FDP150N10 N沟道PowerTrench® MOSFET：高性能的电子解决方案

在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种至关重要的元件，广泛应用于各种电子设备中。今天，我们就来详细了解一下飞兆半导体（Fairchild）的FDP150N10 N沟道PowerTrench® MOSFET，它在性能和应用方面都有着出色的表现。

文件下载：FDP150N10CN-D.pdf

飞兆与安森美半导体的整合

飞兆半导体现已成为安森美半导体（ON Semiconductor）的一部分。由于系统要求的变化，部分飞兆可订购的零件编号需要更改。安森美半导体的产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名法，因此飞兆零件编号中的下划线将改为破折号（-）。大家可以通过安森美半导体的网站（www.onsemi.com）来验证更新后的设备编号。

FDP150N10 MOSFET的特性

卓越的电气性能

• 低导通电阻：典型的 (R{DS(on)} = 12 mOmega)（在 (V{GS}=10 V)，(I_{D}=49 A) 时），这种低导通电阻有助于降低功耗，提高效率。
• 快速开关速度：能够快速响应信号变化，适用于对开关速度要求较高的应用场景。
• 低栅极电荷：减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了效率。
• 高性能沟道技术：实现了极低的 (R_{DS(on)})，具备高功率和高电流处理能力。
• 符合RoHS标准：满足环保要求，符合现代电子设备的发展趋势。

先进的制造工艺

该MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制。

应用领域

同步整流

可用于ATX/服务器/通信PSU（电源供应器）的同步整流，提高电源转换效率。

电池保护

在电池保护电路中发挥重要作用，确保电池的安全使用。

电机驱动和不间断电源

为电机驱动和不间断电源提供稳定的功率支持。

微型光伏逆变器

适用于微型光伏逆变器，将太阳能转化为电能。

技术参数

最大额定值

符号	参数	FDP150N10	单位
(V_{DSS})	漏极 - 源极电压	100	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压	±20	V
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=25°C)）	57	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=100°C)）	40	A
(I_{DM})	漏极电流（脉冲）	228	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	132	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复 (dv/dt)	7.5	V/ns
(P_{D})	功耗（(T_{C}= 25°C)）	110	W
	降额（25°C以上）	0.88	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 至 +150	°C
(T_{L})	用于焊接的最大引脚温度（距离外壳1/8"，持续5秒）	300	°C

热性能

符号	参数	FDP150N10	单位
(R_{theta JC})	结至外壳热阻最大值	1.13	°C/W
(R_{theta JA})	结至环境热阻最大值	62.5	°C/W

电气特性

关断特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(BV_{DSS})	漏极 - 源极击穿电压	(I{D} = 250 mu A)，(V{GS} = 0 V)，(T_{C} = 25°C)	100	-	-	V
(Delta BV{DSS} / Delta T{J})	击穿电压温度系数	(I_{D}=250 mu A)，参考条件是25°C	-	0.1	-	V/°C
(I_{DSS})	零栅极电压漏极电流	(V{DS} = 100 V)，(V{GS} = 0 V)	-	-	1	(mu A)
		(V{DS} = 100 V)，(V{GS} = 0 V)，(T_{C} = 150°C)	-	-	500	(mu A)
(I_{GSS})	栅极 - 体漏电流	(V{GS} = ±20 V)，(V{DS} = 0 V)	-	-	±100	nA

导通特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(V_{GS(th)})	栅极阈值电压	(V{GS} = V{DS})，(I_{D} = 250 mu A)	2.5	-	4.5	V
(R_{DS(on)})	漏极至源极静态导通电阻	(V{GS} = 10 V)，(I{D} = 49 A)	-	12	15	(mOmega)
(g_{FS})	正向跨导	(V{DS} = 20 V)，(I{D} = 49 A)	-	156	-	S

动态特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(C_{iss})	输入电容	(V{DS} = 25 V)，(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)	-	3580	4760	pF
(C_{oss})	输出电容	-	340	450	pF
(C_{rss})	反向传输电容	-	140	210	pF

开关特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(t_{d(on)})	导通延迟时间	(V{DD} = 50 V)，(I{D} = 49 A)，(V{GS} = 10 V)，(R{G} = 25 Omega)	-	47	104	ns
(t_{r})	开通上升时间	-	-	164	338	ns
(t_{d(off)})	关断延迟时间	-	-	86	182	ns
(t_{f})	关断下降时间	-	-	83	176	ns
(Q_{g(tot)})	10 V的栅极电荷总量	(V{DS} = 80 V)，(I{D} = 49 A)	-	53	69	nC
(Q_{gs})	栅极 - 源极栅极电荷	(V_{GS} = 10 V)	-	19	-	nC
(Q_{gd})	栅漏极 “ 米勒 ” 电荷	-	-	15	-	nC

漏源极二极管特性

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(I_{S})	漏源极二极管最大正向连续电流	-	-	-	57	A
(I_{SM})	漏源极二极管最大正向脉冲电流	-	-	228	A
(V_{SD})	漏源极二极管正向电压	(V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 49 A)	-	-	1.3	V
(t_{rr})	反向恢复时间	(V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 49 A)	-	41	-	ns
(Q_{rr})	反向恢复电荷	(dI_{F} / dt = 100 A/ mu s)	-	70	-	nC

典型性能特征

文档中还给出了一系列典型性能特征的图表，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、体二极管正向电压变化与源极电流的关系和温度、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压变化与温度的关系、导通电阻变化与温度的关系、最大安全工作区、最大漏极电流与壳体温度的关系以及瞬态热响应曲线等。这些图表为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

封装与订购信息

FDP150N10采用TO - 220封装，顶标为FDP150N10，包装方法为塑料管，每管50个。

注意事项

产品变更

安森美半导体保留对产品进行更改的权利，且不会另行通知。

应用责任

买方需对使用安森美半导体产品的产品和应用负责，包括遵守所有法律法规和安全要求或标准。

医疗应用限制

该产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备，以及任何用于人体植入的设备。

FDP150N10 N沟道PowerTrench® MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个优秀的选择。在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用需求，结合这些技术参数和性能特征，合理使用该MOSFET，以实现最佳的电路性能。大家在使用过程中有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享交流。