深入解析S32K39、S32K37和S32K36系列MCU:特性、参数与应用考量
在当今的电子工程领域,汽车电子的发展日新月异,对微控制器(MCU)的性能、功能和安全性提出了更高的要求。NXP的S32K39、S32K37和S32K36系列MCU凭借其卓越的特性和丰富的功能,在汽车应用中展现出了强大的竞争力。今天,我们就来深入剖析这一系列MCU,了解它们的关键特性、技术参数以及在实际设计中的应用考量。
文件下载:NXP Semiconductors MCSPTR2AK396开发套件.pdf
一、S32K396产品系列概述
S32K396产品系列进一步拓展了汽车行业中高度可扩展的Arm® Cortex® - M7 K3xx MCU产品线。它具有以下显著特点:
- 高频Cortex - M7核心:能够提供更高的处理性能,满足复杂的计算需求。
- 先进的电机控制协处理器:为电机控制应用提供了强大的支持,提高了控制精度和效率。
- 扩展的模拟功能:包括高分辨率PWM,增强了对模拟信号的处理能力。
该系列MCU旨在满足下一代SiC牵引逆变器的需求,实现高效率、低延迟和系统级BOM成本节约。同时,由于其通用的架构,S32K396也非常适合各种xEV应用。
二、关键特性对比
2.1 不同型号特性差异
| 特性 | S32K396 | S32K394 | S32K376 | S32K374 | S32K366 | S32K364 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 安全/ASIL | ASIL D | - | - | - | - | - |
| CPU核心数量 | 三个Arm® Cortex® - M7核心 | - | - | - | 两个Arm® Cortex® - M7核心 | - |
| 核心配置 | 一个锁步核心对和两个可拆分锁核心 | - | - | - | 一个锁步核心对和一个Cortex - M7_0核心 | - |
| 核心频率(MHz) | - | - | - | 320 | - | - |
| 程序闪存内存(MB) | 6 | 4 | 6 | 4 | 6 | 4 |
| 数据闪存内存(KB) | 128 | - | - | - | - | - |
| 总RAM(KB) | 800(包括64 KB备用RAM和288 KB TCM) | - | - | - | 704(包括64 KB备用RAM和192 KB TCM) | - |
| 备用RAM(KB) | 64 | - | - | - | - | - |
| 安全性 | HSE_B | - | - | - | - | - |
| DMA | 2 x 32通道eDMA(1个eDMA实现为锁步对) | - | - | - | - | - |
| 最大性能(DMIPS) | 1个锁步核心(ASIL D)和2个拆分锁核心(ASIL B) 2218 - 3101 - 6509 | - | - | - | 1478 - 2067 - 4339 1个锁步核心(ASIL D)和1个核心(ASIL B) | - |
| ASIL D(DMIPS) | 1478 - 2067 - 4339 | - | - | - | 739 - 1034 - 2170 | - |
| 先进电机控制协处理器配置 | 2 x eTPU引擎,频率为320 MHz(每个32通道),带输入毛刺滤波器 | - | - | - | 2 x eTPU引擎,频率为320 MHz(每个16通道),带输入毛刺滤波器 | - |
| DSP(CoolFlux)[MHz] | 160(4线程) | - | - | - | 160(2线程) | - |
| eFlexPWM配置 | - | - | - | 2 x eFlexPWM,带NanoEdge(每个8通道) | - | - |
| FlexCAN实例 | 6 | - | - | - | - | - |
| EMAC配置 | 1 x 10/100 Mbit/s | - | - | - | - | - |
| LPUART(LIN)实例 | 4 | - | - | - | - | - |
从这些对比中可以看出,不同型号在核心数量、内存大小、性能表现和功能配置上存在差异,工程师可以根据具体的应用需求选择合适的型号。
2.2 特性总结
S32K396产品系列支持的Cortex - M7核心具有以下丰富特性:
- 核心与架构:高达320 MHz的运行频率,基于Armv7架构和ThumbR - 2 ISA,具备16 KB D缓存和16 KB I缓存,以及96 KB TCM,支持动态任务保护的片上MPU,符合IEEE 754标准的SPFPU,采用哈佛总线架构,具有6级流水线和分支预测功能,集成XRDC提供内存和外设保护,支持DSP和SIMD扩展,具备I/O保护和嵌入式跟踪宏单元(ETM),支持Arm第三方生态系统。
