onsemi FFSB2065BDN - F085碳化硅肖特基二极管：新一代功率半导体的卓越之选

在功率半导体领域，不断追求更高性能、更高效率和更高可靠性是工程师们的不懈目标。今天，我们来深入了解一下 onsemi 的 FFSB2065BDN - F085 碳化硅（SiC）肖特基二极管，看看它如何在众多产品中脱颖而出。

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一、碳化硅技术优势

碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术，与传统的硅二极管相比，具有显著的优势。它没有反向恢复电流，这意味着在开关过程中能够减少能量损耗，提高效率。此外，其开关特性不受温度影响，并且具有出色的热性能，这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用该二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，同时还能降低电磁干扰（EMI），减小系统的尺寸和成本。

二、产品特性

1. 温度性能

该二极管的最大结温可达 175°C，这使得它能够在高温环境下稳定工作。同时，它具有雪崩额定值 49 mJ，能够承受一定的瞬态能量冲击。

2. 电流能力

具有高浪涌电流容量，正向电流方面，在不同温度条件下有不同的额定值。例如，在 (T{C}<25^{circ}C) 时，连续整流正向电流为 23.6 A；在 (T{C}<140^{circ}C) 时为 10 A；在 (T_{C}=25^{circ}C)，10 s 条件下，非重复峰值正向浪涌电流可达 600 A。

3. 温度系数

具有正温度系数，这一特性使得多个二极管并联使用时更加容易，因为正温度系数有助于均流，避免某个二极管因过热而损坏。

4. 开关特性

没有反向恢复和正向恢复，这大大减少了开关损耗，提高了开关速度，从而提升了整个系统的性能。

5. 可靠性认证

通过了 AEC - Q101 认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，这表明该产品在汽车等对可靠性要求极高的应用领域具有良好的适用性。

三、应用领域

1. 汽车领域

适用于电动汽车（BEV - EV）、混合动力汽车（HEV - EV）的车载充电器以及 HEV - EV 的 DC - DC 转换器。在这些应用中，碳化硅肖特基二极管的高效、高速和高可靠性能够满足汽车电子系统对功率转换的严格要求。

四、产品参数

1. 最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{RRM})	重复峰值反向电压	650	V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量（注 1）	49	mJ
(I{F})（(T{C}<25^{circ}C)）	连续整流正向电流	23.6	A
(I{F})（(T{C}<140^{circ}C)）	连续整流正向电流	10	A
(I{F,Max})（(T{C}=25^{circ}C)，10 s）	非重复峰值正向浪涌电流	600	A
(I{F,Max})（(T{C}=150^{circ}C)，10 s）	非重复峰值正向浪涌电流	554	A
(I{F,SM})（(t{p}=8.3 ms) 半正弦脉冲，(T_{C}=25^{circ}C)）	非重复正向浪涌电流	45	A
(P{tot})（(T{C}=25^{circ}C)）	功率耗散	75	W
(P{tot})（(T{C}=150^{circ}C)）	功率耗散	12.5	W
(T{J},T{STG})	工作和存储温度范围	- 55 至 + 175	°C

注 1：(E{AS}) 的 49 mJ 是基于起始 (T{J}=25^{circ}C)，(L = 0.5 mH)，(I_{AS}=14 A)，(V = 50 V)。

2. 热特性

符号	参数	额定值	单位
(R_{theta c})	外壳热阻（最大）	2.0	°C/W

3. 电气特性（(T_{C}=25^{circ}C)，除非另有说明 - 每支路）

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(V_{F})	正向电压	(I{F}=10 A)，(T{C}=25^{circ}C)	-	1.38	-	V
		(I{F}=10 A)，(T{C}=125^{circ}C)	-	1.6	2.0	V
		(I{F}=10 A)，(T{C}=175^{circ}C)	-	-	2.4	V
(I_{R})	反向电流	(V{R}=650 V)，(T{C}=25^{circ}C)	-	0.5	40	μA
		(V{R}=650 V)，(T{C}=175^{circ}C)	-	1	80	μA
(Q_{C})	总电容电荷	(V = 400 V)	-	25	-	nC
(C)	总电容	(V_{R}=200 V)，(f = 100 kHz)	-	-	421	pF
		(V_{R}=400 V)，(f = 100 kHz)	-	-	-	pF

需要注意的是，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能与电气特性有所不同。

五、封装与订购信息

该产品采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引脚）封装，每盘装 800 个。关于编带和卷盘的规格，包括零件方向和卷盘尺寸等信息，可以参考其编带和卷盘封装规格手册 BRD8011/D。

六、典型特性与测试

文档中还给出了一系列典型特性曲线，如正向特性、反向特性、电流降额、功率降额、电容电荷与反向电压关系、电容与反向电压关系、电容存储能量以及结到外壳的瞬态热响应曲线等。同时，还提供了未钳位电感开关测试电路及波形。这些信息对于工程师在设计电路时评估二极管的性能非常有帮助。

总之，onsemi 的 FFSB2065BDN - F085 碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在功率转换设计中提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师们需要根据具体的设计要求和工作条件，合理选择和使用该二极管，以充分发挥其优势。大家在使用这款二极管的过程中，有没有遇到过什么有趣的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。