深入解析FDMS86202ET120 N沟道屏蔽栅极MOSFET

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，广泛应用于各种电路设计中。今天，我们将深入探讨飞兆半导体（现属于安森美半导体）的FDMS86202ET120 N沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET，了解其特性、参数及应用。

文件下载：FDMS86202ET120CN-D.pdf

一、安森美与飞兆半导体的整合说明

飞兆半导体现已成为安森美半导体的一部分。由于系统要求，部分飞兆可订购的零件编号需要更改，原飞兆零件编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过安森美半导体网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

二、FDMS86202ET120 MOSFET特性

2.1 卓越的温度特性

扩展额定 (T_{J}) 至 175°C，这使得该MOSFET能够在较高温度环境下稳定工作，适应更广泛的应用场景。在高温环境下，其性能依然可靠，减少了因温度过高导致的性能下降或故障风险。

2.2 先进的屏蔽栅极技术

采用屏蔽栅极MOSFET技术，该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。这意味着在导通状态下，能够有效降低功耗，提高效率，同时在开关过程中能够快速响应，减少开关损耗。

2.3 低导通电阻

最大 (r{DS(on)}=7.2 mOmegaleft(V{GS}=10 V, I{D}=13.5 Aright))，最大 (r{DS(on)}=10.3 mOmega) ( (V{GS} = 6 V, I{D}=11.5 A) )。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路的效率，尤其在高电流应用中表现出色。

2.4 先进的封装设计

采用低 (DS(on)) 和高效的先进硅封装，MSL1耐用封装设计，并且100%经过UIL测试，符合RoHS标准。这种封装设计不仅保证了器件的可靠性和稳定性，还满足了环保要求。

三、主要参数

3.1 最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏极 - 源极电压	120	V
(V_{GS})	栅极 - 源极电压	±20	V
(I_{D})	漏极电流 - 连续（(T_{C} = 25 °C)）	102	A
(I_{D})	漏极电流 - 连续（(T_{C} = 100°C)）	72	A
(I_{D})	漏极电流 - 连续（(T_{A} = 25°C)）	13.5	A
(I_{D})	漏极电流 - 脉冲	538	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	600	mJ
(P_{D})	功耗（(T_{C} = 25 °C)）	187	W
(P_{D})	功耗（(T_{A} = 25 °C)）	3.3	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +175	°C

3.2 热性能

符号	参数	数值	单位
(R_{θJC})	结 - 壳体的热阻	0.8	°C/W
(R_{θJA})	结至环境热阻最大值	45	°C/W

3.3 电气特性

包含关断特性、导通特性、动态特性、开关特性以及漏极 - 源极二极管特性等多个方面。例如，漏极 - 源极击穿电压 (B{V{DSS}}) 为 120V，栅极 - 源极阈值电压 (V_{GS(th)}) 在 2.0 - 4.0V 之间等。这些电气特性为电路设计提供了重要的参考依据，工程师可以根据具体需求进行合理选择和应用。

四、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、标准化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻与栅极 - 源极电压的关系等。这些曲线直观地展示了器件在不同工作条件下的性能表现，有助于工程师更好地理解和应用该器件。例如，通过导通电阻与栅极 - 源极电压的关系曲线，工程师可以选择合适的栅极电压来实现最小的导通电阻，从而提高电路效率。

五、应用领域

FDMS86202ET120 MOSFET主要应用于DC - DC转换领域。在DC - DC转换电路中，其低导通电阻和卓越的开关性能能够有效提高转换效率，减少能量损耗，为电路的稳定运行提供保障。

六、注意事项

6.1 零件编号变更

由于安森美系统要求，部分飞兆零件编号中的下划线将改为破折号，需通过安森美网站核实更新后的编号。

6.2 热阻说明

(R{θJA}) 取决于安装在FR - 4材质1.5 x 1.5英寸电路板上1英寸² 2盎司铜焊盘上的器件，(R{θCA}) 取决于使用者的电路板设计。在实际应用中，需要根据具体的电路板设计来考虑热阻对器件性能的影响。

6.3 脉冲测试条件

部分参数的测试采用脉冲测试，脉宽 < 300 μ，占空比 < 2.0%。在实际使用中，要注意测试条件与实际工作条件的差异，确保器件在实际应用中的性能符合要求。

6.4 特殊应用限制

安森美半导体产品不设计、不打算也未授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备以及用于人体植入的设备。如果购买或使用安森美产品用于此类非预期或未授权的应用，买方需承担相应的责任。

总之，FDMS86202ET120 N沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET以其卓越的性能和特性，在DC - DC转换等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计电路时，可以根据其参数和特性，合理选择和应用该器件，以实现高效、稳定的电路设计。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。