- DSP和协处理器:CoolFlux DSP16L,每个协处理器核心频率为320 MHz,提供额外的安全特性,如ECC、看门狗、延迟监视器和空闲计数器,频率为160 MHz,一个核心和四个线程,具有32 KB指令RAM和24 KB数据RAM,软件可独立于Cortex - M7 CPU运行。
- DMA:每个eDMA有2 x 64通道DMAMUX,2 x 32通道eDMAs(1个eDMA实现为锁步对),可实现复杂的数据传输,支持可编程的分散聚集DMA处理。
- 系统和电源管理:支持简化的电源模式(运行和待机),支持对未使用模块的时钟门控,特定外设可在低功耗模式下继续工作,支持外部镇流晶体管生成核心电源,具备完全独立的CPU和外设时钟方案,可从48 MHz FIRC快速启动,拥有低功耗振荡器如32 kHz SIRC,PMC带有LVD和可选的触发点,支持多种电源模式和NMI。
- 内存和内存接口:高达6 MB的程序闪存内存,带有ECC;高达128 KB的数据闪存内存,带有ECC;高达800 KB的SRAM,带有ECC;8位QuadSPI,120 MHz DTR。
- 时钟:外部8 - 40 MHz晶体振荡器或谐振器,内部时钟参考包括高达640 MHz的PLL用于分频系统时钟操作,48 MHz FIRC ± 5%,32 kHz SIRC ± 10%。
- 安全和完整性:HSE_B可升级固件,支持多种安全密码算法,包括对称的AES(128、192或256位)、非对称的RSA(高达4096字节)和ECC(高达521字节)、哈希算法如Miyaguchi - Preneel、SHA - 2/SHA - 3(高达512字节),支持OTA更新、安全启动、安全通信、组件保护、安全存储和密钥交换等安全用例。
- 模拟:12位ADC,支持电压监测,带隙电压可作为ADC输入,可使用独立参考监测外部时钟源,具备PLL锁定和失锁保护,XRDC提供访问控制、内存保护和外设隔离,代码闪存内存、数据闪存内存和系统RAM带有ECC,ADC具有自测试功能,可对所有电源进行内部模拟监测,具备CRC生成模块和FCCU故障输出,最多可支持69个外部模拟输入。
- I/O定时器:eFlexPWM带NanoEdge(高分辨率PWM),LPCMP带有内部8位DAC作为参考,温度传感器(TempSense),输出可由ADC测量,LPCMP的正负输入可分别选择中断,可实现ADC和LPCMP输出对定时器的交叉触发。
- 通信:LPSPI支持DMA,具有全双工或单线程双向通信模式,可作为主或从设备;LPI2C模块支持SENT;LPUART支持DMA,具备低功耗模式,可作为主或从设备,支持系统管理总线;FlexCAN模块支持ISOCAN - FD和DMA;EMAC复杂(10/100以太网)支持1588定时器、MII/RMII接口、AVB和TSN;微秒通道(MSC);Zipwire(高速SIPI和LFAST),可选13位中断,全双工NRZ,支持LIN 2.1扩展,具备低功耗模式。
- 调试:调试观察点和跟踪(DWT),具有四个可配置跟踪和时间戳功能;FPB可从代码空间到系统空间修补代码和数据;所有执行单元和总线主设备可通过TPIU在GPIO引脚上进行跟踪,也可通过SWO提供极低带宽跟踪选项;嵌入式跟踪FIFO(ETF)为每个核心主设备提供专用跟踪缓冲区;串行线查看器(SWV)可显示读取、写入、异常、PC样本和打印信息。
- I/O和封装:最多237个GPIO引脚,最多144个具有中断功能的GPIO引脚,最多77个具有唤醒功能的GPIO引脚,LPUART、FlexIO和LPI2C支持伪开漏输出,提供289 MAPBGA和176 LQFP - EP封装选项。
三、电气特性与参数
3.1 绝对最大额定值
| 在设计过程中,我们需要特别关注MCU的绝对最大额定值,以确保其安全可靠地运行。以下是一些关键的绝对最大额定值参数: | 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 | 规格编号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD_HV_A | 主I/O和模拟电源电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| VDD_HV_B | 辅助I/O电源电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| VDD_DCDC | SMPS栅极驱动器电源电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| V15 | 电压感应输入 | -0.3 | - | 2.75 | V | - | - | |
