功率MOSFET——NVTFS6H888N：为紧凑型设计带来高效解决方案

在电子设计领域，功率MOSFET作为关键元件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一款具有出色性能的单N沟道功率MOSFET——NVTFS6H888N。

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产品概述

NVTFS6H888N是一款耐压80V、导通电阻低至55 mΩ、连续漏极电流可达13A的单N沟道功率MOSFET。它具有诸多突出特点，非常适合各种紧凑型设计应用。

产品特点

1. 小尺寸设计：采用3.3 x 3.3 mm的小封装尺寸，为紧凑型设计提供了可能，有助于节省电路板空间。
2. 低导通电阻：低RDS(on)能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
3. 低电容特性：低电容可以减少驱动损耗，进一步提升系统的整体性能。
4. 可焊侧翼产品：NVTFS6H888NWF带有可焊侧翼，方便焊接和检测。
5. 汽车级认证：通过AEC - Q101认证，具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
6. 环保合规：该器件无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

关键参数与性能

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	80	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	12	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	8.3	A
功率耗散（TC = 25°C）	PD	18	W
功率耗散（TC = 100°C）	PD	9.2	W
脉冲漏极电流（TA = 25°C，tp = 10 s）	IDM	47	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	IS	15	A
单脉冲漏源雪崩能量（IL(pk) = 0.6 A）	EAS	47	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8″，10 s）	TL	260	°C

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到外壳热阻（稳态）	RJC	8.2	°C/W
结到环境热阻（稳态）	RJA	51.5	°C/W

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：在VGS = 0 V，ID = 250 μA的条件下，最小值为80 V。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在VGS = 0 V，TJ = 25°C，VDS = 80 V时，最大值为10 μA；在TJ = 125°C时，最大值为250 μA。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：在VDS = 0 V，VGS = 20 V时，最大值为100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（VGS(TH)）：在VGS = VDS，ID = 15 A的条件下，最小值为2.0 V，最大值为4.0 V。
• 漏源导通电阻（RDS(on)）：在VGS = 10 V，ID = 5 A时，典型值为45.7 mΩ，最大值为55 mΩ。
• 正向跨导（gFS）：在VDS = 15 V，ID = 10 A时，典型值为18.5 S。

电荷和电容特性

• 输入电容（Ciss）：在VGS = 0 V，f = 1.0 MHz，VDS = 40 V时，典型值为220 pF。
• 输出电容（Coss）：典型值为35 pF。
• 反向传输电容（Crss）：典型值为3.0 pF。
• 阈值栅极电荷（QG(TH)）：在VGS = 10 V，VDS = 40 V，ID = 10 A时，典型值为1.0 nC。
• 栅源电荷（QGS）：典型值为1.7 nC。
• 栅漏电荷（QGD）：典型值为0.9 nC。
• 总栅极电荷（QG(TOT)）：在VGS = 10 V，VDS = 40 V，ID = 10 A时，典型值为4.7 nC。

开关特性

在VGS = 10 V，VDS = 64 V，ID = 10 A的条件下：

• 开启延迟时间（td(on)）：典型值为7.0 ns。
• 上升时间（tr）：典型值为15 ns。
• 关断延迟时间（td(off)）：典型值为11 ns。
• 下降时间（tf）：典型值为11 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压（VSD）：在VGs = 0V，Is = 5A，TJ = 25°C时，典型值为0.85 V，最大值为1.2 V；在TJ = 125°C时，典型值为0.73 V。
• 反向恢复时间（tRR）：在VGs = 0 V，dIs/dt = 100 A/μs，Is = 10A时，典型值为25 ns。
• 充电时间（ta）：典型值为18 ns。
• 放电时间（to）：典型值为6.0 ns。
• 反向恢复电荷（QRR）：典型值为17 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、IPEAK与雪崩时间关系以及热特性等。这些曲线有助于工程师更直观地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现。

订购信息

器件型号	标记	封装	包装数量
NVTFS6H888NTAG	888N	WDFN8 3.3x3.3, 0.65P (无铅)	1500 / 卷带包装
NVTFS6H888NWFTAG	88NW	WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P (全切割8FL WF) (无铅，可焊侧翼)	1500 / 卷带包装

机械尺寸与封装

文档详细给出了WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（CASE 511AB）和WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P（Full - Cut 8FL WF）（CASE 515AN）两种封装的机械尺寸图和具体尺寸参数，包括各引脚的位置和尺寸公差等信息，方便工程师进行电路板设计和焊接。

总结

NVTFS6H888N凭借其小尺寸、低导通电阻、低电容等优势，为电子工程师在紧凑型设计中提供了一个高效、可靠的功率MOSFET解决方案。无论是在汽车电子、工业控制还是其他对空间和效率要求较高的应用场景中，它都能发挥出色的性能。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，结合文档中的各项参数和特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现系统的最佳性能。

大家在使用NVTFS6H888N的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。