onsemi BD436G/BD438G/BD440G/BD442G PNP晶体管：特性、参数与应用解析

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的晶体管至关重要。今天我们来深入了解一下 onsemi 推出的 BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 这一系列塑料封装的中功率硅 PNP 晶体管，看看它们在放大器和开关应用中能发挥怎样的作用。

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产品概述

BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 系列晶体管可用于放大器和开关应用，其互补类型为 BD437 和 BD441。并且，这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，在环保要求日益严格的今天，这无疑是一个重要的优势。

最大额定值

了解晶体管的最大额定值对于确保其安全可靠运行至关重要。以下是该系列晶体管的主要最大额定值参数：	额定参数	符号	BD436G	BD438G	BD440G	BD442G	单位
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	32	45	60	80	(V_{dc})
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	32	45	60	80	(V_{dc})
发射极 - 基极电压	(V_{EBO})	5.0	-	-	-	(V_{dc})
集电极电流	(I_{C})	4.0	-	-	-	(A_{dc})
基极电流	(I_{B})	1.0	-	-	-	(A_{dc})
总器件功耗（(T_{C}=25^{circ}C)），(25^{circ}C) 以上降额	(P_{D})	36	-	-	-	(W)
		288	-	-	-	(W/^{circ}C)
工作和存储结温范围	(T{J}, T{stg})	-55 至 +150	-	-	-	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

热特性对于晶体管的性能和寿命有着重要影响。不过文档中关于热特性仅给出了一个数值“3.5”，信息相对较少。在实际设计中，工程师需要根据具体应用场景，综合考虑散热等因素，确保晶体管工作在合适的温度范围内。

订购信息

不同型号的晶体管在包装和发货数量上有所不同，具体如下：	器件	包装形式	发货数量
BD442G	-	500 个/盒
BD436G	-	500 个/盒
BD436TG	-	50 个/导轨
BD438G	TO - 225（无铅）	500 个/盒
BD438TG	-	50 个/导轨
BD440G	-	500 个/盒

同时需要注意的是，部分器件已停产（如 BD436G、BD436TG 等标注有 DISCONTINUED），不建议用于新设计。如果需要相关信息，可联系 onsemi 代表，最新信息也可在 www.onsemi.com 上查询。

电气特性

在 (T_{C}=25^{circ}C) 的条件下，该系列晶体管的主要电气特性如下：

击穿电压

• 集电极 - 发射极击穿电压（(I{C}=100 mA)，(I{B}=0)）：BD436G 为 32 (V{dc})，BD438G 为 45 (V{dc})，BD440G 为 60 (V{dc})，BD442G 为 80 (V{dc})。
• 集电极 - 基极击穿电压（(I{C}=100 A)，(I{B}=0)）：BD436G 为 32 (V{dc})，BD438G 为 45 (V{dc})，BD440G 为 60 (V{dc})，BD442G 为 80 (V{dc})。
• 发射极 - 基极击穿电压（(I{E}=100 A)，(I{C}=0)）：均为 5.0 (V_{dc})。

截止电流

• 集电极截止电流（不同 (V{CB}) 条件下，(I{E}=0)）：BD436G（(V{CB}=32 V)）、BD438G（(V{CB}=45 V)）、BD440G（(V{CB}=60 V)）、BD442G（(V{CB}=80 V)）均为 0.1 (m A_{dc})。
• 发射极截止电流（(V_{EB}=5.0 V)）：为 1.0 (m A_{dc})。

直流电流增益

在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，直流电流增益有所不同。例如，在 (I{C}=10 mA)，(V{CE}=5.0 V) 时，BD436G 为 40，BD438G 为 30，BD440G 为 20，BD442G 为 15；在 (I{C}=500 mA)，(V{CE}=1.0 V) 时，各型号的增益范围有所变化；在 (I{C}=2.0 A)，(V{CE}=1.0 V) 时，又呈现出不同的数值。

饱和电压和导通电压

• 集电极饱和电压（不同 (I{C}) 和 (I{B}) 条件下）：BD436G（(I{C}=2.0 A)，(I{B}=0.2 A)）为 0.5 (V{dc})，BD438G（(I{C}=3.0 A)，(I{B}=0.3 A)）为 0.7 (V{dc})，BD440G 和 BD442G 为 0.8 (V_{dc})。
• 基极 - 发射极导通电压（(I{C}=2.0 A)，(V{CE}=1.0 V)）：BD436G/BD438G 为 1.1 (V{dc})，BD440G/BD442G 为 1.5 (V{dc})。

电流增益 - 带宽乘积

在 (V{CE}=1.0 V)，(I{C}=250 mA)，(f = 1.0 MHz) 的条件下，电流增益 - 带宽乘积 (f_{T}) 为 3.0 (MHz)。

需要注意的是，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。

机械封装与尺寸

该系列晶体管采用 TO - 225 封装，其尺寸信息如下：	尺寸	最小值（mm）	最大值（mm）
A	2.40	3.00
A1	1.00	1.50
b	0.60	0.90
b2	0.51	0.88
c	0.39	0.63
D	10.60	11.10
E	7.40	7.80
e	2.04	2.54
L	14.50	16.63
L1	1.27	2.54
P	2.90	3.30
Q	3.80	4.20

同时，文档还给出了通用标记图和不同引脚定义的样式，方便工程师在实际设计中进行正确的连接。

总结

onsemi 的 BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 系列 PNP 晶体管在放大器和开关应用中具有一定的优势，其无铅环保的特性符合现代电子设计的要求。工程师在选择使用这些晶体管时，需要根据具体的应用场景，综合考虑其最大额定值、电气特性、热特性等参数，确保设计的可靠性和稳定性。你在使用类似晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。