| V25 | 闪存内存电源(2.5 V),内部调节 | -0.3 | - | 2.9 | V | - | - | |
| V11 | 大电流核心逻辑电源输入 | -0.3 | - | 1.26 | V | - | - | |
| VDDA_SWG | SWG电源电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| VDD_LVDS | LVDS电源电压 | -0.3 | - | 3.96 | V | - | - | |
| VREFH_ADC_0123, VREFH_ADC_456 | ADC高参考电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| VREFL_ADC_0123, VREFL_ADC_456 | ADC低参考电压 | -0.3 | - | 0.3 | V | - | - | |
| VREFH_SDADC_01, VREFH_SDADC_23 | SDADC高参考电压 | -0.3 | - | 6.0 | V | - | - | |
| VREFL_SDADC_01, VREFL_SDADC_23 | SDADC低参考电压 | -0.3 | - | 0.3 | V | - | - | |
| VGPIO_trans | I/O引脚允许的瞬态过冲电压 | - | - | 6.0 | V | - | - | |
| I_INJPAD_DC_ABS | 可注入I/O引脚的连续DC输入电流(正/负) | -3 | - | 3 | mA | - | - | |
| I_INJSUM_DC_ABS | 所有I/O引脚注入电流绝对值之和(连续DC限制) | - | - | 30 | mA | - | - | |
| TSTG | 存储环境温度 | -55 | - | 150 | °C | - | - |
需要注意的是,这些绝对最大额定值是应力额定值,在这些条件下不保证器件的功能正常运行。超过这些值可能会影响器件的可靠性或导致永久性损坏。
3.2 电压和电流工作要求
| 器件的功能在LVR断言电平以下是有保证的,但当电压低于2.97 V时,12位ADC、带有8位DAC的CMP、I/O电气特性和通信模块的电气性能会下降。DSPI/MSC接口仅在VDD_HV_A = 5V时支持。以下是一些关键的电压和电流工作要求参数: | 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 | 规格编号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD_HV_A | 主I/O和模拟电源电压 | 2.97 | 3.3或5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VDD_HV_B | 辅助I/O电源电压 | 2.97 | 3.3或5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VDD_DCDC | SMPS栅极驱动器电源电压 | 2.97 | 3.3或5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| V15 | 电压感应输入 | 1.425 | 1.5 | 1.65 | V | - | - | |
| VDDA_SWG | SWG电源电压 | 2.97 | 3.3或5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VDD_LVDS | LVDS电源电压 | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | - | - | |
| VDD_SDADC | SDADC电源电压 | 4.5 | 5 | 5.5 | V | - | - | |
| VREFH_SAR_0123, VREFH_SAR_456 | SAR ADC高参考电压 | 2.97 | 3.3或5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VREFL_SAR_0123, VREFL_SAR_456 | SAR ADC低参考电压 | -0.1 | 0 | 0.1 | V | - | - | |
