东芯半导体荣膺2026中国IC设计成就奖之年度存储器

2026 年 3 月 31 日，由 Aspencore 主办的2026 国际集成电路展览会暨研讨会（IIC SHANGHAI）在上海浦东丽思卡尔顿酒店盛大开幕。展会聚焦AI 芯片、汽车电子、工业控制、通信系统、绿色能源等关键应用场景，汇聚全球IC 设计、EDA 工具、IP 授权、先进封装等领域的顶尖企业与专家，打造贯通芯片设计制造、能源技术革新、产品商业化落地的超级产业连接器。

东芯半导体作为国内领先的 Fabless 存储芯片设计企业很荣幸携最新技术成果与战略布局重磅亮相活动现场。

01年度存储器

3月31日晚， 很荣幸我们的55nm 1.8V 512Mb SPI NOR Flash（DS25M4CB-16A1B8）产品在2026中国IC设计成就奖颁奖典礼上荣膺“2026中国IC设计成就奖之年度存储器”，并进入由ASPENCORE发布的《China Fabless 100》榜单- -Top 10存储器公司榜单之中。

该款产品在性能上，采用1.8V供电，功耗更低，适合电池供电及对功耗敏感的可穿戴、移动终端等应用。工作温度为-40°C~125°C，覆盖工业级乃至车规级温度范围。

02IC领袖峰会

3.31 上午，东芯半导体副总经理潘惠忠以《向内深耕，向外探索：构建自主可控的存储生态共同体》为题，分为三个板块，与在场听众展示了东芯半导体在中小容量 NAND/NOR/DRAM 领域的深厚积累及未来布局。

现场让我们简单来回顾一下！

01市场洞察：存储产业迎来爆发式增长

演讲伊始，潘惠忠先生深入分析了全球及中国存储市场的强劲态势。数据显示，随着全球数据量的爆炸式增长，包含 DRAM 内存和 NAND 闪存的整体存储产业在 2026 年有望实现5500 亿美元左右的产值，同比增幅高达 134%。

在中国市场，半导体存储器规模逐年攀升，2025年达到4580 亿元左右。这一增长主要得益于消费电子、智能汽车和网通电子等的多元化需求。特别是嵌入式存储，占据了全球存储器主要产品类别的 42.7%，成为市场增长的压舱石。东芯半导体指出，在 AI 大模型落地与自动驾驶升级的双重驱动下，高性能、高可靠性的存储芯片将成为关键技术支柱。

02向内深耕：六大产品线构筑核心壁垒

作为拥有独立自主知识产权的 Fabless 企业，东芯半导体坚持“技术驱动发展”，目前已构建起完善的六大产品结构，涵盖 SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、SPI NOR Flash、DDR3(L)、LPDDR1/2/4X 以及 MCP。

•先进制程：东芯的1xnm NAND Flash和48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程。

•低功耗设计：DRAM产品实现低工作电压，适配移动及穿戴设备。

•高可靠性：针对工业及车规级应用，公司部分产品可实现-40°C~105°C/125°C宽温。

公司建立了“研发 - 转化 - 创新”的技术发展循环，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系，实现了从设计到产业化的一站式解决方案。

03向外探索：优化布局，共建技术生态

公司持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制等关键应用，并逐步向汽车电子领域不断拓展，立足头部客户并不断开拓新的客户。

本次演讲中的一大亮点是东芯半导体在汽车电子领域的加速优化。公司正从工业级向车规级不断升级，SLC NAND Flash以及NOR Flash 等产品陆续通过AEC-Q100 1/2验证，适用于 -40°C~105°C/125°C 的严苛环境。

目前，东芯半导体已完成国内多家整车厂的白名单导入，产品已应用于通信与远程控制、座舱域控、ADAS已经车身等关键场景，并在多款车型中实现量产。

同时，围绕“存储”核心业务，东芯半导体积极构建“存、算、联”技术生态。通过设立子公司上海亿芯通感，持续推进 Wi-Fi 7 无线通信芯片研发。以及对外投资砺算科技，该公司致力于研发多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片，其首款自研 GPU 芯片"7G100"已于 2025 年流片成功。

这一布局致力于为客户提供了从存储、计算到连接的更多样化的芯片解决方案，助力人工智能、万物互联时代的产业升级。

东芯，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案！

关于东芯

东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术，专业的技术服务实力，通过国内外技术引进和合作，致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。