onsemi CPH3116和CPH3216双极晶体管:性能与应用解析
在电子设计领域,双极晶体管是一种基础且关键的元件,它在众多电路中发挥着重要作用。今天我们来深入了解一下安森美(onsemi)的CPH3116和CPH3216双极晶体管,看看它们有哪些独特的性能和应用场景。
文件下载:CPH3116-D.PDF
一、产品概述
CPH3116和CPH3216是安森美推出的双极晶体管,属于PNP和NPN单管类型,具备 -50V、 -1A的规格,并且具有低集电极 - 发射极饱和电压((V_{CE}) (sat))的特点。这两款晶体管采用了MBIT工艺,拥有一系列出色的特性。
产品特性
- 大电流容量与低饱和电压:能够处理较大的电流,同时低集电极 - 发射极饱和电压意味着在导通状态下功耗较低,能有效提高电路效率。
- 高速开关:适用于需要快速开关动作的电路,能够满足高频应用的需求。
- 超小型封装:其封装的安装高度仅为0.9mm,有利于终端产品的小型化设计,在空间有限的设备中具有很大优势。
- 高允许功耗:可以承受较高的功率损耗,保证了在一定功率条件下的稳定工作。
- 无铅设计:符合环保要求,响应了绿色电子的发展趋势。
二、应用领域
CPH3116和CPH3216的应用范围广泛,常见于以下几种电路中:
- 继电器驱动:在继电器控制电路中,晶体管可以作为开关元件,利用其高速开关特性快速控制继电器的通断。
- 灯驱动:用于控制灯具的亮灭和亮度调节,低饱和电压特性可以减少能量损耗,提高灯具的发光效率。
- 电机驱动:为电机提供合适的驱动电流,实现电机的启动、停止和调速等功能。
- 闪光灯:在闪光灯电路中,晶体管的快速开关能力可以满足闪光灯瞬间高能量释放的需求。
三、规格参数
绝对最大额定值((Ta = 25^{circ}C))
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | (-50)80 | V | |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CES}) | (-50)80 | V | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{CEO}) | (-)50 | V | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | (-)5 | V | |
| 集电极电流 | (I_{C}) | (-)1.0 | A | |
| 集电极电流(脉冲) | (I_{CP}) | (-)3 | A | |
| 基极电流 | (I_{B}) | (-)200 | mA | |
| 集电极功耗 | (P_{C}) | 安装在陶瓷基板((600mm^2×0.8mm))上时 | 0.9 | W |
| 结温 | (T_j) | 150 | (^{circ}C) | |
| 储存温度 | (T_{stg}) | -55 到 +150 | (^{circ}C) |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会导致损坏并影响可靠性。
电气特性((Ta = 25^{circ}C))
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极截止电流 | (I_{CBO}) | (V{CB} = (-)40V),(I{E} = 0A) | - | - | (-)0.1 | (mu A) |
| 发射极截止电流 | (I_{EBO}) | (V{EB} = (-)4V),(I{C} = 0A) | - | - | (-)0.1 | (mu A) |
| 直流电流增益 | (h_{FE}) | (V{CE} = (-)2V),(I{C} = (-)100mA) | 200 | 560 | - | - |
| 增益 - 带宽积 | (f_T) | (V{CE} = (-)10V),(I{C} = (-)300mA) | - | 420 | - | MHz |
| 输出电容 | (C_{ob}) | (V_{CB} = (-)10V),(f = 1MHz) | - | (9)6 | - | pF |
| 集电极 - 发射极饱和电压1 | (V_{CE(sat)1}) | (I{C} = (-)500mA),(I{B} = (-)10mA) | (-280)130 | - | (-430)190 | mV |
| 集电极 - 发射极饱和电压2 | (V_{CE(sat)2}) | (I{C} = (-)300mA),(I{B} = (-)6mA) | - | (-145)90 | (-220)135 | mV |
| 基极 - 发射极饱和电压 | (V_{BE(sat)}) | (I{C} = (-)500mA),(I{B} = (-)10mA) | (-)0.81 | - | (-)1.2 | V |
| 集电极 - 基极击穿电压 | (V_{(BR)CBO}) | (I{C} = (-)10mu A),(I{E} = 0A) | (-50)80 | - | - | V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | (V_{(BR)CES}) | (I{C} = (-)100mu A),(R{BE} = 0) | (-50)80 | - | - | V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | (V_{(BR)CEO}) | (I{C} = (-)1mA),(R{BE} = infty) | (-)50 | - | - | V |
| 发射极 - 基极击穿电压 | (V_{(BR)EBO}) | (I{E} = (-)10mu A),(I{C} = 0A) | (-)5 | - | - | V |
| 开启时间 | (t_{on}) | 见指定测试电路 | 35 | - | - | ns |
| 存储时间 | (t_{stg}) | - | (170)330 | - | - | ns |
| 下降时间 | (t_f) | - | (30)40 | - | - | ns |
产品的参数性能是在列出的测试条件下的电气特性中给出的,除非另有说明。如果在不同条件下运行,产品性能可能与电气特性所示不同。
四、订购信息
| 器件 | 封装 | 运输方式 |
|---|---|---|
| CPH3116 - TL - E | CPH3(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
| CPH3216 - TL - E | CPH3(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
关于卷带规格的信息,包括元件方向和卷带尺寸,请参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。
五、总结
安森美(onsemi)的CPH3116和CPH3216双极晶体管凭借其出色的性能和超小型封装,在继电器驱动、灯驱动、电机驱动和闪光灯等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计相关电路时,可以根据具体的需求和参数要求来选择使用这两款晶体管。同时,在使用过程中要严格遵守其绝对最大额定值,以确保器件的正常工作和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过这些晶体管的特殊情况呢?欢迎在评论区分享交流。
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