聚光出海，芯锋出鞘 | 度亘核芯携四项突破性新技术亮相国际顶级展会，彰显“芯高度”

2026年1月22日，美国西部光电展（SPIE Photonics West Exhibition 2026）在旧金山莫斯康展览中心落下帷幕。度亘核芯携多款最新系列产品亮相2231展位，与全球光电领域专家学者、业界同仁及行业客户齐聚一堂，共探行业前沿技术趋势，展现中国“芯”实力。

创“芯”闪耀，光汇全球

本次展会，度亘核芯携系列创新产品亮相，涵盖高功率半导体激光芯片、单模/多模光纤耦合模块、半导体激光叠阵模块、VCSEL模组等核心产品，覆盖工业加工、光通信、智能传感、医疗健康等多领域应用，现场吸引了众多国际专家与核心客户驻足交流，向全球市场展现了中国激光技术的创新实力，获得了广泛关注与高度认可。

技术突破，“芯”领前沿

展会期间，度亘核芯在SPIE论坛发布了《High-efficiency High-power on-chip Wavelength-stabilized Laser Diodes and Modules》、《Power Scaling of Broad-area Laser Diodes at 940nm》两大主题报告，展示了公司在高功率、高效率、高温度特性、高可靠性及波长稳定性等方面的系统性突破，并集中发表了四项关键新技术突破，涵盖976nm DFB多模芯片与模块、1064nm DFB单模芯片与模块、940nm耐高温芯片以及双结2000W巴条芯片，可广泛应用于光纤激光泵浦、激光雷达、工业加工、核聚变驱动等前沿领域。

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976nm DFB多模芯片与模块

——高功率与波长锁定的完美结合

该芯片采用片上分布式反馈光栅设计，230μm条宽芯片在CW，25℃条件下实现38.2W输出功率，最高光电转换效率超过70%，波长温漂系数仅0.06 nm/°C。据此开发的光纤耦合模块输出功率≥650W，在0–50℃范围内实现满功率波长锁定，适用于高效率、高稳定性光纤激光泵浦。

图1：976nm DFB芯片功率-电流-效率曲线

02

1064nm DFB单模芯片与模块

——窄线宽、高纯度光谱输出

面向超快激光与精密系统，该单模芯片实现700mW无kink输出，最大电光转换效率达55%。其蝶形封装模块输出功率超过500mW，最大电光转换效率达40%，波长随电流变化极小，在长期CW工作中表现出稳定的窄线宽发射特性。

图2：1064nm DFB单模蝶形封装模块性能与光谱曲线

03

940nm耐高温单管芯片

——适应严苛环境的高可靠性设计

该芯片在105°C高温、14A电流条件下，仍可实现11.4W的功率输出，表现出优异的高温工作稳定性，适用于车载激光雷达等高温、高可靠应用场景。

图3：940nm耐高温单管芯片在不同温度下的L-I-V-E曲线

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双结2000W巴条芯片

——突破功率极限的垂直结构创新

采用双结外延与隧道结设计，2mm巴条在QCW（300μs, 10Hz）、1000A电流驱动下，实现超过2000W的输出功率，较单结结构提升约1.72倍，为惯性约束聚变等极端功率需求提供可行的泵浦方案。

图4：双结与单结巴条输出功率对比曲线

追光不息，“芯”向未来

作为一家以高端激光芯片设计与制造为核心竞争力的IDM光电企业，公司将始终坚持以创新为驱动，以技术为引领，不断推出更多的创新产品和技术，深化国际行业合作，拓展无限版图，为全球客户提供更加优质的产品和服务。