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onsemi FFSH20120ADN - F155碳化硅肖特基二极管技术解析

lhl545545 2026-05-06 15:50 次阅读
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onsemi FFSH20120ADN - F155碳化硅肖特基二极管技术解析

电力电子领域,半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天我们要深入探讨的是 onsemi 公司的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅(SiC)肖特基二极管,它凭借先进的技术和卓越的性能,成为众多应用场景中的理想选择。

文件下载:FFSH20120ADN-D.PDF

一、产品概述

FFSH20120ADN - F155 是一款 20A、1200V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 247 - 3L 封装。与传统的硅二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有更优越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使碳化硅成为下一代功率半导体的代表。该产品在系统应用中能带来诸多好处,如实现最高效率、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰(EMI)以及减小系统尺寸和成本。

二、产品特性

温度与雪崩特性

  • 高结温能力:最大结温可达 175°C,这使得该二极管能够在高温环境下稳定工作,适用于一些对散热要求较高的应用场景。
  • 雪崩额定能量:雪崩额定能量为 100mJ,这一特性保证了二极管在承受瞬间高能量冲击时的可靠性,增强了其在复杂电路中的稳定性。

电流与系数特性

  • 高浪涌电流能力:具备高浪涌电流容量,能够承受较大的瞬间电流冲击,这对于一些可能出现电流突变的电路非常重要。
  • 正温度系数:正温度系数的特性使得多个二极管并联使用时更加容易,因为随着温度升高,二极管的电阻增大,从而自动平衡各二极管之间的电流,避免了因电流分配不均而导致的损坏。

环保特性

该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并且符合 RoHS 标准,体现了环保理念,满足了现代电子设备对绿色环保的要求。

三、应用领域

  • 通用应用:适用于各种通用电路,为电路提供稳定的整流功能。
  • 开关电源(SMPS:在开关电源中,该二极管的高性能能够提高电源的效率和稳定性,减少能量损耗。
  • 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,它可以有效转换太阳能电池板产生的直流电,提高能源转换效率。
  • 不间断电源(UPS):在 UPS 系统中,能够保证电源的稳定输出,为设备提供可靠的电力支持。
  • 功率开关电路:在功率开关电路中,其快速的开关特性和低损耗能够提高电路的性能。

四、绝对最大额定值

参数 条件 数值 单位
峰值重复反向电压(VRRM) - 1200 V
单脉冲雪崩能量(EAS) 起始 (T{J}=25^{circ} C),(L = 0.5 mH),(I{AS}=20 A),(V = 150 V) 100 mJ
连续整流正向电流(IF) (T_{C}<155^{circ} C) 10(每腿)/ 20(每器件) A
非重复峰值正向浪涌电流(IF,Max) (T_{C}=25^{circ}C),10μs 630 A
(T_{C}=150^{circ}C),10μs 560 A
非重复正向浪涌电流(IF,SM) 半正弦脉冲,(t_{p}=8.3 ms) 96 A
重复正向浪涌电流(IF,RM) 半正弦脉冲,(t_{p}=8.3 ms) 46 A
功率耗散(PTOT) (T_{C}=25^{circ}C) 150 W
(T_{C}=150^{circ} C) 25 W
工作和存储温度范围(TJ, TSTG) - -55 至 +175 °C
TO - 247 安装扭矩(M3 螺丝) - 60 Ncm

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会导致损坏并影响可靠性。

五、热特性

热阻(Ruc),即结到外壳的热阻,最大值为 1(每腿)/ 0.44(每器件)°C/W。良好的热特性有助于二极管在工作过程中及时散热,保证其性能的稳定性。

六、电气特性

正向电压(VF)

在不同的电流和温度条件下,正向电压有所不同。例如,当 (I{F}=10 A),(T{C}=25^{circ} C) 时,典型值为 1.45V,最大值为 1.75V;当 (T{C}=125^{circ} C) 时,典型值为 1.7V,最大值为 2.0V;当 (T{C}=175^{circ} C) 时,典型值为 2.0V,最大值为 2.4V。这表明随着温度的升高,正向电压会相应增加。

反向电流(IR)

当 (V{R}=1200 V) 时,不同温度下的反向电流也不同。在 (T{C}=25^{circ} C) 时,最大值为 200μA;在 (T{C}=125^{circ} C) 时,最大值为 300μA;在 (T{C}=175^{circ} C) 时,最大值为 400μA。反向电流随着温度的升高而增大。

总电容电荷(Qc)和总电容(C)

总电容电荷在 (V = 800 V) 时,典型值为 62nC。总电容在不同的反向电压和频率下有不同的值,例如在 (V{R}=1 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 612;在 (V{R}=400 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 58;在 (V_{R}=800 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 47。

七、订购信息

产品编号 顶部标记 封装 包装方式 数量
FFSH20120ADN - F155 FFSH20120ADN TO - 247 - 3LD 管装 30 个

八、总结

onsemi 的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅肖特基二极管以其卓越的性能和环保特性,在电力电子领域具有广阔的应用前景。其先进的技术和出色的参数使其成为提高系统效率、可靠性和功率密度的理想选择。电子工程师在设计电路时,可以根据具体的应用需求,合理选择该二极管,以实现更好的电路性能。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?遇到过哪些问题又有哪些解决经验呢?欢迎在评论区分享交流。

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