深入解析 onsemi NVTFS6H860N N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它直接影响着电路的性能和效率。今天，我们就来深入探讨 onsemi 出品的 NVTFS6H860N 这款 N 沟道功率 MOSFET。

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产品概述

NVTFS6H860N 是 onsemi 推出的一款单 N 沟道功率 MOSFET，具有 80V 的耐压、21.1mΩ 的导通电阻以及 33A 的电流承载能力。其采用了 3.3 x 3.3mm 的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。

产品特性

尺寸与设计优势

它的小尺寸封装（3.3 x 3.3mm）为紧凑型设计提供了可能，在一些对空间要求较高的应用中，如便携式设备、小型电源模块等，能够有效节省电路板空间。

低损耗特性

• 低导通电阻：低 (R_{DS(on)}) 可以最大程度地减少导通损耗，提高电路的效率。这意味着在相同的电流下，MOSFET 自身的发热会更小，减少了散热设计的难度和成本。
• 低电容：低电容特性则有助于降低驱动损耗，使得驱动电路更加高效。这对于高频应用场景尤为重要，能够减少开关过程中的能量损耗。

质量与合规性

该产品有 NVTFS6H860NWF 可焊侧翼版本，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备 PPAP 能力。同时，它是无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	(I_D)	30	A
连续漏极电流（(T_C = 100^{circ}C)）	(I_D)	21	A
功率耗散（(T_C = 25^{circ}C)）	(P_D)	46	W
功率耗散（(T_C = 100^{circ}C)）	(P_D)	23	W
脉冲漏极电流（(T_A = 25^{circ}C)，(t_p = 10mu s)）	(I_{DM})	119	A
工作结温和存储温度范围	(TJ)，(T{stg})	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_S)	38	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 1.5A)）	(E_{AS})	138	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″，10s）	(T_L)	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 时为 80V。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(TJ = 25^{circ}C)，(V{DS} = 80V) 时为 10(mu A)；在 (T_J = 125^{circ}C) 时为 250(mu A)。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = 20V) 时为 100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 30A) 时为 2.0 - 4.0V。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 5A) 时为 17.3 - 21.1mΩ。
• 正向跨导：(g{FS}) 在 (V{DS} = 15V)，(I_D = 10A) 时为 41S。

电荷与电容特性

• 输入电容：(C{iss}) 在 (V{GS} = 0V)，(f = 1.0MHz)，(V_{DS} = 40V) 时为 510pF。
• 输出电容：(C_{oss}) 为 78pF。
• 反向传输电容：(C_{rss}) 为 4.2pF。
• 阈值栅极电荷：(Q{G(TH)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 时为 1.8nC。
• 栅源电荷：(Q_{GS}) 为 2.8nC。
• 栅漏电荷：(Q_{GD}) 为 1.6nC。
• 总栅极电荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 时为 8.7nC。

开关特性

• 导通延迟时间：(t_{d(on)}) 为 8.0ns。
• 上升时间：(t_r) 为 14ns。
• 关断延迟时间：(t_{d(off)}) 为 18ns。
• 下降时间：(t_f) 为 5.0ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{SD}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 5A)，(T_J = 25^{circ}C) 时为 0.8 - 1.2V；在 (T_J = 125^{circ}C) 时为 0.7V。
• 反向恢复时间：(t_{RR}) 为 29ns。
• 充电时间：(t_a) 为 20ns。
• 放电时间：(t_b) 为 9.0ns。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR}) 为 24nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线直观地展示了该 MOSFET 在不同条件下的性能表现。例如，通过“导通区域特性曲线”可以了解到在不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系；“转移特性曲线”则展示了不同结温下，漏极电流与栅源电压的变化情况。这些曲线对于工程师在设计电路时，准确把握 MOSFET 的性能和工作范围非常有帮助。

封装与订购信息

封装尺寸

该产品有 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（CASE 511AB）和 WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P（Full - Cut 8FL WF，CASE 515AN）两种封装形式，并详细给出了封装的尺寸参数，包括长、宽、高以及引脚间距等信息，方便工程师进行 PCB 设计。

订购信息

目前可订购的型号为 NVTFS6H860NTAG，标记为 860N，采用 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（无铅）封装，每盘 1500 个，采用卷带包装。不过需要注意的是，部分型号已停产，在选择时需要仔细确认。

总结

onsemi 的 NVTFS6H860N N 沟道功率 MOSFET 凭借其小尺寸、低损耗等特性，在电子设计中具有很大的优势。但在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，结合其各项参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过类似 MOSFET 的应用难题呢？欢迎在评论区分享交流。