MemoryS 2026｜江波龙首发SPU及iSA，端侧AI存储创新布局八大看点分享-电子发烧友网

2026年3月27日，CFM | MemoryS 2026在深圳盛大启幕，全球存储产业链精英齐聚，共探AI时代存储产业的变革与未来。

江波龙董事长、总经理蔡华波受邀出席并发表《集成存储探索端侧AI》主旨演讲，立足行业发展趋势与江波龙创新积淀，从定位、模式、产品、技术等多维度，全面分享公司对端侧AI存储的核心理解与综合创新成果，为端侧AI存储产业带来全新的发展路径。

AI分层存储需求

构建端侧全场景存储应用

演讲开篇从AI产业分层发展格局出发，清晰划分云端与端侧AI的存储服务核心差异：云端AI聚焦面向GPU的专业化存储服务，而端侧AI则围绕高性能容量、SiP系统级集成封装、定制化服务三大核心需求展开，其对存储的要求与过往标准存储生态存在本质区别。正如消费级GPU与AI专用GPU分属截然不同的体系，前者依托通用芯片生态，后者面向完整AI系统产品打造，端侧AI同样需要深度集成的定制化存储方案，而非通用标准存储产品。基于这一精准定位，江波龙聚焦端侧AI集成存储解决方案，精准匹配AI手机、AI辅助驾驶、AI穿戴、AI PC、具身机器人等多元场景，为端侧AI存储创新锚定清晰的场景导向，与云端AI存储形成优势互补。

端侧AI存储产品Foundry模式

针对端侧AI存储多样化、定制化需求，江波龙已构建起端侧AI存储全链路定制服务Foundry模式，突破传统存储单一升级瓶颈，实现全方位综合提升。该模式覆盖芯片设计、硬件设计、固件软件、封装工艺、工业设计、自动化测试、材料工程、生产制造等全产业链核心环节，通过各环节深度协同、技术整合与能力开放，实现存储产品从设计到交付的全链路定制化与高效化，为端侧AI存储产业发展提供全新模式参考，也是江波龙布局端侧AI存储的核心策略。

锚定材料散热综合工程能力

端侧AI存储的发展高度依托材料工程能力，其中散热材料更是核心技术挑战，考验综合能力。从技术路线来看，嵌入式存储从eMMC迭代到UFS 5.0，SSD从SATA演进至PCIe 5.0，它们的核心升级方向都指向三点：读写性能更快、单颗容量更大、封装尺寸更小。而要实现这三大升级，离不开四大关键材料综合工程的创新支持：

封装散热材料：满足UFS、SSD高速存储产品的散热需求；

封装工艺材料：保障SiP产品的工艺性能与可靠性；

数据保护材料：确保产品在X射线及其他辐射环境下数据稳定不丢失；

结构外壳材料：采用三防及抗电磁干扰设计，全方位夯实端侧AI存储的材料基础。

PCIe Gen5 mSSD

新一代高速存储介质

正是在这样的技术方向与底层能力支撑下，继2025年推出PCIe Gen4 mSSD之后，江波龙带来新一代高速存储介质——PCIe Gen5 mSSD。产品保持DRAM-less与20×30mm超小尺寸设计，且兼容M.2 2230规格，并可灵活拓展衍生为M.2 2242/2280、AI/固态存储卡、PSSD等多形态规格，客户无需更改原有设计即可直接兼容，灵活实现多形态、高性能、大容量的全方位创新。同时，PCIe Gen5 mSSD搭载联芸1802主控芯片，并带来了全方位升级：顺序读写性能最高可达11GB/s、10GB/s，随机读写性能最高可达2200K、1800K IOPS，单盘容量最高支持8TB，其特性精准适配AI PC等端侧AI设备对高速、大容量的存储需求。

PCIe Gen5 mSSD高效散热方案

保障端侧AI高性能持续输出

针对PCIe Gen5 mSSD小体积、高性能运行下的散热痛点，江波龙率先设计出专属高效散热方案，将VC相变液冷散热应用在mSSD上，实现芯片热量的快速传导与高效散出。该方案集成均热器+TIM1导热胶、石墨烯散热片、VC均热板、铝合金散热拓展卡等多重散热组件，实测数据展现出显著优势：相较于普通散热方案，江波龙PCIe Gen5 mSSD的高效散热方案将11GB/s峰值性能维持时间提升至181秒，连续读取容量可达1991GB，是常规PCBA SSD散热方案的近2.5倍。该方案专为AI PC KV Cache高负载场景设计，可实现Gen5高性能实时吞吐，同时兼容AI PC超薄机身，兼顾高性能与设备形态要求。

