Microchip 47L04/47C04/47L16/47C16 EERAM芯片深度解析
在电子设计领域,可靠的数据存储和管理至关重要。Microchip的47L04/47C04/47L16/47C16 EERAM(Electrically Erasable Random Access Memory)芯片,凭借其独特的特性和功能,为工程师们提供了一种高效、稳定的数据存储解决方案。本文将对该系列芯片进行详细解析,帮助工程师们更好地了解和应用这款产品。
文件下载:47L16-I SN.pdf
一、产品概述
Microchip的47L04/47C04/47L16/47C16是一系列4Kbit或16Kbit的SRAM,带有EEPROM备份功能。这些芯片采用I²C串行接口,具有多种特性,适用于工业、汽车等多种应用场景。
1.1 产品选型
| 型号 | 密度 | VCC范围 | 最大时钟频率 | 温度范围 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| 47L04 | 4 Kbit | 2.7V - 3.6V | 1 MHz | I, E | P, SN, ST |
| 47C04 | 4 Kbit | 4.5V - 5.5V | 1 MHz | I, E | P, SN, ST |
| 47L16 | 16 Kbit | 2.7V - 3.6V | 1 MHz | I, E | P, SN, ST |
| 47C16 | 16 Kbit | 4.5V - 5.5V | 1 MHz | I, E | P, SN, ST |
1.2 主要特性
- SRAM与EEPROM备份:内部组织为512 x 8位(47X04)或2,048 x 8位(47X16),掉电时自动将SRAM数据存储到EEPROM,上电时自动从EEPROM恢复到SRAM。
- 非易失性外部事件检测标志:可检测外部事件。
- 高可靠性:SRAM具有无限的读写周期,EEPROM存储周期超过一百万次,数据保留时间超过200年,ESD保护大于4000V。
- 高速I²C接口:支持100 kHz、400 kHz和1 MHz的时钟频率,零周期延迟读写,具有施密特触发器输入以抑制噪声,最多可级联四个设备。
- 写保护:可对SRAM阵列进行软件写保护,范围从1/64到整个阵列。
- 低功耗CMOS技术:典型工作电流为200 µA,最大待机电流为40 µA。
- 宽温度范围:工业级(I)为 -40°C至 +85°C,扩展级(E)为 -40°C至 +125°C,部分产品符合汽车AEC - Q100标准。
二、电气特性
2.1 绝对最大额定值
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| VCC | 6.5V |
| A1, A2, SDA, SCL, HS引脚相对于VSS | -0.6V至6.5V |
| 存储温度 | -65°C至 +150°C |
| 偏置下的环境温度 | -40°C至 +125°C |
| 所有引脚的ESD保护 | ≥4 kV |
2.2 DC特性
DC特性涵盖了输入输出电压、电流、电阻、电容等参数,不同型号和温度范围下的参数有所不同。例如,高电平输入电压VIH为0.7 VCC,低电平输入电压VIL为 -0.3V至0.3 VCC等。
2.3 AC特性
AC特性主要涉及时钟频率、信号上升下降时间、数据保持和建立时间等。时钟频率FCLK最大可达1000 kHz,时钟高电平时间THIGH和低电平时间TLOW均为500 ns等。
三、功能描述
3.1 工作原理
47XXX芯片支持双向两线总线和I²C数据传输协议。主机设备控制总线的启动和停止条件,芯片作为客户端工作。
3.2 总线特性
- 串行接口:数据传输只能在总线空闲时启动,时钟线为高时数据线必须保持稳定,否则将被解释为启动或停止条件。
- 总线条件:包括总线空闲、开始数据传输、停止数据传输、数据有效和确认等条件。每个接收设备在接收到每个字节后必须生成确认信号。
3.3 设备寻址
控制字节是主机设备发送的第一个字节,包含4位操作码、两个用户可配置的芯片选择位A2和A1、一个固定为‘0’的芯片选择位和一个读写位。芯片根据控制字节中的芯片选择位和读写位进行响应。
3.4 SRAM阵列操作
- 写操作:分为字节写和顺序写。字节写时,主机发送控制字节、地址和数据,芯片在确认后将数据存储到SRAM。顺序写可连续写入多个数据字节,地址指针自动递增。
- 读操作:包括当前地址读、随机读和顺序读。当前地址读根据地址指针的当前值读取数据;随机读需要先设置地址指针,再进行读取;顺序读在读取第一个数据字节后,主机发送确认信号,芯片继续发送后续数据。
3.5 控制寄存器操作
- STATUS寄存器:控制软件写保护、自动存储功能,报告阵列是否被修改,包含硬件存储事件标志。
- COMMAND寄存器:用于执行软件控制的存储和恢复操作,包括软件存储和软件恢复命令。
- 写操作:主机发送控制字节和寄存器地址,芯片确认后接收数据并写入寄存器。
- 读操作:主机发送控制字节,芯片发送STATUS寄存器的值。
3.6 存储/恢复操作
- 自动存储(Auto - Store):当VCAP引脚连接电容且STATUS寄存器中的ASE位设置为‘1’时,芯片检测到掉电事件会自动将SRAM数据存储到EEPROM。
- 硬件存储(Hardware Store):通过将HS引脚拉高至少THSPW时间来手动启动存储操作,同时会触发STATUS寄存器写周期。
- 自动恢复(Auto - Recall):上电时自动将EEPROM数据恢复到SRAM。
3.7 确认轮询
在存储和恢复操作以及内部STATUS寄存器写周期期间,芯片不会确认。通过发送启动条件和写控制字节进行确认轮询,以确定操作是否完成。
四、引脚描述
4.1 引脚功能
| 引脚名称 | 功能 |
|---|---|
| VCAP | 电容输入,用于自动存储功能 |
| A1, A2 | 芯片选择输入,用于多设备操作 |
| VSS | 接地 |
| SDA | 串行数据,双向引脚 |
| SCL | 串行时钟,用于同步数据传输 |
| HS | 硬件存储/事件检测输入 |
| VCC | 电源供应 |
4.2 输入下拉电路
A1、A2和HS引脚内部使用双强度下拉电路,输入电压低于VIL时下拉强度较强,高于VIH时下拉强度较弱。
五、封装信息
该系列芯片提供8引脚PDIP、8引脚SOIC和8引脚TSSOP三种封装,每种封装都有详细的尺寸和标记信息。
六、总结
Microchip的47L04/47C04/47L16/47C16 EERAM芯片以其丰富的功能、高可靠性和低功耗等特性,为电子工程师在数据存储和管理方面提供了优秀的解决方案。在实际应用中,工程师们可以根据具体需求选择合适的型号和封装,合理配置引脚和寄存器,以实现高效、稳定的数据存储和操作。你在使用这款芯片时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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