探索FDMS86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

引言

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为关键的器件，广泛应用于各种电路中。今天我们要深入探讨的是FDMS86250 N - Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生产，现在归属于ON Semiconductor。

文件下载：FDMS86250-D.pdf

背景知识：Fairchild与ON Semiconductor的整合

Fairchild Semiconductor已成为ON Semiconductor的一部分。在整合过程中，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，以满足ON Semiconductor的系统要求。由于ON Semiconductor的产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名，Fairchild零件编号中的下划线将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor网站核实更新后的器件编号。

FDMS86250 MOSFET的特性

1. 基本参数

FDMS86250是一款N - 沟道MOSFET，具有150 V的耐压、30 A的连续漏极电流以及低至25 mΩ的导通电阻（在(V{GS}=10 V)，(I{D}=6.7 A)时）。这些参数使得它在功率转换等应用中表现出色。

2. 技术优势

• 屏蔽栅MOSFET技术：采用先进的屏蔽栅技术，优化了导通电阻，同时保持了卓越的开关性能。这种技术在提高效率的同时，降低了功耗。
• 先进的封装与硅片组合：为低导通电阻和高效率提供了保障。MSL1稳健的封装设计，增强了器件的可靠性。
• 全面测试：经过100% UIL测试，确保了产品的质量和稳定性。并且该器件符合RoHS标准，环保性能良好。

应用领域

FDMS86250主要应用于DC - DC转换电路。在DC - DC转换中，其低导通电阻和高效的开关性能能够有效减少能量损耗，提高转换效率。

电气特性详解

1. 最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压		150	V
(V_{GS})	栅源电压		±20	V
(I_{D})	连续漏极电流	(T_{C}=25^{circ}C)	30	A
	连续漏极电流	(T_{A}=25^{circ}C)（注1a）	6.7	A
	脉冲漏极电流	（注4）	100	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	（注3）	180	mJ
(P_{D})	功率耗散	(T_{C}=25^{circ}C)	96	W
	功率耗散	(T_{A}=25^{circ}C)（注1a）	2.5	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围		- 55至 + 150	°C

2. 电气特性参数

• 关断特性：如(B{VDS})（漏源击穿电压）为150 V，(I{DSS})（零栅压漏极电流）在(V{DS}=120 V)，(V{GS}=0 V)时为1 μA等。
• 导通特性：(r{DS(on)})（静态漏源导通电阻）在不同的(V{GS})和(I{D})条件下有不同的值，例如在(V{GS}=10 V)，(I_{D}=6.7 A)时为19 - 25 mΩ。
• 动态特性：包括输入电容(C{iss})、输出电容(C{oss})、反向传输电容(C_{rss})等。
• 开关特性：如开通延迟时间(t{d(on)})、上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})和下降时间(t{f})等。
• 漏源二极管特性：如源 - 漏二极管正向电压(V_{SD})等。

典型特性曲线分析

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线对于工程师理解器件的性能非常有帮助。

• 导通区域特性曲线：展示了不同(V{GS})下漏极电流(I{D})与漏源电压(V_{DS})的关系。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系曲线：帮助我们了解导通电阻在不同工作条件下的变化情况。
• 归一化导通电阻与结温的关系曲线：反映了结温对导通电阻的影响。

封装与订购信息

FDMS86250采用Power 56封装，器件标记为FDMS86250，卷盘尺寸为13英寸，胶带宽度为12 mm，每卷数量为3000个单位。

注意事项

ON Semiconductor提醒用户，其产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果用户将产品用于非预期或未经授权的应用，需要承担相应的责任。同时，所有的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，用户需要由技术专家对每个应用的操作参数进行验证。

总结

FDMS86250 N - Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET凭借其先进的技术、良好的电气性能和可靠的封装设计，在DC - DC转换等领域具有广阔的应用前景。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性和优势，以实现高效、稳定的电路设计。大家在实际应用中，是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。