电子发烧友网综合报道,近日,昕原半导体(上海)有限公司发生工商变更,新增海南云锋基金中心(有限合伙)、新力投資控股有限公司等为股东。企查查显示,昕原半导体(上海)有限公司成立于2019年10月,法定代表人为XIANG ZHANG,现由上海联和投资有限公司、MEMRIS Asia Pacific Limited及上述新增股东等共同持股。
昕原半导体成立于2019年,专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发,涵盖AI存算一体(Computing in Memory, CIM)IP及大模型加速方案、高性能/高可靠的系统级存储(System-on-Memory, SoM)芯片、先进制程嵌入式存储(Embedded memory, eReRAM)三大应用领域,并已经在存储芯片、存算IP、高性能MCU等领域实现了商用出货和交付。
作为国内ReRAM商业化领军企业,公司掌握一体化闭环技术能力,覆盖器件材料、工艺制程、芯片设计、IP设计和中试量产等诸多环节。昕原半导体采用Fab-lite模式,利用自主建设的先进制程 ReRAM中试后道生产线,不断打磨核心工艺,加速迭代优化,以支持新型存储技术的不断演进、创新和快速商用化,并与CMOS工艺和常规Foundry材料兼容,实现快速量产。
公司团队拥有多年的半导体行业经验,多次成功创业经验,管理能力强,成熟全面,聚集了世界一流的跨领域团队:存储工艺团队、存储设计团队、SoC设计团队、FAB团队,高效实现新型存储技术的垂直整合、生态构建和商用化。
AI应用进入大模型时代后,数据的传输量成几何倍增,存储带宽已经成为传统AI芯片发展最严重的瓶颈。
昕原的ATOM (AI Thruster Optimized Memory) 产品系列,利用ReRAM兼容先进工艺的特性将存储和计算单元融为一体,从而获得较原来数十倍的带宽、性能以及能效比的提升。ATOM的存储容量和算力均灵活可配,是端侧,边缘侧和云端最理想的大模型加速方案。
昕原的URM(Ultra Reliable Memory)是基于ReRAM的独立式存储芯片,具备宽温、抗辐照、高性能等特性,URM具备-40℃~125℃宽温工作范围,符合AECQ-100 Grade1要求高性能与低功耗:URM读取速度高达800MB/s,且功耗只有同速率的NOR Flash的1/4,是汽车、工业、航天等领域最佳的存储解决方案。
昕原半导体成立于2019年,专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发,涵盖AI存算一体(Computing in Memory, CIM)IP及大模型加速方案、高性能/高可靠的系统级存储(System-on-Memory, SoM)芯片、先进制程嵌入式存储(Embedded memory, eReRAM)三大应用领域,并已经在存储芯片、存算IP、高性能MCU等领域实现了商用出货和交付。
作为国内ReRAM商业化领军企业,公司掌握一体化闭环技术能力,覆盖器件材料、工艺制程、芯片设计、IP设计和中试量产等诸多环节。昕原半导体采用Fab-lite模式,利用自主建设的先进制程 ReRAM中试后道生产线,不断打磨核心工艺,加速迭代优化,以支持新型存储技术的不断演进、创新和快速商用化,并与CMOS工艺和常规Foundry材料兼容,实现快速量产。
公司团队拥有多年的半导体行业经验,多次成功创业经验,管理能力强,成熟全面,聚集了世界一流的跨领域团队:存储工艺团队、存储设计团队、SoC设计团队、FAB团队,高效实现新型存储技术的垂直整合、生态构建和商用化。
AI应用进入大模型时代后,数据的传输量成几何倍增,存储带宽已经成为传统AI芯片发展最严重的瓶颈。
昕原的ATOM (AI Thruster Optimized Memory) 产品系列,利用ReRAM兼容先进工艺的特性将存储和计算单元融为一体,从而获得较原来数十倍的带宽、性能以及能效比的提升。ATOM的存储容量和算力均灵活可配,是端侧,边缘侧和云端最理想的大模型加速方案。

昕原的URM(Ultra Reliable Memory)是基于ReRAM的独立式存储芯片,具备宽温、抗辐照、高性能等特性,URM具备-40℃~125℃宽温工作范围,符合AECQ-100 Grade1要求高性能与低功耗:URM读取速度高达800MB/s,且功耗只有同速率的NOR Flash的1/4,是汽车、工业、航天等领域最佳的存储解决方案。
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