一颗干掉8个外围元件的电源芯片,非隔离辅助电源的设计困局有解了
做硬件的工程师都有过这样的经历:项目临近收尾,客户突然要求在控制板上加一路12V辅助电源,给继电器、WiFi模块或RS485接口供电。功率不大,400mA足够,但要求体积小、成本低、不能有噪声,最好别改动现有PCB尺寸。
翻开工模方案库,要么是阻容降压——效率低、发热大、不安全,过不了安规;要么用反激——变压器占地方,光耦和431基准又增加BOM;用常规高压Buck控制器?得配VCC电容、启动电阻、反馈分压电阻、环路补偿RC、电流采样电阻……算下来外围至少12个元件。
有没有更省事的办法?嘉泰姆电子有一颗名为CXAC85284P的芯片,把能省的元件全省了。它不仅内置了650V高压MOSFET和电流采样,连VCC储能电容和输出电压采样电阻都做到了封装内部,外围只剩下电感、续流二极管、输出电容和一颗反馈二极管。换句话说,一颗芯片替代了传统方案里至少8个外围元件。下面聊聊这颗芯片具体是怎么一回事,以及它在实际工程中到底好不好用。
VCC电容内置:解决的不只是少颗料的问题
用过高压Buck控制器的工程师都知道,外置VCC电容选型是个让人头疼的事。选大了,启动时间拉长,客户体验差;选小了,掉电保持不够,辅助绕组建立之前VCC已经跌到UVLO以下,芯片不断重启。更要命的是MLCC电容在直流偏压下容量会大幅下降——一颗标称4.7μF的X7R电容,在10V偏压下可能只剩2μF出头。如果你的启动阈值是16V,充电电流240μA,理论启动时间约280ms,实际因为容量缩水可能只有120ms,刚好卡在临界点上。
CXAC85284P把VCC电容做进了硅片内部,容值对电压和温度的依赖远低于外置MLCC。启动时序一致性高,批量生产时不会出现个别板子启动失败的问题。而且内部电容与LDO、钳位保护紧密耦合,ESR极低,没有走线寄生电感。这意味着在雷击浪涌测试中,VCC引脚的过冲风险比外置方案低一个数量级。
还有一个容易被忽视的好处:省掉VCC电容后,PCB上少了一个高压走线节点。VCC电容通常跨接在VCC和GND之间,GND是功率动点,VCC是敏感模拟电源,二者之间需要一定的爬电间距。少了一个元件,等于少了一处安规隐患。
自供电能量从哪来?不是靠电阻发热
传统方案里,如果不想用外置启动电阻,就得用高压恒流源从母线取电对VCC电容充电。启动完成后,如果还靠恒流源供电,效率会大打折扣——300V母线、6.4V VCC,线性压降高达293V,就算电流只有300μA,也有88mW的静态损耗,这在空载时是巨大的浪费。
CXAC85284P的自供电思路不同。它在MOSFET关断期间从SW引脚抽取能量。关断瞬间,电感续流,漏极电压被钳位在母线电压加输出反射电压,这个高压平台恰好给内部LDO提供了能量来源。关键点在于,这个能量来自于电感储存的磁场能,不是从母线直接线性取电。负载越重,电感储存的能量越多,关断期间可抽取的能量也越多;轻载时电感电流峰值自动降低到180mA,漏感能量大幅减少,自供电抽取的能量也随之减少。这种“按需取电”的机制,让空载待机功耗远低于传统高压LDO方案。
三段式调制:为何音频噪声这个坎它能跨过去
非隔离Buck方案里,电感磁芯噪声是工程师反复遇到的老问题。根源在于磁致伸缩——电感电流的交流分量在磁芯中产生交变磁通,磁芯尺寸的微小变化耦合到空气中形成声波。如果这个交变频率落在20Hz~20kHz的人耳敏感区,用户就会听到“滋滋”声。
CXAC85284P的控制策略是分三段处理:
重载段(22~45kHz):限流点固定在600mA,频率随负载线性变化。这个频率远超音频区,不存在噪声问题。
中载段(22kHz钳定):当负载减轻,频率降到了22kHz,芯片不再继续降频,而是将频率锁死,转而去削减峰值电流——从600mA一直降到180mA。22kHz是精心选择的工作点,刚好高于大多数人耳的听阈上限。电感电流的基波频率停在音频区外,磁芯噪声需要传导到机械结构才能被人感知,而实际上这个频率的机械耦合效率极低。
