Onsemi NTR4503N和NVTR4503N MOSFET：低电压应用的理想选择

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下Onsemi推出的NTR4503N和NVTR4503N这两款N沟道单功率MOSFET，看看它们在低电压应用中能带来怎样的优势。

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产品概述

Onsemi的NTR4503N和NVTR4503N是采用SOT - 23封装的N沟道单功率MOSFET，额定电压为30V，电流可达2.5A。其中，NVTR4503N带有NV前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。这两款器件均为无铅产品，符合RoHS标准。

产品特性

先进的平面技术

采用领先的平面技术，具有低栅极电荷和快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电路的工作效率。同时，它支持4.5V的低电压栅极驱动，非常适合低电压应用场景。

小尺寸封装

SOT - 23表面贴装封装，尺寸仅为3 x 3mm，占用空间小，有助于实现电路板的小型化设计，满足便携式设备等对空间要求较高的应用需求。

应用场景

DC - DC转换

在DC - DC转换电路中，NTR4503N和NVTR4503N能够高效地实现电压转换，为后续电路提供稳定的电源。其快速开关特性可以减少转换过程中的能量损耗，提高转换效率。

负载/电源开关

无论是便携式设备还是计算机设备，这两款MOSFET都可以作为负载/电源开关使用。它们能够快速响应控制信号，实现对负载的精确控制，同时低导通电阻可以降低功耗，延长设备的续航时间。

电气特性

最大额定值

在正常工作条件下（$T{J}=25^{circ} C$），该MOSFET的漏源电压（$V{DSS}$）最大为30V，栅源电压（$V{GS}$）最大为 + 20V。连续漏极电流（$I{D}$）在不同温度和工作状态下有所不同，例如在$T{A}=25^{circ} C$的稳态下为2.0A，在$T{A}=85^{circ}C$时为1.5A。功率耗散（$P{D}$）在$T{A}=25^{circ} C$的稳态下为0.73W。需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其可靠性。

电气参数

• 关断特性：漏源击穿电压（$V{(BR)DSS}$）在$V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250 mu A$时为30 - 36V；零栅压漏极电流（$I{DSS}$）在$V{GS} = 0 V$，$V{DS} = 24 V$时为1.0μA，在$TJ = 125 °C$时为10μA；栅源泄漏电流（$I{GSS}$）在$V{DS} = 0 V$，$V_{GS} = 20 V$时为100nA。
• 导通特性：栅极阈值电压（$V{GS(TH)}$）在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 250 mu A$时为1.0 - 3.0V；漏源导通电阻（$R{DS(on)}$）在$V{GS} = 10 V$，$I{D} = 2.5A$时典型值为85mΩ，在$V{GS} = 4.5 V$，$I_{D} = 2.0 A$时典型值为105mΩ。
• 电荷和电容特性：输入电容（$C{iss}$）、输出电容（$C{oss}$）和反向传输电容（$C{rss}$）在不同的测试条件下有不同的值。例如，在$V{GS} = 0 V$，$f = 1.0 MHz$，$V{DS} = 15 V$时，$C{iss}$为135pF，$C{oss}$为52pF，$C{rss}$为15pF。总栅极电荷（$Q{G(TOT)}$）在$V{GS} = 10 V$，$V{DS} = 15 V$，$I{D} = 2.5 A$时为3.6 - 7.0nC。
• 开关特性：开关特性与工作结温无关。例如，在$V{GS} = 10 V$，$V{DD} = 15 V$，$I{D} = 1 A$，$R{G} = 6 Omega$的条件下，导通延迟时间（$t{d(on)}$）为5.8 - 12ns，上升时间（$t{r}$）为5.8 - 10ns，关断延迟时间（$t{d(off)}$）为14 - 25ns，下降时间（$t{f}$）为1.6 - 5.0ns。
• 漏源二极管特性：正向二极管电压（$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 2.0 A$）为0.85 - 1.2V，反向恢复时间（$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 2.0 A$，$dI_{S} / dt = 100 A / mu s$）为9.2ns，反向恢复电荷为4.0nC。

热阻特性

热阻特性是衡量器件散热能力的重要指标。该MOSFET的结到环境热阻在不同条件下有所不同。在稳态下（注意1），结到环境热阻（$R{JA}$）为170°C/W；在$t < 10 s$的情况下（注意1），$R{JA}$为100°C/W；在另一种稳态条件下（注意2），$R_{JA}$为300°C/W。这里需要注意的是，不同的热阻是基于不同的电路板安装条件得出的，具体可参考文档中的说明。

封装与订购信息

封装尺寸

采用SOT - 23（TO - 236）封装，其具体尺寸在文档中有详细标注，如高度A为0.89 - 1.11mm，宽度D为2.80 - 3.04mm等。这些尺寸信息对于电路板的布局设计非常重要。

订购信息

NTR4503NT1G和NVTR4503NT1G均采用SOT - 23无铅封装，每卷数量为3000个。关于卷带规格的详细信息，可参考Onsemi的Tape and Reel Packaging Specification Brochure（BRD8011/D）。

总结

Onsemi的NTR4503N和NVTR4503N MOSFET凭借其先进的技术、小尺寸封装、良好的电气性能和热阻特性，在低电压应用领域具有很大的优势。无论是DC - DC转换还是负载/电源开关，它们都能为电子工程师提供可靠的解决方案。在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑各项参数，合理选择和使用这两款器件。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。