MAX8550评估套件:DDR电源解决方案评估利器
在电子设备的设计中,电源供应的稳定性和性能至关重要,尤其是对于笔记本电脑、台式机和显卡等设备中的DDR内存。MAX8550评估套件(EV kit)为工程师提供了一个便捷的平台,用于评估MAX8550 DDR电源解决方案。
文件下载:MAX8550EVKIT.pdf
一、套件概述
MAX8550评估套件旨在评估适用于笔记本、台式机和显卡的MAX8550 DDR电源解决方案。该套件的电路板通过同步PWM降压输出产生VDDQ,通过源/沉LDO线性稳压器输出产生VTT,通过参考缓冲器输出产生VTTR。
输出参数
- VDDQ:预设为2.5V,最大可提供12A电流。
- VTT:始终为VDDQ的一半,即1.25V,可源/沉最大3A的峰值电流和1.5A的连续电流。
- VTTR:同样为1.25V,可源/沉最大10mA电流。
输入要求
VIN输入电压范围为9V至20V,VDD需要5V偏置电源。
模式选择
套件方便地设计了跳线,可选择OVP/UVP、TON、SKIP、STBY和SHDN_等模式。电路板的默认设置启用了OVP(过压保护)、600kHz开关频率、低噪声PWM模式以及VDDQ、VTT和VTTR输出。
二、元件清单
| 套件包含多种元件,以下是部分关键元件信息: | 元件编号 | 数量 | 描述 |
|---|---|---|---|
| C1 | 1 | 0.1µF ±10%,50V X7R陶瓷电容(0603) | |
| C2、C4A - C4F | 7 | 10µF ±10%,6.3V X5R陶瓷电容(1206) | |
| L1 | 1 | 1.0µH,20A,1.6mΩ功率电感(12.6mm x 12.6mm x 5.2mm) | |
| Q1 | 1 | n沟道MOSFET 30V,9mΩ(SO - 8) | |
| Q2 | 1 | n沟道MOSFET 30V,5mΩ(SO - 8) | |
| U1 | 1 | MAX8550ETI(28引脚5mm x 5mm薄QFN) |
三、特性亮点
- 输出预设:VDDQ预设为2.5V/12A,VTT 1.25V可源/沉1.5A连续/3A峰值电流,VTTR 1.25V可源/沉10mA电流,满足DDR内存的供电需求。
- 宽输入范围:VIN范围为9V至20V,适应多种电源环境。
- 优化开关频率:600kHz的开关频率经过优化,有助于提高电源效率和降低噪声。
- 保护功能:具备过压/欠压保护、待机和独立关断功能,保障电路安全。
- Power OK指示:方便工程师监测电源状态。
四、订购信息
| 部件 | 温度范围 | IC封装 |
|---|---|---|
| MAX8550EVKIT | 0°C至 +70°C | 28引脚薄QFN 5mmx5mm |
若要评估MAX8550A或MAX8551,可在订购MAX8550评估套件时申请免费样品。
五、快速启动步骤
- 确保在跳线JU1的1 - 4引脚之间放置分流器,以启用OVP和UVP。
- 确保在跳线JU2的1 - 2引脚之间放置分流器,将开关频率设置为约600kHz。
- 确保在跳线JU3的1 - 2引脚之间放置分流器,启用低噪声PWM模式。
- 确保在跳线JU4的2 - 3引脚之间放置分流器,禁用VDDQ降压输出。
- 确保在跳线JU5的1 - 2引脚之间放置分流器,启用VTT和VTTR输出。
- 确保在跳线JU6的2 - 3引脚之间放置分流器,将电路板设置为正常运行模式。
- 将5VDC电源连接到VDD焊盘和最靠近VIN的PGND焊盘。
- 将12VDC电源连接到VIN焊盘和相应的PGND焊盘。
- 打开两个电源。
- 设置JU4(1 - 2),开启VDDQ。
- 使用一个数字电压表(DVM),验证VDDQ和PGND焊盘之间的VDDQ电压为2.5V(±2%)。
- 使用另一个DVM,验证VTT和PGND焊盘之间的VTT电压为1.25V(±2%)。
六、跳线选择
不同的跳线位置可实现不同的功能,以下是部分跳线的详细说明:
OVP/UVP控制输入(JU1)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 放置 | 禁用OVP和UVP |
| 1 - 3 | 放置 | 启用UVP,禁用OVP |
| 1 - 4(默认) | 放置 | 启用OVP和UVP |
| 打开 | 无 | 启用OVP,禁用UVP |
导通时间选择输入(JU2)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2(默认) | 放置 | 600kHz开关频率 |
| 1 - 3 | 放置 | 450kHz开关频率 |
| 1 - 4 | 放置 | 200kHz开关频率 |
| 打开 | 无 | 300kHz开关频率 |
脉冲跳跃控制输入(JU3)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2(默认) | 放置 | 低噪声PWM模式 |
| 2 - 3 | 放置 | 仅在评估MAX8551时使用此位置 |
关断控制输入A(JU4)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 放置 | 启用VDDQ降压输出 |
| 2 - 3(默认) | 放置 | 关闭VDDQ降压输出 |
关断控制输入B(JU5)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2(默认) | 放置 | 启用VTT和VTTR输出 |
| 2 - 3 | 放置 | 关闭VTT和VTTR输出 |
待机控制输入(JU6)
| 跳线位置 | 分流器 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 放置 | 关闭VTT输出 |
| 2 - 3(默认) | 放置 | 正常运行 |
七、设置降压调节器输出电压(VDDQ)
对于DDR内存应用,MAX8550评估套件上的降压调节器输出电压预设为2.5V。若要将输出电压引脚固定为1.8V,可按以下步骤操作:
- 移除R9。
- 将步骤1中的0Ω电阻焊接到R7位置。如需优化性能,可参考MAX8550/MAX8551数据手册更改外部元件。
八、低侧MOSFET缓冲电路(降压)
快速开关转换会因开关LX节点处的寄生电感和电容形成的谐振电路而产生振铃,这可能会干扰电路性能并产生EMI。为了抑制这种振铃,在低侧开关两端添加了可选的串联RC缓冲电路。以下是选择缓冲电路串联RC值的简单步骤:
- 将示波器探头连接到MAX8550评估套件原理图上标记的LX节点,观察振铃频率fR。
- 通过找到一个电容值(当从LX连接到PGND1时,该电容值可使振铃频率降低一半)来估算LX处的电路寄生电容(CPAR),CPAR可近似为找到的电容值的1/3。
- 根据公式[L{PAR}=frac{1}{left(2 pi × f{R}right)^{2} × C_{PAR}}]估算电路寄生电感(LPAR)。
- 根据公式[R12 =2 pi × fR × L_{PAR}]计算用于临界阻尼的R12值。可根据需要调整电阻值以实现所需的阻尼和峰值电压偏移。
- 电容C15的值应至少为CPAR的2至4倍,以确保有效。
缓冲电路的功率损耗(PWR_SNUB)会在电阻中耗散,可根据公式[PWRSNUB =C 15 × VIN^{2} × f{SW}]计算,其中VIN为输入电压,fSW为开关频率。应根据上述公式计算的功率耗散和特定应用的降额规则选择R12的功率额定值。该评估套件推荐的缓冲值为3Ω(R12)和2.2nF(C15)。
综上所述,MAX8550评估套件为工程师提供了一个全面的平台,用于评估MAX8550 DDR电源解决方案。通过合理设置跳线和元件,工程师可以灵活调整电源输出,满足不同应用的需求。你在使用类似评估套件时是否也遇到过一些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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