SPU存储处理器+iSA存储智能体

大幅突破端侧AI模型运行瓶颈

本次峰会上，江波龙重磅推出SPU（Storage Processing Unit，存储处理单元）与iSA（Intelligence Storage Agent，存储智能体），构建起“芯片硬件+智能调度”的端侧AI存储软硬件协同技术闭环。与常规SSD主控芯片不同，SPU是面向智能存储架构打造的专用处理单元，芯片基于5nm先进制程工艺打造，单盘最大容量达128TB，当前主流cSSD 容量最大仅至8TB，而大容量eSSD方案成本较高，SPU则有效平衡了容量与成本难题，可高效益替代HDD，为客户探索eSSD方案提供了新可能，同时有望显著降低整体拥有成本。SPU核心具备存内无损压缩、HLC（High Level Cache）高级缓存技术两大关键能力，存内无损压缩平均压缩比达2:1，实测覆盖文本/代码/数据库等多类数据，大幅节省SSD容量和成本；还能通过HLC技术实现温冷数据下沉至SSD，节省近40% DRAM容量需求。

作为SPU的大脑，iSA存储智能体是面向端侧AI推理的智能调度引擎。针对MoE大模型参数庞大、KV Cache膨胀快、I/O延迟影响推理流畅度等问题，通过MoE专家卸载、KV Cache智能管理与智能预取算法，高效解决端侧AI推理的存储调度难题。江波龙与AMD基于锐龙AI Max+ 395处理器的智能体主机开展联合调优，实现397B超大模型本地部署，在256K超长上下文（122B）场景下，将DRAM占用降低近40%，为超大模型本地化高效部署与规模化应用提供了创新的实践方案。未来，双方将充分发挥各自技术与生态优势，持续深化在智能体领域的协同创新。

HLC技术全端侧落地

实现DRAM降容与成本优化

江波龙将HLC高级缓存技术与SPU、UFS深度集成，实现AI PC端+嵌入式端全端侧场景落地，有效解决端侧设备“性能与成本平衡”难题。在AI PC端，HLC技术依托SPU实现分层设计，性能层打造AI专用高速缓存区，实现大模型专家 / 键值对卸载，存储层负责操作系统与通用数据存储，通过高优先级读写、低优先级I/O调度，在优化AI体验的同时降低终端DRAM容量需求和成本。

在嵌入式端，江波龙与紫光展锐联合开发，搭载紫光展锐芯片平台实测，4GB DDR搭配HLC技术后，20款App启动响应时间仅851ms，接近6GB/8GB DDR正常配置水平，且江波龙搭载14nm制程工艺WM7200主控的UFS 2.2产品，顺序读写最高可达1070MB/s、1000MB/s，随机读写IOPS分别最高可达240K、210K，超过行业主流水平，在保障流畅体验和器件使用寿命的前提下，有效降低终端DRAM容量需求、优化BOM成本。

端侧AI SiP技术

发挥中国工程师和供应链优势

江波龙依托中国工程师自研优势，完成SiP（System in Package，系统级封装）全流程设计，可将SoC、eMMC/UFS、LPDDR、WiFi、Bluetooth、NFC等多类芯片集成于一颗封装内。针对AI 眼镜、智能手表、POS机等对空间体积、机身轻薄度、散热控制有着严苛要求的终端产品，这一方案能够显著缩小硬件尺寸、优化结构布局及散热表现，是极具竞争力的优选解决方案。结合本土供应链核心能力，有效释放端侧AI产品空间，同时将 SiP 技术优势转化为海外制造端的实际价值，大幅降低海外制造难度，适配全球不同市场的产品需求。

此次峰会，以八大核心看点完整呈现了江波龙在端侧AI存储领域的全维度布局。从精准定位到模式创新，从综合材料工程到产品升级，从技术闭环到场景落地，再到本土优势与全球运营能力的融合，江波龙以“集成存储”为核心，构建起端侧AI存储的完整解决方案。未来，江波龙将秉持“Everything for Memory”的理念，持续深耕存储领域，以技术创新为核心驱动力，与全球产业链伙伴携手，共同推动端侧AI产业创新发展。