单结晶体管的特性举及简单测试,Single-junction transistors

单结晶体管的特性举及简单测试,Single-junction transistors

关键字：单结晶体管的特性举及简单测试

单结晶体管的特性举及简单测试

单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能——负阻特性，可以使自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构大为简化，故而应用十分广泛。

图1为单结晶体管的特性检测电路。在两基极之间外加固定的正向偏压VBB，调节发射极的电压VE，根据IE与VE的变化关系，可以绘出单结晶体管的伏安特性曲线如图2。

当VE=0时，PN结反偏截止，只有微小的反向电流IEO流过发射极，随着VE的升高，当VE=ηVBB时IE=0。VE续升高，IE将变为正向，但PN结仍未导通，故正向的漏电流也很小，在P点左侧单结晶体管处于截止区。

VE继续升高，当VE=ηVBB+VD时，PN结由截止变为导通，这个转折点称为峰点P(VP，IP)，对应的发射极电压称为峰点电压VP(VP=ηVBB+VD)，发射极电流称为峰点电流IP。IP代表了使单结晶体管导通所需的最小电流。PN结导通后，P区的空穴大量注入N区，使E与B1之间的空穴浓度增加，导电性能增强，RB1的阻值减小，随着IE的增加，VE逐渐减小，单结晶体管呈现出明显的负阻特性。从P到V这一段为单结晶体管特性的负阻区。

随空穴的注入量达到一定程度，E与B1之间的基区由电中性转变为正电性，给空穴的进一步注入增加了阻力，相当于RB1不再下降，反而增大了，这个转折点称为谷点V(VV，Iv)此后，VE将随IE的增加而缓慢增加，单结晶体管进入饱和区。谷点电压是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，VE

1．单结晶体管极间电阻的测试

发射极开路时，极间电阻RBB基本上是一个常数，用万用表的Rx1k或Rx100挡测量即可，国产的单结晶体管的RBB值在3~10kΩ范围内。测量发射极和两基极间的正向电阻，用万用表的电阻挡，黑表笔接发射极，红表笔分别接两基极即可。测量发射极和两基极间的反向电阻，同样把万用表调到电阻挡，红表笔接发射极，黑表笔分别接两基极，由于单结晶体管反向电流非常小，所以测得结果应为∞，否则证明管子质量不好。

2.单结晶体管负阻特性的检测

用万用表的Rx1或Rx100挡，黑表笔接发射极，红表笔接第一基极，这就相当于在发射极和第一基极之间加上了一个固定的1.5V的电压VE，在第二基极与第一基极之间外加+4.5V电源，万用表指示应为∞，表示单结晶体管性能良好。若指针发生偏转，表示管子无负阻特性或分压比值太低，不能正常使用。