度亘核芯SiC热沉：助力高功率激光芯片突破散热瓶颈

高功率半导体激光芯片的单颗出光功率不断提升，目前主流应用已升至45W，但向更高功率50W、60W甚至更高功率迈进时，作为芯片 "散热后盾" 的陶瓷热沉的热导率成为制约因素，虽然AlN陶瓷的热导率由之前的170W/m·K提升至当前的230W/m·K，仍成为制约芯片出光功率突破的 "绊脚石"。度亘核芯全流程自主研发生产的单晶SiC热沉，为行业带来了颠覆性的散热解决方案。

从 "够用" 到 "卓越"

散热技术必须先行

高功率激光芯片的"功率提升" 与 "散热能力" 始终是一对共生的命题。主流热沉厂商通过不断优化AlN陶瓷性能，将其热导率提升至230W/m·K，可满足光功率45W及以下的芯片的散热需求，然而，当芯片功率高于50W时，结温升高明显、电光效率下降、可靠性变差。

度亘核芯依托芯片FAB半导体工艺，建设了先进的全套热沉产线，在常规AlN热沉稳定量产出货的基础上，创新采用高热导率SiC作为基板，攻克了金属附着力差、难切割等系列技术难题，研发出热导率≥370W/m·K的SiC热沉。批量应用于66W芯片的封装，对比测试表明，芯片的结温、发散角、偏振（PER）等指标能保证高功率芯片处于稳定、高效的运行状态。

SiC热沉封装的66W芯片，在68.5A测试电流下输出功率比AlN热沉高出2W（提升3%），芯片结温降低7.5℃。这样的性能差异，直观体现了SiC热沉在散热能力上的显著优势，确保了高功率芯片的长期可靠性。

四大核心突破

铸就热沉技术新高度

采用半导体级的金属化及磨抛工艺

依托半导体级金属化及磨抛设备开发的全自动工艺技术，可精准控制单面Cu层厚度、表面粗糙度及附着力，同时实现整体热沉的热膨胀系数（CTE）与芯片的精准匹配，使得芯片的偏振度（PER）表现更优，能在后续泵浦源光纤耦合过程中有效提升耦合效率。

采用先进的激光切割工艺

单晶SiC硬度远高于AlN陶瓷，度亘核芯针对性研发的高精度激光切割工艺，从根本上解决了残渣飞溅、切割错位等加工难题，将Cu pullback精准控制在10~20μm范围。这一突破不仅提升了生产效率与加工精度，更直接保障了COS共晶贴片环节的一致性及光学耦合工艺的稳定性，为高功率激光芯片的COS封装性能提供了关键支撑。

500V 耐压的绝对保障

采用高纯本征SiC作为基板，使热沉具备 500V 耐电压能力。配合独特的检测技术，在生产过程中即可精准识别因基板缺陷导致的耐压不足产品，确保每一片出厂的热沉都100%通过耐电压测试，为泵浦模块的整体耐电压性能提供保障。

全流程品控的极致追求

从关键参数的精准把控到全生命周期的质量追溯，度亘核芯建立了严谨的品控体系：精准调控AuSn组分（75±5wt% Au），熔点稳定，保障贴片程序固定不变；通过AOI自动检验分选，结合拍照留档追溯机制，让每一片热沉的质量都有据可查；每一批次产品抽样封装测试，验证合格后再出货，全方位保证出货产品质量。

充足的量产能力

具备强大交付能力

如今，度亘核芯SiC热沉已成功应用于高端泵浦源产品，凭借卓越性能赢得多家客户的青睐。这不仅是市场对我们技术的肯定，更标志着高功率激光芯片散热领域迈入SiC时代。

从突破技术瓶颈到引领行业标准，度亘核芯将持续技术创新，以创新为引擎，为高功率半导体激光产业的发展提供更强大的散热支持，助力行业突破功率极限，共创技术新未来！