2SJ661 P-Channel Power MOSFET：特性、参数与应用指南

引言

在电子设计领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。今天要介绍的是ON Semiconductor的2SJ661 P - Channel Power MOSFET，它具有出色的性能和多种封装形式，能满足不同的设计需求。

文件下载：EN8586-D.PDF

产品概述

2SJ661是一款P - Channel功率MOSFET，其额定电压为 - 60V，额定电流为 - 38A，导通电阻低至39mΩ，提供TO - 262 - 3L和TO - 263 - 2L两种封装形式。该产品适用于需要高效功率转换和控制的应用场景。

特性亮点

• 低导通电阻：在4V驱动下，典型导通电阻 (R_{DS(on)} = 29.5mΩ)，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，能有效提高电路效率。
• 高电流能力：连续漏极电流（DC）可达 - 38A，脉冲漏极电流（PW ≤ 10μs，占空比 ≤ 1%）可达 - 152A，能够满足大电流应用的需求。

规格参数

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	(V_{DSS})		- 60	V
栅源电压	(V_{GSS})		±20	V
漏极电流（DC）	(I_{D})		- 38	A
漏极电流（脉冲）	(I_{DP})	PW ≤ 10μs，占空比 ≤ 1%	- 152	A
允许功率耗散	(P_{D})		1.65	W
(T_{c}=25^{circ}C)		65	W
沟道温度	(T_{ch})		150	°C
存储温度	(T_{stg})		- 55 至 + 150	°C
雪崩能量（单脉冲）	(E_{AS})	(V{DD}=-30V)，(L = 200μH)，(I{AV}=-38A)	250	mJ
雪崩电流	(I_{AV})	(L ≤ 200μH)，单脉冲	- 38	A

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	(V_{(BR)DSS})	(I{D}=-1mA)，(V{GS}=0V)	- 60			V
零栅压漏极电流	(I_{DSS})	(V{DS}=-60V)，(V{GS}=0V)			- 1	μA
栅源泄漏电流	(I_{GSS})	(V{GS}=±16V)，(V{DS}=0V)			±10	μA
截止电压	(V_{GS(off)})	(V{DS}=-10V)，(I{D}=-1mA)	- 1.2		- 2.6	V
正向传输导纳	(vert y_{fs}vert)	(V{DS}=-10V)，(I{D}=-19A)	18	31		S
静态漏源导通电阻1	(R_{DS(on)1})	(I{D}=-19A)，(V{GS}=-10V)	29.5		39	mΩ
静态漏源导通电阻2	(R_{DS(on)2})	(I{D}=-19A)，(V{GS}=-4V)	40		56	mΩ
输入电容	(C_{iss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		4360		pF
输出电容	(C_{oss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		470		pF
反向传输电容	(C_{rss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		335		pF
开通延迟时间	(t_{d(on)})			33		ns
上升时间	(t_{r})			285		ns
关断延迟时间	(t_{d(off)})			295		ns
下降时间	(t_{f})			195		ns
总栅极电荷	(Q_{g})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		80		nC
栅源电荷	(Q_{gs})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		15		nC
栅漏“米勒”电荷	(Q_{gd})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		12		nC
二极管正向电压	(V_{SD})	(I{S}=-38A)，(V{GS}=0V)	- 1.0		- 1.2	V

封装信息

TO - 262 - 3L封装

• 最小包装数量：50pcs/杂志
• 标记：J661、LOT No.

  TO - 263 - 2L封装

• 最小包装数量：800pcs/卷轴
• 包装类型：DL

应用注意事项

由于2SJ661是MOSFET产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以免受到静电等因素的影响，导致元件损坏。

同时，需要注意的是，最大额定值仅为应力额定值，超过推荐工作条件的长时间使用可能会影响器件的可靠性。在实际应用中，所有工作参数（包括“典型值”）都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

总结

2SJ661 P - Channel Power MOSFET以其低导通电阻、高电流能力和多种封装形式，为电子工程师在设计电源管理、电机驱动等电路时提供了一个可靠的选择。在使用过程中，我们需要充分了解其规格参数和应用注意事项，以确保电路的稳定运行。你在使用MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。