onsemi NTJD4158C和NVJD4158C MOSFET器件介绍

在电子设计领域，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各种电路中。今天给大家介绍onsemi推出的两款小信号互补MOSFET——NTJD4158C和NVJD4158C，它们具有出色的性能和特点，适用于多种应用场景。

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产品特点

低导通电阻性能

采用领先的20V沟槽技术，有效降低了导通电阻 (R_{DS(on)})，这意味着在电路中能够减少功率损耗，提高能源效率。对于对功耗要求较高的设备，如便携式电子设备，这种低导通电阻特性尤为重要。

ESD保护

具备ESD保护的栅极，增强了器件的抗静电能力，减少了因静电放电而损坏器件的风险，提高了产品的可靠性和稳定性。在实际应用中，特别是在容易产生静电的环境中，ESD保护功能能够为电路提供额外的保障。

小尺寸封装

采用SC - 88封装，尺寸仅为2 x 2 mm，具有小尺寸、节省空间的特点。这使得它非常适合用于对空间要求较高的小型设备，如手机、MP3、数码相机和PDA等。

汽车级应用

NV前缀的产品适用于汽车和其他对生产地点和控制变更有特殊要求的应用。这些产品经过AEC - Q101认证，具备PPAP能力，能够满足汽车电子等领域对可靠性和质量的严格要求。

环保特性

这些器件是无铅、无卤素/BFR的，并且符合RoHS标准，体现了环保理念，符合现代电子产品对环保的要求。

应用领域

• DC - DC转换：在直流到直流的电源转换电路中，NTJD4158C和NVJD4158C可以有效地实现电压转换，提高电源效率。
• 负载/电源管理：能够对负载和电源进行有效的管理，确保电路的稳定运行。
• 负载开关：作为负载开关使用时，可以快速、可靠地控制负载的通断。
• 消费电子设备：适用于手机、MP3、数码相机、PDA等消费电子产品，为这些设备的电源管理和开关控制提供支持。

电气特性

最大额定值

参数	N - Ch	P - Ch	单位
漏源电压 (V_{DSS})	30 V	-20 V	V
栅源电压 (V_{GS})	±20 V	±12 V	V
连续漏极电流 (I_D)（稳态，(T_A = 25^{circ}C)）	0.25 A	-0.88 A	A
连续漏极电流 (I_D)（稳态，(T_A = 85^{circ}C)）	0.18 A	-0.63 A	A
功率耗散 (P_D)（稳态，(T_A = 25^{circ}C)）	0.27 W	-	W
脉冲漏极电流 (I_{DM})（(t_p = 10 mu s)）	0.5 A	-3.0 A	A
工作结温和存储温度 (TJ, T{stg})	- 55 to 150 °C	-	°C
源极电流（体二极管） (I_S)	0.25 A	-0.48 A	A
焊接时引脚温度（距外壳1/8"，10 s） (T_L)	260 °C	-	°C

电气特性参数

关断特性

• 漏源击穿电压 (V_{(BR)DSS})：N - Ch为30 V，P - Ch为 - 20 V。
• 漏源击穿电压温度系数：N - Ch为33 mV/°C，P - Ch为 - 9.0 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 (I_{DSS})：在不同温度和电压条件下有相应的规定值。
• 栅源泄漏电流 (I_{GSS})：N - Ch和P - Ch在特定条件下的最大值为1.0 μA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V_{GS(TH)})：N - Ch为0.8 - 1.5 V，P - Ch为 - 0.45 - - 1.5 V。
• 负栅极阈值温度系数：N - Ch为3.2 mV/°C，P - Ch为 - 2.7 mV/°C。
• 漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：在不同的栅源电压和漏极电流条件下有不同的值，如N - Ch在 (V_{GS} = 4.5 V)，(I_D = 10 mA) 时，典型值为1.0 Ω，最大值为1.5 Ω。
• 正向跨导 (g_{fs})：N - Ch在 (V_{DS} = 3.0 V)，(ID = 10 mA) 时，典型值为0.08 S；P - Ch在 (V{DS} = - 10 V)，(I_D = - 0.88 A) 时，典型值为3.0 S。

电荷、电容和栅极电阻

包括输入电容 (C{ISS})、输出电容 (C{OSS})、反向传输电容 (C{RSS})、总栅极电荷 (Q{G(TOT)})、阈值栅极电荷 (Q{G(TH)})、栅源电荷 (Q{GS}) 和栅漏电荷 (Q_{GD}) 等参数，这些参数对于分析MOSFET的开关特性和动态性能非常重要。

开关特性

给出了N - Ch和P - Ch的导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间等参数，这些参数反映了MOSFET的开关速度和响应特性。

漏源二极管特性

包括正向二极管电压 (V{SD}) 和反向恢复时间 (t{rr}) 等参数，对于了解MOSFET的二极管特性和在电路中的应用有重要意义。

订购信息

器件	标记	封装	包装
NTJD4158CT1G	TCD	SC - 88	3000 / 卷带封装
NVJD4158CT1G*	VCD	(无铅)	-

需要注意的是，部分器件已经停产，如NTJD4158CT2G。在订购时，请参考数据表第5页的详细订购、标记和运输信息。

总结

onsemi的NTJD4158C和NVJD4158C MOSFET以其低导通电阻、小尺寸封装、ESD保护等特点，为电子工程师在设计电路时提供了一个可靠的选择。无论是在消费电子还是汽车电子等领域，这些器件都能够发挥重要的作用。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求和性能要求，合理选择和使用这些器件。你在使用类似MOSFET器件时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。