ECH8660 Power MOSFET：高性能互补双MOSFET的技术解析

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为关键的电子元件，广泛应用于各类电路中。今天，我们将深入探讨 ON Semiconductor 推出的 ECH8660 Power MOSFET，它是一款具有高性能的互补双 MOSFET，为电子工程师提供了更多的设计选择。

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1. 产品概述

ECH8660 集成了一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET，具备低导通电阻和高速开关特性，这使得它非常适合高密度安装的应用场景。同时，它支持 4V 驱动，并且符合无卤标准。

2. 产品规格

2.1 绝对最大额定值

在 $Ta = 25^{circ}C$ 的条件下，ECH8660 的各项绝对最大额定值如下：	参数	符号	条件	N 沟道	P 沟道	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	-	30	- 30	V
栅源电压	$V_{GSS}$	-	±20	±20	V
漏极电流（直流）	$I_{D}$	-	4.5	- 4.5	A
漏极电流（脉冲）	$I_{DP}$	$PWleq10mu s$，占空比 $leq1%$	30	- 30	A
允许功耗	$P_{D}$	安装在陶瓷基板（$1200mm^2×0.8mm$）上，1 单元	1.3	-	W
总功耗	$P_{T}$	安装在陶瓷基板（$1200mm^2×0.8mm$）上	1.5	-	W
沟道温度	$T_{ch}$	-	150	-	$^{circ}C$
存储温度	$T_{stg}$	-	- 55 至 +150	-	$^{circ}C$

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏器件，并且在推荐工作条件以上的功能操作并不意味着能正常工作，长时间暴露在推荐工作条件以上的应力下可能会影响器件的可靠性。

2.2 电气特性

ECH8660 的电气特性涵盖了多个方面，以下是 N 沟道和 P 沟道的部分关键参数：

N 沟道

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	$V_{(BR)DSS}$	$I{D}=1mA$，$V{GS}=0V$	30	-	-	V
零栅压漏极电流	$I_{DSS}$	$V{DS}=30V$，$V{GS}=0V$	-	-	-	$mu A$
栅源泄漏电流	$I_{GSS}$	$V{GS}=±16V$，$V{DS}=0V$	±10	-	-	$mu A$
截止电压	$V_{GS(off)}$	$V{DS}=10V$，$I{D}=1mA$	1.2	2.6	-	V
正向传输导纳	$vert y_{fs}vert$	$V{DS}=10V$，$I{D}=2A$	1.66	-	-	S
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)1}$	$I{D}=2A$，$V{GS}=10V$	45	59	-	$mOmega$
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)2}$	$I{D}=1A$，$V{GS}=4.5V$	85	119	-	$mOmega$
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)3}$	$I{D}=1A$，$V{GS}=4V$	110	155	240	$mOmega$
输入电容	$C_{iss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	-	-	pF
输出电容	$C_{oss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	45	-	pF
反向传输电容	$C_{rss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	30	-	pF
导通延迟时间	$t_{d(on)}$	见指定测试电路	6.2	-	-	ns
上升时间	$t_{r}$	见指定测试电路	11	-	-	ns
关断延迟时间	$t_{d(off)}$	见指定测试电路	17	-	-	ns
下降时间	$t_{f}$	见指定测试电路	7.5	-	-	ns
总栅极电荷	$Q_{g}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	4.4	-	-	nC
栅源电荷	$Q_{gs}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	1.1	-	-	nC
栅漏“米勒”电荷	$Q_{gd}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	0.64	-	-	nC
二极管正向电压	$V_{SD}$	$I{S}=4.5A$，$V{GS}=0V$	0.84	-	1.2	V

P 沟道

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	$V_{(BR)DSS}$	$I{D}= - 1mA$，$V{GS}=0V$	- 30	-	-	V
零栅压漏极电流	$I_{DSS}$	$V{DS}= - 30V$，$V{GS}=0V$	-	-	-	$mu A$
栅源泄漏电流	$I_{GSS}$	$V{GS}=±16V$，$V{DS}=0V$	±10	-	-	$mu A$
截止电压	$V_{GS(off)}$	$V{DS}= - 10V$，$I{D}= - 1mA$	- 1.2	- 2.3	-	V
正向传输导纳	$vert y_{fs}vert$	$V{DS}= - 10V$，$I{D}= - 2A$	2.5	4.2	-	S
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)1}$	$I{D}= - 2A$，$V{GS}= - 10V$	45	59	-	$mOmega$
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)2}$	$I{D}= - 1A$，$V{GS}= - 4.5V$	71	100	-	$mOmega$
静态漏源导通电阻	$R_{DS(on)3}$	$I{D}= - 1A$，$V{GS}= - 4V$	82	115	-	$mOmega$
输入电容	$C_{iss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	-	430	pF
输出电容	$C_{oss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	105	-	pF
反向传输电容	$C_{rss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	75	-	pF
导通延迟时间	$t_{d(on)}$	见指定测试电路	7.5	-	-	ns
上升时间	$t_{r}$	见指定测试电路	26	-	-	ns
关断延迟时间	$t_{d(off)}$	见指定测试电路	45	-	-	ns
下降时间	$t_{f}$	见指定测试电路	35	-	-	ns
总栅极电荷	$Q_{g}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	10	-	-	nC
栅源电荷	$Q_{gs}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	2.0	-	-	nC
栅漏“米勒”电荷	$Q_{gd}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	2.5	-	-	nC
二极管正向电压	$V_{SD}$	$I{S}= - 4.5A$，$V{GS}=0V$	- 0.85	-	- 1.2	V

这些电气特性为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，例如在选择合适的驱动电压、评估开关速度等方面都具有重要意义。大家在实际应用中，是否会根据这些参数来优化电路设计呢？

3. 封装与包装信息

3.1 封装

ECH8660 采用 ECH8 封装，符合 JEITA、JEDEC 标准。其封装尺寸如下（单位：mm，典型值）： （此处可插入封装尺寸的相关图片，由于文本形式限制，无法直接展示）

3.2 包装

最小包装数量为 3000 件/卷，包装类型为 TL。包装格式包括载带、内盒和外盒，具体信息如下：	包装名称	载带容纳器件数量（pcs）	最大包装数量	包装格式
ECH8	CPH6	3000/15000/90000	5 卷装于内盒，6 个内盒装于外盒
内盒尺寸（mm，外部）	183×72×185	-	-
外盒尺寸（mm，外部）	440×195×210	-	-

同时，载带尺寸和器件放置方向也有明确规定，这些信息对于产品的存储和运输都非常重要。

4. 使用注意事项

由于 ECH8660 是 MOSFET 产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以免对器件造成损坏。

此外，ON Semiconductor 对产品的知识产权、产品变更、保修等方面也有相关说明。例如，公司保留对产品进行更改的权利，并且不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，客户需要对所有操作参数进行验证。同时，该产品不适合用于外科植入人体、支持或维持生命等应用场景。

5. 总结

ECH8660 Power MOSFET 凭借其低导通电阻、高速开关特性和无卤设计，为电子工程师在高密度安装的电路设计中提供了一个优秀的选择。通过对其规格参数、封装包装信息以及使用注意事项的了解，工程师可以更好地将其应用到实际项目中。在实际设计过程中，大家是否还遇到过其他 MOSFET 应用的问题呢？欢迎在评论区分享交流。