深入解析 onsemi NFAM2065L4BT 智能功率模块
引言
在电子工程领域,智能功率模块(IPM)对于电机驱动等应用至关重要。onsemi 的 NFAM2065L4BT 是一款性能出色的 IPM,本文将对其进行详细解析,帮助电子工程师更好地了解和应用这款产品。
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产品概述
NFAM2065L4BT 是一款完全集成的逆变器功率模块,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机、无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。它集成了独立的高端栅极驱动器、LVIC、六个 IGBT 和一个温度传感器(VTS 或热敏电阻 (T))。IGBT 采用三相桥配置,下桥臂具有独立的发射极连接,为控制算法的选择提供了最大的灵活性。
特点
- 三相 650V、20A IGBT 模块:具备独立驱动器和有源逻辑接口,能满足多种电机驱动需求。
- 内置欠压保护(UVP):增强了模块的稳定性和可靠性,防止因电压异常导致的损坏。
- 集成自举二极管和电阻:简化了电路设计,减少了外部元件的使用。
- 独立的下侧 IGBT 发射极连接:可实现各相的独立电流检测,方便工程师进行精确控制。
- 温度传感器:提供温度监测功能,有助于及时发现模块过热等问题。
- UL1557 认证:符合相关安全标准,可应用于对安全性要求较高的场合。
- 无铅器件:符合环保要求。
应用领域
该模块适用于多种工业应用,如工业驱动器、工业泵、工业风扇和工业自动化等。
产品标记与订购信息
标记图
模块的标记位于封装顶部,包含特定设备代码、组装批次代码、组装位置、测试位置、年份和工作周等信息。
订购信息
NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封装,尺寸为 31.0x54.5(无铅),每盒 90 个。
引脚功能描述
| 该模块共有 39 个引脚,各引脚功能如下: | 引脚 | 名称 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | VS(U) | U 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地 | |
| (2) | - | 虚设引脚,用于内部连接,应不连接 | |
| 3 | VB(U) | U 相 IGBT 驱动的高端偏置电压 | |
| 4 | VDD(UH) | U 相 IC 的高端偏置电压 | |
| (5) | - | 虚设引脚 | |
| 6 | HIN(U) | 高端 U 相的信号输入 | |
| 7 | VS(V) | V 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地 | |
| (8) | - | 虚设引脚 | |
| 9 | VB(V) | V 相 IGBT 驱动的高端偏置电压 | |
| 10 | VDD(VH) | V 相 IC 的高端偏置电压 | |
| (11) | - | 虚设引脚 | |
| 12 | HIN(V) | 高端 V 相的信号输入 | |
| 13 | VS(W) | W 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地 | |
| (14) | - | 虚设引脚 | |
| 15 | VB(W) | W 相 IGBT 驱动的高端偏置电压 | |
| 16 | VDD(WH) | W 相 IC 的高端偏置电压 | |
| (17) | - | 虚设引脚 | |
| 18 | HIN(W) | 高端 W 相的信号输入 | |
| (19) | - | 虚设引脚 | |
| 20 | VTS | LVIC 温度传感单元的电压输出 | |
| 21 | LIN(U) | 低端 U 相的信号输入 | |
| 22 | LIN(V) | 低端 V 相的信号输入 | |
| 23 | LIN(W) | 低端 W 相的信号输入 | |
| 24 | VFO | 故障输出 | |
| 25 | CFOD | 故障输出持续时间选择电容 | |
| 26 | CIN | 电流保护输入 | |
| 27 | VSS | 低端公共电源地 | |
| 28 | VDD(L) | 用于 IC 和 IGBT 驱动的低端偏置电压 | |
| (29) | - | 虚设引脚 | |
| (30) | - | 虚设引脚 | |
| 31 | NW | U 相的负直流母线输入 | |
| 32 | NV | V 相的负直流母线输入 | |
| 33 | NU | W 相的负直流母线输入 | |
| 34 | W | U 相的输出 | |
| 35 | V | V 相的输出 | |
| 36 | U | W 相的输出 | |
| 37 | P | 正直流母线输入 | |
| 38 | VTH | 热敏电阻偏置电压 (T) / 不连接 | |
| 39 | RTH | 热敏电阻(温度检测)的串联电阻(T 可选) |
绝对最大额定值
| 在使用该模块时,需要注意其绝对最大额定值,超过这些值可能会损坏设备。以下是部分重要的额定值: | 额定值 | 符号 | 条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压 | VPN | P - NU, NV, NW | 450 | V | |
| 电源电压(浪涌) | VPN(Surge) | P - NU, NV, NW | 550 | V | |
| 自保护电源电压限制(短路保护能力) | VPN(PROT) | VDD = VBS = 13.5 V ~ 16.5 V, Tj = 150 °C, Vces < 650 V, 非重复,< 2 us | 400 | V | |
| 集电极 - 发射极电压 | Vces | - | 650 | V | |
| 最大重复反向电压 | VRRM | - | 650 | V | |
| 每个 IGBT 集电极电流 | ± Ic | - | ± 20 | A | |
| 每个 IGBT 集电极电流(峰值) | ± Icp | 1 ms 脉冲宽度下 | ± 40 | A | |
| 控制电源电压 | VDD | VDD(UH,VH,WH), VDD(L) - VSS | -0.3 至 20 | V | |
| 高端控制偏置电压 | VBS | VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W) | -0.3 至 20 | V | |
| 输入信号电压 | VIN | HIN(U), HIN(V), HIN(W), LIN(U), LIN(V), LIN(W) - VSS | -0.3 至 VDD | V | |
| 故障输出电源电压 | VFO | VFO - VSS | -0.3 至 VDD | V | |
