北方华创发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体刻蚀设备NMC612H

近日，北方华创正式发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备——NMC612H。该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡盘及具备完全自主知识产权的温控算法，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级时代，标志着北方华创持续引领高端ICP刻蚀设备领域的发展方向，突破性技术优势可满足更先进节点的芯片制造要求，携手芯片制造商共同迎接AI时代的机遇与挑战。

全球算力与存储芯片需求的爆发，带动半导体设备市场持续增长。干法刻蚀作为半导体设备核心品类，市场份额超过20%，预计2026年全球市场规模将达到171亿美元。其中，ICP刻蚀设备占比60%，约103亿美元[1]，在芯片制造链条中占据不可或缺的地位。

[1] 信息来源：SEMI半导体制造设备市场规模(2024年12月)。

芯片制造中更精细的尺寸要求，带来了工艺步骤数量的成倍增加，芯片更小的关键尺寸(CD)与节距(Pitch)由多轮沉积和ICP刻蚀工艺协同定义，每一步的微小差异，都会被后续的环节指数级放大。

在此背景下，北方华创精研更先进节点刻蚀工艺的难点、痛点，打造出全新一代高端ICP刻蚀产品612H，该产品具备以下四大优势：

1.全新一代精准偏压控制(Pulsed DC Voltage，PDV)：实现电子伏特量级、窄能量分布的离子入射能量和离子方向的精确控制，满足更小线宽、更高深宽比结构的超高精度刻蚀需求。

2.量产级超百区精细控温静电卡盘：通过具备完全自主知识产权及全国产供应链的超百区独立控温静电卡盘，实现优于0.3°C的温度均匀性控制。

3.射频多态脉冲(MLP)及快速匹配算法成套解决方案：匹配时间由秒级降低至毫秒级，具备同步脉冲、异步脉冲以及三频同启等多种RF模式，实现对单步工艺配方等离子体成分和能量的精确调控。

4.原位原子层沉积(ALD)模块：具备同腔室内任意交替使用ALD沉积和刻蚀工艺能力，突破了传统刻蚀设备的功能局限，赋予产品更多更广的应用场景。

在实际工艺表现上，NMC612H不仅在ICP平台上实现了小尺寸开口下数百比一的高深宽比刻蚀能力，还将Patterning[2]刻蚀CD[3]均匀性控制在了1个硅原子直径范围内，真正实现了对刻蚀形貌的单原子层级精确控制，确保刻蚀工艺能力满足下一代高端芯片的规格需求。

[2] 图形化或图形转移: 指把掩膜版(mask)上的电路图形通过光刻、刻蚀等步骤转移到硅片上的全过程。

[3] 关键尺寸或临界线宽：CD值决定晶体管沟道长度、线宽精度，是衡量制程先进程度的核心指标之一。

除了硬件全面升级外，NMC612H还创新性配备了人工智能赋能的工艺配方优化及大数据分析平台(AI+RDF[4])，依托北方华创拥有自主知识产权的海量工艺数据库，让刻蚀工艺调试和机台数据诊断从工程师的经验主导升级为AI辅助+专家经验协同，有效加速问题定位、保障运行稳定性，为客户带来了整体运营效率的提升。

[4] RDF: Recipe Diagnosing Function。

依托在刻蚀领域25年的技术优势与应用经验，北方华创通过了各领域头部客户的严苛验证，累计客户端ICP装机超过8000腔，月度稳定量产12英寸产品超500万片。NMC612系列ICP刻蚀产品已深度嵌入国内各主流Fab产线，全面覆盖从成熟制程到更先进技术代的逻辑、存储、功率、传感等多元芯片制造场景，并在严苛的大规模量产环境中证明了其高稳定性、低缺陷、极佳均匀性的核心竞争优势。

在国际半导体产业格局加速变革的背景下，北方华创作为ICP刻蚀技术引领者，始终以“推动产业进步，创造无限可能”为使命，深度协同产业链上下游合作伙伴联合研发与创新，推动关键设备从“满足量产”走向“定义路线”，持续致力于设备与工艺的迭代升级，贡献AI时代的中国力量!