDS})		-15	V
栅极电流	(I_{G})		10	mA
漏极电流	(I_{D})		50	mA
单管允许功耗	(P_{D})	1 unit	200	mW
总功耗	(P_{T})		300	mW
结温	(T_{j})		150	°C
存储温度	(T_{stg})		-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

电气特性

击穿电压与泄漏电流

• 栅漏击穿电压：在 (I{G}=-10 mu A)，(V{DS}=0 V) 的条件下，(V_{(BR)GDS}) 为 -15 V。
• 栅源泄漏电流：当 (V{GS}=-10 V)，(V{DS}=0 V) 时，(I_{GSS}) 最大为 -1.0 nA。

截止电压与饱和漏电流

• 截止电压：最大为 -1.5 V。
• 饱和漏电流 (I_{DSS})：在 (V{DS}=5V)，(V{GS}=0V) 的条件下，MCH5908根据 (I_{DSS}) 进行分类：
  • G等级：(I_{DSS}) 范围为 10 至 20 mA。
  • H等级：(I_{DSS}) 范围为 16 至 32 mA。

其他特性

• 正向传输导纳 (y_{fs})：在 (V{DS}=5 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 kHz) 的条件下给出相关参数。
• 输入电容 (C_{iss})：在 (V{DS}=5 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz) 的条件下测量。
• 反向传输电容 (C_{rss})：最大为 3.5。
• 噪声系数 (NF)：在 (V{DS}=5 V)，(R{g}=1 k Omega)，(I_{D}=1 mA)，(f = 1 kHz) 的条件下测量。

产品的参数性能在电气特性中针对列出的测试条件进行了说明，除非另有说明。如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。

订购信息

MCH5908的具体订购型号为MCH5908H - TL - E，采用SC - 88AFL/MCPH5（无铅）封装，每盘3000个，采用带盘包装。如需了解带盘规格，包括零件方向和带盘尺寸，请参考安森美的带盘包装规格手册BRD8011/D。

机械尺寸

MCH5908采用SC - 88AFL/MCPH5封装（CASE 419AP），文档编号为98AON65479E。在进行PCB设计时，需要参考其具体的机械尺寸，以确保器件的正确安装。

应用与注意事项

MCH5908适用于多种电路设计，如放大电路、开关电路等。在设计过程中，工程师需要根据具体的应用场景，合理选择 (I_{DSS}) 等级，以满足电路的性能要求。同时，务必注意不要超过器件的绝对最大额定值，以保证器件的可靠性和稳定性。

安森美的MCH5908 N沟道JFET以其集成化的设计和良好的电气性能，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师需要充分了解其特性和规格，以实现最佳的电路设计。你在使用JFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。