onsemi FDMC86240 N沟道MOSFET的技术剖析与应用

在电子工程领域，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各类电路设计中。今天我们来深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC86240 N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的特性和应用场景。

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产品概述

FDMC86240是一款采用安森美先进POWERTRENCH工艺结合屏蔽栅技术生产的N沟道MOSFET。这种工艺在优化导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能。该器件的额定电压为150V，额定电流为16A，导通电阻在不同条件下有不同表现，例如在$V{GS}=10V$、$I{D}=4.6A$时，最大$r{DS(on)}$为51mΩ；在$V{GS}=6V$、$I{D}=3.9A$时，最大$r{DS(on)}$为70mΩ。

产品特性

屏蔽栅MOSFET技术

这是FDMC86240的核心技术之一，它有助于降低导通电阻，提高开关速度，从而提升器件的整体性能。在实际应用中，能够有效减少功率损耗，提高电路效率。

低外形设计

该器件采用Power 33封装，最大高度仅为1mm，这种低外形设计非常适合对空间要求较高的应用场景，如便携式设备等。

100% UIL测试

经过100%的非钳位电感开关（UIL）测试，保证了器件在实际应用中的可靠性和稳定性，降低了因开关过程中的电压尖峰而导致器件损坏的风险。

ROHS合规

符合ROHS标准，意味着该器件在生产过程中不含有害物质，符合环保要求，适用于对环保有严格要求的市场。

应用场景

FDMC86240主要应用于DC - DC转换电路中。在DC - DC转换中，MOSFET作为开关元件，其性能直接影响到转换效率和输出稳定性。FDMC86240的低导通电阻和良好的开关性能，能够有效减少转换过程中的功率损耗，提高转换效率，因此非常适合这类应用。

关键参数

最大额定值

参数	符号	额定值	单位
漏源电压	$V_{DS}$	- 150	V
栅源电压	$V_{GS}$	± 20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	16	A
连续漏极电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	4.6	A
脉冲漏极电流	$I_{D}$	20	A
单脉冲雪崩能量	$E_{AS}$	34	mJ
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	40	W
功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	2.3	W
工作和存储结温范围	$T{J}$、$T{STG}$	- 55 to +150	$^{circ}C$

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（$I{D}=250mu A$，$V{GS}=0V$）：最小值为150V。
• 击穿电压温度系数（$I_{D}=250mu A$，参考25°C）：典型值为101mV/°C。
• 零栅压漏极电流（$V{DS}=120V$，$V{GS}=0V$）：最大值为1μA。
• 栅源泄漏电流（$V{GS}=20V$，$V{DS}=0V$）：最大值为 + 100nA。

导通特性

• 栅源阈值电压：典型值为2.0V。
• 静态漏源导通电阻：在不同条件下有不同值，如$V{GS}=10V$、$I{D}=4.6A$时，典型值为44.7mΩ，最大值为51mΩ；$V{GS}=6V$、$I{D}=3.9A$时，最大值为70mΩ。

动态特性

• 反向传输电容（$V{DS}=75V$，$V{GS}=0V$，$f = 1MHz$）：典型值为0.5pF。

开关特性

• 开启延迟时间（$V{DD}=75V$，$I{D}=4.6A$，$V_{GS}=10V$）：典型值为8.2ns。
• 关断延迟时间：典型值为3.1ns和11ns。
• 总栅极电荷（$V{GS}=0V$到$5V$，$V{DD}=75V$，$I_{D}=4.6A$）：典型值为9nC。

漏源二极管特性

• 源漏二极管正向电压（$V{GS}=0V$，$I{S}=2A$）：典型值为1.2V，最大值为1.3V。
• 反向恢复电荷：典型值为102nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现。例如，导通电阻与漏极电流、栅极电压以及结温的关系曲线，有助于工程师在设计电路时更好地选择合适的工作点。

封装和订购信息

FDMC86240采用WDFN - 8封装，封装尺寸为3.30x3.30x0.75mm，引脚间距为0.65mm。器件标记包含特定设备代码、组装位置、批次追溯代码和日期代码等信息。订购时，每卷有3000个器件，采用13英寸卷轴和12mm宽的胶带包装。

总结

FDMC86240 N沟道MOSFET凭借其先进的工艺、出色的性能和丰富的特性，在DC - DC转换等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据实际需求，结合该器件的各项参数和特性曲线，进行合理的选型和设计。大家在实际应用中有没有遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。