Onsemi FCH072N60 MOSFET：高效AC/DC转换的理想之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着电源转换系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下Onsemi推出的FCH072N60 MOSFET，看看它在AC/DC功率转换中能带来怎样的表现。

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产品概述

FCH072N60属于Onsemi的SUPERFET II系列，这是全新的高压超结（SJ）MOSFET家族。该系列采用了电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术不仅能有效降低传导损耗，还能提供卓越的开关性能，同时可承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合各种AC/DC功率转换应用，有助于实现系统的小型化和更高的效率。

产品特性

低导通电阻

典型的RDS(on)为66 mΩ，在VGS = 10 V、ID = 26 A的条件下，能有效降低导通损耗，提高系统效率。

高耐压能力

在TJ = 150°C时，耐压可达650 V，能适应较高的电压环境，确保系统的稳定性。

超低栅极电荷

典型的Qg = 95 nC，可减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。

低有效输出电容

典型的Coss(eff.) = 421 pF，有助于降低开关损耗，提高系统的响应速度。

雪崩测试

经过100%雪崩测试，能承受较高的雪崩能量，增强了器件的可靠性。

环保设计

该器件为无铅产品，符合RoHS标准，满足环保要求。

应用领域

FCH072N60适用于多种电源供应场景，包括电信/服务器电源和工业电源等。在这些应用中，其高性能和可靠性能够为系统提供稳定的功率支持。

电气特性

绝对最大额定值

参数	数值
漏源电压VDSS	600 V
栅源电压VGSS（DC）	±20 V
栅源电压VGSS（AC，f > 1 Hz）	±30 V
连续漏极电流ID（TC = 25°C）	52 A
连续漏极电流ID（TC = 100°C）	33 A
脉冲漏极电流IDM	156 A
单脉冲雪崩能量EAS	1128 mJ
雪崩电流IAR	9.5 A
重复雪崩能量EAR	4.8 mJ
MOSFET dv/dt	100 V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	20 V/ns
功率耗散PD（TC = 25°C）	481 W
25°C以上降额	3.85 W/°C
工作和存储温度范围TJ, TSTG	- 55 to + 150 °C
焊接时最大引线温度TL（距外壳1/8″，5秒）	300 °C

电气参数

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压BVDSS	ID = 10 mA, VGS = 0 V, TJ = 25°C	600	-	-	V
漏源击穿电压BVDSS	ID = 10 mA, VGS = 0 V, TJ = 150°C	650	-	-	V
零栅压漏极电流IDSS	VDS = 600 V, VGS = 0 V	-	-	1	μA
栅源阈值电压VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 μA	2.5	3.5	-	V
静态漏源导通电阻RDS(on)	VGS = 10 V, ID = 26 A	-	66	72	mΩ
正向跨导gFS	VDS = 20 V, ID = 26 A	48	-	-	S
输入电容Ciss	VDS = 380 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	4430	-	5890	pF
输出电容Coss	-	115	-	155	pF
反向传输电容Crss	-	-	4.43	-	pF
有效输出电容Coss(eff.)	VDS = 0 V to 480 V, VGS = 0 V	-	421	-	pF
总栅极电荷Qg(tot)	VDS = 380 V, ID = 26 A, VGS = 10 V	95	-	125	nC
栅源栅极电荷Qgs	-	-	21	-	nC
栅漏“米勒”电荷Qgd	-	24	-	-	nC
等效串联电阻ESR	f = 1 MHz	0.93	-	-	Ω
导通延迟时间td(on)	VDD = 380 V, ID = 26 A, VGS = 10 V, Rg = 4.7 Ω	33	-	76	ns
导通上升时间tr	-	23	-	56	ns
关断延迟时间td(off)	-	97	-	204	ns
关断下降时间tf	-	-	3.5	17	ns
最大连续源漏二极管正向电流IS	-	-	52	A
最大脉冲漏源二极管正向电流ISM	-	-	-	156	A
漏源二极管正向电压VSD	VGS = 0 V, ISD = 26 A	-	1.2	-	V
反向恢复时间trr	VGS = 0 V, ISD = 26 A, dIF/dt = 100 A/μs	-	495	-	ns
反向恢复电荷Qrr	-	-	13	-	μC

封装与订购信息

FCH072N60采用TO - 247封装，包装方式为管装，每管30个。具体的订购和运输信息可参考数据手册第2页。

典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、Eoss随漏源电压的变化等。这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

机械尺寸

该器件采用TO - 247 - 3LD短引线封装（CASE 340CK），详细的机械尺寸信息可参考数据手册中的表格，所有尺寸单位为毫米。

总结

Onsemi的FCH072N60 MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在AC/DC功率转换设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，结合器件的电气特性和典型特性曲线，优化电路设计，提高系统的效率和稳定性。你在使用类似MOSFET器件时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。