安森美NTLJD3115P P沟道MOSFET：低电压应用的理想之选

在电子设备的设计中，MOSFET作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着设备的效率和稳定性。今天，我们来深入了解安森美（onsemi）的NTLJD3115P，一款专为低电压应用优化的双P沟道MOSFET。

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产品特性

封装优势

NTLJD3115P采用WDFN 2x2 mm封装，这种封装具有暴露的漏极焊盘，能够提供出色的热传导性能。其2x2 mm的占位面积与SC - 88相同，并且是2x2 mm封装中具有最低导通电阻（RDS(on)）的解决方案。同时，它的低外形（<0.8 mm）使得它能够轻松适应薄型环境。

低电压驱动

该MOSFET具有1.8V的RDS(on)额定值，适用于低电压栅极驱动逻辑电平操作，这使得它在电池供电的便携式设备中具有很大的优势。

双向电流流动

采用共源极配置，支持双向电流流动，增加了其在电路设计中的灵活性。

环保设计

NTLJD3115P是无铅器件，符合环保要求。

应用领域

电池和负载管理

在便携式设备中，如智能手机、平板电脑等，NTLJD3115P可用于电池和负载管理，优化电池的使用效率，延长设备的续航时间。

锂电池充电和保护

在锂电池充电和保护电路中，它能够提供可靠的开关功能，确保电池的安全充电和使用。

高端负载开关

作为高端负载开关，NTLJD3115P可以有效地控制负载的通断，提高电路的稳定性和可靠性。

电气特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	-20	V
栅源电压	VGS	±8.0	V
连续漏极电流（稳态，TA = 25°C）	ID	-3.3	A
连续漏极电流（稳态，TA = 85°C）	ID	-2.4	A
脉冲漏极电流	IDM	-20	A
功率耗散（稳态，TA = 25°C）	PD	1.5	W
工作结温和存储温度	TJ, TSTG	-55 to 150	°C
源极电流（体二极管）	IS	-1.9	A
焊接用引脚温度（1/8〃离外壳10 s）	TL	260	°C

电气参数

• 关断特性：漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V（VGS = 0 V，ID = -250 μA），其温度系数为9.95 mV/°C。零栅压漏电流IDSS在TJ = 25°C时为 -1.0 μA，TJ = 85°C时为 -10 μA。
• 导通特性：栅极阈值电压VGS(TH)在 -0.4 V到 -1.0 V之间，其温度系数为2.44 mV/°C。不同栅源电压下的漏源导通电阻RDS(on)有所不同，如VGS = -4.5 V，ID = -2.0 A时，RDS(on)为75 - 100 mΩ。
• 电荷、电容和栅极电阻：输入电容CISS为531 pF，输出电容COSS为91 pF，反向传输电容CRSS为56 pF。总栅极电荷QG(TOT)为5.5 - 6.2 nC。
• 开关特性：在不同的测试条件下，开关时间有所不同。例如，VGS = -4.5 V，VDD = -5.0 V，ID = -1.0 A，RG = 6.0 Ω时，导通延迟时间td(ON)为6.0 ns，上升时间tr为11 ns，关断延迟时间td(OFF)为21 ns，下降时间tf为8.0 ns。
• 漏源二极管特性：正向恢复电压VSD在TJ = 25°C时为 -0.75 - -1.0 V，TJ = 125°C时为 -0.64 V。反向恢复时间tRR为12.6 ns。

典型性能曲线

导通区域特性

从图1可以看出，不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。随着栅源电压的降低，漏极电流也相应减小。

传输特性

图2展示了不同结温下，漏极电流与栅源电压的关系。结温的变化会影响MOSFET的传输特性。

导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系

图3和图4显示了导通电阻RDS(on)随漏极电流和栅源电压的变化。在不同的栅源电压下，导通电阻随漏极电流的增加而变化。

导通电阻随温度的变化

图5表明，导通电阻RDS(on)会随着结温的升高而增大。

漏源泄漏电流与电压的关系

图6显示了漏源泄漏电流随漏源电压的变化情况。

电容变化

图7展示了输入电容CISS、输出电容COSS和反向传输电容CRSS随栅源电压和漏源电压的变化。

栅源和漏源电压与总电荷的关系

图8显示了栅源和漏源电压与总栅极电荷的关系。

电阻性开关时间随栅极电阻的变化

图9表明，开关时间会随着栅极电阻的变化而变化。

二极管正向电压与电流的关系

图10展示了二极管正向电压与电流的关系。

最大额定正向偏置安全工作区

图11显示了在不同脉冲时间下，漏极电流与漏源电压的关系，以及RDS(on)限制、热限制和封装限制。

热响应

图12展示了瞬态热阻随时间和占空比的变化情况。

封装和订购信息

封装

NTLJD3115P采用WDFN6封装，其机械尺寸和引脚连接在文档中有详细说明。

订购信息

器件	封装	包装
NTLJD3115PT1G	WDFN6（无铅）	3000/卷带盘

需要注意的是，该器件已停产。如果需要相关信息，请联系安森美代表，最新信息可在www.onsemi.com上查询。

总结

安森美NTLJD3115P双P沟道MOSFET以其出色的热传导性能、低导通电阻和低电压驱动能力，在便携式设备的电池和负载管理、锂电池充电和保护等应用中具有很大的优势。尽管该器件已停产，但它的设计理念和性能特点仍值得我们在电子设计中借鉴。在实际应用中，我们需要根据具体的电路需求，合理选择MOSFET，并注意其最大额定值和电气参数，以确保电路的稳定运行。你在使用MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。