onsemi FDN359AN MOSFET：低电压应用的理想选择

在电子设计领域，选择合适的MOSFET对于实现高效、可靠的电路至关重要。今天我们要介绍的是安森美半导体（onsemi）的FDN359AN N - 沟道逻辑电平MOSFET，它在低电压和电池供电应用中具有出色的表现。

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一、产品概述

FDN359AN采用了onsemi先进的POWERTRENCH工艺，这种工艺专门针对降低导通电阻和保持卓越的开关性能进行了优化。这使得该器件非常适合那些对线路功耗要求低且需要快速开关的低电压和电池供电应用。

二、产品特性

电性参数方面

1. 电流与电压能力：具有2.7 A的连续漏极电流和30 V的漏源电压（V_DSS），能够满足一定功率的应用需求。
2. 低导通电阻：
   • 在V_GS = 10 V时，R_DS(ON) = 0.046 Ω；
   • 在V_GS = 4.5 V时，R_DS(ON) = 0.060 Ω。低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。

开关性能方面

具有非常快速的开关速度，并且典型栅极电荷仅为5 nC，能够实现快速的状态转换，减少开关损耗。

封装方面

它采用了行业标准SOT - 23封装的高功率版本，引脚排列与标准SOT - 23相同，但功率处理能力提高了30%，在不改变原有设计布局的情况下增强了功率承载能力。

三、绝对最大额定值

使用该器件时，必须注意以下绝对最大额定值，超过这些限制可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

参数	符号	额定值	单位
漏源电压	VDSS	30	V
栅源电压	VGS	+20	V
连续漏极电流（脉冲）	ID	2.7（15）	A
单操作功率耗散	PD	0.5（0.46）	W
工作和存储结温范围	TJ, TSTG	-55 to +150	°C

四、热特性

热特性对于MOSFET的可靠性和性能至关重要。FDN359AN的热阻参数如下：

参数	符号	额定值	单位
结到环境热阻	RθJA	250	°C/W
结到外壳热阻	RθJC	75	°C/W

实际应用中，用户的电路板设计会影响散热效果。例如，在FR - 4 PCB的静止空气环境中，采用不同的焊盘布局，热阻会有所不同。当安装在0.02 in²的2 oz铜焊盘上时，R_θJA为250°C/W；安装在最小焊盘上时，R_θJA为270°C/W。

五、电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（B_VDSS）：在V_GS = 0 V，I_D = 250 μA时，最小值为30 V。其击穿电压温度系数为23 mV/°C。
• 零栅压漏极电流（I_DSS）：在V_DS = 24 V，V_GS = 0 V时，最大值为1 μA；在TJ = 125°C时，最大值为10 μA。
• 栅体泄漏电流（I_GSSF和I_GSSR）：正向和反向栅体泄漏电流分别在V_GS = ±20 V时，最大值为±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（V_GS(th)）：在V_DS = V_GS，I_D = 250 μA时，典型值为1.6 V，范围在1 - 3 V之间。其阈值电压温度系数为 - 4 mV/°C。
• 静态漏源导通电阻（R_DS(on)）：在不同的测试条件下有不同的值，如V_GS = 10 V，I_D = 2.7 A时，典型值为0.037 Ω，最大值为0.046 Ω；在V_GS = 4.5 V，I_D = 2.4 A时，典型值为0.049 Ω，最大值为0.06 Ω。
• 导通状态漏极电流（I_D(on)）：在V_GS = 10 V，V_DS = 5 V时，为15 A。
• 正向跨导（g_FS）：在V_DS = 5 V，I_D = 2.7 A时，为9.5 S。

动态特性

• 输入电容（C_iss）：在V_DS = 10 V，V_GS = 0 V，f = 1.0 MHz时，为480 pF。
• 输出电容（C_oss）：为120 pF。
• 反向传输电容（C_rss）：为45 pF。

开关特性

采用脉冲测试（脉冲宽度 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2.0%），其开关时间如下：

• 导通延迟时间（t_d(on)）：在V_DD = 5 V，I_D = 1 A，V_GS = 4.5 V，R_GEN = 6 Ω时，典型值为6 ns，最大值为12 ns。
• 导通上升时间（t_r）：典型值为13 ns，最大值为24 ns。
• 关断延迟时间（t_d(off)）：典型值为15 ns，最大值为27 ns。
• 关断下降时间（t_f）：典型值为4 ns，最大值为10 ns。
• 总栅极电荷（Q_g）：在V_DS = 10 V，I_D = 2.7 A，V_GS = 5 V时，典型值为5 nC，最大值为7 nC。
• 栅源电荷（Q_gs）：为1.4 nC。
• 栅漏电荷（Q_gd）：为1.6 nC。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流（I_S）：为0.42 A。
• 漏源二极管正向电压（V_SD）：在V_GS = 0 V，I_S = 0.42 A时，典型值为0.65 V，最大值为1.2 V。

六、典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、导通电阻随温度的变化、导通电阻随栅源电压的变化、转移特性、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、栅极电荷特性、电容特性、最大安全工作区、单脉冲最大功率耗散和瞬态热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计。

七、封装与订购信息

该器件采用SOT - 23（无铅、无卤）封装，每卷3000颗。对于卷带规格的详细信息，可参考其卷带封装规格手册BRD8011/D。

在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑上述各项参数和特性，以确保FDN359AN能够在电路中发挥出最佳性能。你在使用类似MOSFET器件时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。