北方华创揽获氮化镓工艺装备采购订单

近日，北方华创微电子成功获得了位于苏州的一家知名化合物半导体公司批量采购订单，订单包括了ELEDE®330SG刻蚀机、SW GDE C200刻蚀机、 EPEE550 PECVD在内的数十台设备。本次需求源自苏州一家化合物半导体公司扩产5G基站用氮化镓功放芯片项目，作为中国高性能氮化镓芯片IDM领先企业，该项目将为我国5G通讯基础设施建设提供保障。此次是北方华创微电子在宽禁带化合物半导体领域的重大突破，具有里程碑意义。

北方华创微电子ELEDE®330SG刻蚀机是宽禁带化合物半导体领域的关键设备, 应用于正面工艺中的台面刻蚀，SiNx栅槽刻蚀，GaN、SiNx极慢速低损伤刻蚀。产品结合独特的离子源设计、高精度低输出的下电极和多片大产能的托盘设计，实现精确的刻蚀速率控制和良好的工艺均匀性控制，满足不同制程的工艺要求，多项关键指标领先行业水平，成为了行业标杆产品，是客户扩产的首选设备。

SW GDE C200系列单片刻蚀机，可实现SiC深孔的高速、均匀刻蚀，具备高MTBC的优点，通过独特的工艺调节可实现圆滑的刻蚀形貌控制，目前该设备已通过客户技术验证，获得市场高度认可，在中国宽禁带化合物半导体市场占据首席之位。同时，SW GDE C200系列刻蚀机也是SiC MOSFET 栅槽刻蚀和SiC二极管小角度台面刻蚀的完美解决方案，除了SiC材料，该设备还可应用于SiO2、SiN材料的刻蚀，其灵活的配置可满足研发/中试线/量产的要求。

EPEE550 PECVD可用于宽禁带化合物半导体器件钝化层、结构层、牺牲层等应用，采用自主开发的高温混频技术，可实现高致密性、低应力、高均匀性的薄膜沉积，助力客户提高产品性能。截至目前，该设备国内销量已超过百台。

5G商用时间表正在加速推进中，作为5G不可替代的核心技术，具有高频率、高功率特性的GaN宽禁带半导体产业将迎来发展机遇。北方华创微电子凭借丰富的设备工艺技术储备，为该领域提供了一系列高竞争力的关键工艺装备解决方案，本次能够得到企业大客户的批量采购订单，也充分验证了北方华创微电子卓越的产品实力。我们将继续秉承以客户为导向的持续创新，与客户携手并进，共同开拓产业发展新蓝图。