| 故障输出电流 | IFO | VFO 引脚的灌电流 | 2 | mA | |
| 电流传感输入电压 | VCIN | CIN - VSS | -0.3 至 VDD | V | |
| 集电极耗散功率 | Pc | 每芯片 | 96 | W | |
| 工作结温 | Tj | - | -40 至 +150 | °C | |
| 存储温度 | Tstg | - | -40 至 +125 | °C | |
| 模块外壳工作温度 | Tc | - | -40 至 +125 | °C | |
| 隔离电压 | Viso | 60 Hz,正弦波,交流 1 分钟,连接引脚到散热板 | 2500 | V rms |
热特性
| 模块的热特性对于其性能和可靠性至关重要。以下是相关热阻参数: | 额定值 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻(逆变器 IGBT 部分,每 1/6 模块) | Rth(j - c)Q | - | - | - | 1.3 | °C/W | |
| 结到外壳热阻(逆变器 FWDi 部分,每 1/6 模块) | Rth(j - c)F | - | - | - | 2.4 | °C/W |
推荐工作范围
| 为了确保模块的正常工作和可靠性,建议在以下范围内使用: | 额定值 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压 | VPN | - | 300 | 400 | V | |
| VDD | VDD(UH,VH,WH),VDD(L) - VSS | 13.5 | - | - | V | |
| VBS | - | 15 | 18.5 | - | V | |
| PWM 频率 | - | 1 | - | 20 | kHz | |
| DT | - | 1.5 | - | - | us | |
| 允许的均方根电流 | lo | P.F. = 0.8, fPWM = 15 kHz | 1 | 15.4 | - | A |
电气特性
驱动部分
| 参数 | 测试条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态 VDD 电源电流 | VDD(UH,VH,WH) = 15 V, HIN(U,V,W) = 0 V | IQDDH | - | - | 0.30 | mA |
| VDD(L) = 15 V, LIN(U, V, W) = 0 V | IQDDL | - | - | 3.50 | mA | |
| 工作 VDD 电源电流 | VDD(UH, VH, WH) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于高端一个 PWM 信号输入 | IPDDH | - | - | 0.40 | mA |
| VDD(L) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于低端一个 PWM 信号输入 | IPDDL | - | - | 6.00 | mA | |
| 静态 VBS 电源电流 | VBS = 15 V, HIN(U, V, W) = 0 V | IQBS | - | - | 0.30 | mA |
| 工作 VBS 电源电流 | VDD = VBS = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于高端一个 PWM 信号输入 | IPBS | - | - | 5.00 | mA |
| 导通阈值电压 | HIN(U, V, W) - VSS, LIN(U, V, W) - VSS | VIN(ON) | 2.6 | - | - | V |
| 关断阈值电压 | - | VIN(OF) | 0.8 | - | - | V |
| 短路跳闸电平 | VDD = 15 V, CIN - VSS | VCIN(ref) | 0.46 | 0.48 | 0.50 | V |
| 电源电路欠压保护检测电平 | - | UVDDD | 10.3 | - | 12.5 | V |
| 复位电平 | - | UVDDR | 10.8 | - | 13.0 | V |
| 检测电平 | - | UVBSD | 10.0 | - | 12.0 | V |
| 复位电平 | - | UVBSR | 10.5 | - | 12.5 | V |
| LVIC 温度传感单元的电压输出 | VTS - VSS = 10 nF, 温度 = 25°C | VTS | 0.905 | 1.030 | 1.155 | V |
| 故障输出电压 | VDD = 0 V, CIN = 0 V, VFO 电路:10 k 上拉至 5 V | VFOH | 4.9 | - | - | V |
| VDD = 0 V, CIN = 1 V, VFO 电路:10 k 上拉至 5 V | VFOL | - | - | 0.95 | V | |
| 故障输出脉冲宽度 | CFOD = 22 nF | tFOD | 1.6 | 2.4 | - | ms |
自举部分
| 参数 | 测试条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 自举二极管正向电压 | If = 0.1 A | VF | 3.4 | 4.6 | 5.8 | V |
| 内置限流电阻 | - | RBOOT | 30 | 38 | 46 | Ω |
热敏电阻特性
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电阻 | Tc = 25°C | 46.530 | - | - | kΩ |
| - | 1.344 | 1.406 | 1.471 | - | |
| B 常数(25 - 50°C) | - | 4009.5 | 4050 | 4090.5 | K |
机械尺寸
NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封装,尺寸为 54.50x31.00x5.60,引脚间距为 1.78P。具体尺寸参数可参考文档中的机械尺寸图。
总结
onsemi 的 NFAM2065L4BT 智能功率模块具有集成度高、性能可靠、应用范围广等优点。电子工程师在设计电机驱动等相关电路时,可以充分利用其特点,提高设计的效率和质量。但在使用过程中,务必注意其绝对最大额定值和推荐工作范围,以确保模块的正常运行和长期可靠性。你在实际应用中是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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深入解析 onsemi NFAM2512L7B 智能功率模块:设计与应用指南
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