轻载段(0.5~22kHz):当峰值电流已经降到了最低的180mA,无法再降,芯片重新回到降频模式。此时频率虽进入了音频区,但电感峰值电流已经极小(180mA),磁通密度摆幅仅有满载时的30%。磁致伸缩的幅度与磁通密度的平方近似成正比,因此轻载下的机械振动能量只有满载的9%左右,即使频率在1kHz,产生的声压级也远低于环境底噪,人耳完全察觉不到。
这个三段式策略的巧妙之处,在于它不依赖任何外部补偿网络来调节,完全由芯片内部状态机根据FB电压自动切换。工程师不需要关心穿越频率、相位裕量这些环路稳定性问题,芯片已经替你解决了。
保护功能:每个工程师都遇到过的问题
在实际产品中,可靠性往往比性能更重要。CXAC85284P内置的保护机制覆盖了几种常见的故障场景:
输出短路。启动阶段,如果FB电压在256个开关周期内无法上升到2.3V以上,芯片判定输出短路,立即停止开关,0.5秒后自动尝试重启。这个延迟很短,短路期间的MOSFET温升有限,不会损坏器件。即使你把FB引脚用镊子直接短到GND,芯片也不会烧。
输出过载。正常工作期间,如果输出电流超过额定值,FB电压会持续偏低。一旦FB低于6.4V持续1024个周期,触发过载保护。这个阈值对应的输出电压大约是设定值的50%左右,说明负载已经严重超限。
反馈开路。FB引脚悬空时,内部比较器检测到异常状态,同样触发保护。这点在生产线上很有用——如果插件工漏焊了反馈二极管,上电后芯片不会失控输出高压,而是打嗝保护,避免烧毁后级电路。
过温保护。结温145℃关断,降到105℃恢复。40℃的迟滞窗口设置得很宽,这样芯片不会在临界温度点频繁启动停止,整体的平均温度被压得比较低。
所有这些保护共用一个FB引脚作为检测端口,响应全由硬件状态机完成,没有软件参与,不存在跑飞的风险。
实例演算:12V/300mA的设计参数怎么定
以一个具体的应用来说,输入85~265VAC全电压,输出12V/300mA,Buck拓扑。
电感。最大限流值下限540mA,负载300mA,因为300>0.5×540=270,所以必须按CCM模式设计。取开关频率35kHz(12V输出推荐值),续流管压降0.7V,MOSFET导通压降约0.3A×13Ω≈4V。最恶劣工况是最高输入电压,265VAC峰值374V。代入CCM电感公式算下来,最小电感约0.91mH。再考虑空载约束(消隐时间240ns要能控住电流)和续流约束(7μs的最小续流时间保证采样正常),最终选取1.0mH标准电感,取1.1倍裕量用1.1mH。
续流二极管。必须用trr≤35ns的超快恢复管,如ES1J。不能省这个钱用普通管,否则反向恢复电流会把内部MOSFET拖入过流失效。
输出电容。纹波主要由电容ESR贡献。如果要求纹波小于120mV,ESR需要小于0.2Ω。220μF/16V的低ESR电解电容(ESR约0.15Ω)足够。如果后端接了射频模块或传感器,建议再并联一颗0.1μF陶瓷电容滤除高频毛刺。
假负载。空载时芯片最低频率500Hz,电感峰值电流约217mA,经过计算平均消耗约0.96mA。实际选取10kΩ假负载电阻,消耗约1.2mA,留些裕量。加上芯片本身静态电流,总空载功耗大约在二三十毫瓦量级。
电路的极简之美
回头再看整个方案的BOM:一颗芯片、一个电感、一个续流二极管、一个输出电解电容、一个反馈二极管、一个假负载电阻,再加输入端的保险丝和整流桥。总共不到10个物料,占用PCB面积和一包烟差不多。对于正在被BOM成本和PCB空间困扰的工程师来说,这种极简方案的吸引力恐怕不言自明。
审核编辑 黄宇
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