| VREFH_SDADC_01, VREFH_SDADC_23 | SDADC高参考电压 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VREFL_SDADC_01, VREFL_SDADC_23 | SDADC低参考电压 | -0.1 | 0 | 0.1 | V | - | - | |
| VREFH_R2R | R2R高参考电压 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | - | - | |
| VREFL_R2R | R2R低参考电压 | -0.1 | 0 | 0.1 | V | - | - | |
| VSS_DCDC | SMPS栅极驱动器电源地 | -0.1 | 0 | 0.1 | V | - | - | |
| V25 | 闪存内存和时钟电源(2.5 V),内部调节 | - | 2.5 | - | V | - | - | |
| V11 | 大电流核心逻辑电源输入 | - | 1.14 | - | V | - | - | |
| VGPIO | 任何I/O或模拟引脚的输入电压范围 | -0.3 | - | VDD_HV_A/B + 0.3 | V | - | - | |
| VODPU | 开漏上拉电压 | - | - | VDD_HV_A/B | V | - | - | |
| IINJPAD_DC_OP | 可注入I/O引脚的连续DC输入电流(正/负) | -3 | - | 3 | mA | VDD_HV_A >= 3.6V | - | |
| IINJPAD_DC_OP | 可注入I/O引脚的连续DC输入电流(正/负) | -2 | - | 3 | mA | VDD_HV_A >= 2.97V | - | |
| IINJSUM_DC_OP | 所有I/O引脚注入电流绝对值之和(连续DC限制) | -30 | - | 30 | mA | VDD_HV_A >= 3.6V | - | |
| IINJSUM_DC_OP | 所有I/O引脚注入电流绝对值之和(连续DC限制) | -20 | - | 30 | mA | VDD_HV_A >= 2.97V | - | |
| IINJ_LVDS | 最大LVDS RX |
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电气参数
+关注
关注
0文章
63浏览量
6431
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Texas Instruments Stellaris® LM3S5K36微控制器:设计全解析
Texas Instruments Stellaris® LM3S5K36微控制器:设计全解析 在电子设计的领域中,微控制器是核心部件之一,它的性能和特性直接影响着整个系统的表现。今天我们就来
深入解析MC9S08SG32微控制器:特性、更新与应用考量
深入解析MC9S08SG32微控制器:特性、更新与应用考量 在电子工程师的日常工作中,选择合适的微控制器是项目成功的关键一步。今天,我们就来
探秘K50子系列微控制器:特性、参数与应用考量
探秘K50子系列微控制器:特性、参数与应用考量 在电子工程领域,微控制器是众多项目的核心组成部分。NXP的
NXP MC9S08PA16系列MCU:特性、参数与应用解析
的特性和出色的性能,成为众多工程师的首选之一。本文将深入解析MC9S08PA16系列MCU的关键
深入解析 onsemi NVD360N65S3 MOSFET:特性、参数与应用考量
深入解析 onsemi NVD360N65S3 MOSFET:特性、参数与应用考量 在功率电子领
深入了解 S32K312EVB-Q172 开发板:硬件特性与使用指南
深入了解 S32K312EVB-Q172 开发板:硬件特性与使用指南 在嵌入式开发领域,一款优秀的开发板能够极大地提升开发效率和项目的成功率。NXP 的 S32K312EVB-Q172
S32K376 BMU与VCU集成方案:硬件、软件与调试全解析
S32K376 BMU与VCU集成方案:硬件、软件与调试全解析 在电子工程师的日常工作中,动力总成域控制器的设计是一项充满挑战与机遇的任务。今天,我们将深入探讨基于NXP S32K37
深入解析S32K396:汽车级MCU的卓越之选
用于电气化应用的S32K37和S32K39 MCU.pdf 产品概述 S32K396产品系列进一步扩展了汽车行业中高度可扩展的Arm® C
如何实现NXP S32K3系列MCU安全调试
。NXP推出的S32K3系列MCU配备了多层次的生命周期管理和硬件安全引擎(Hardware Security Engine, HSE),以确保在产品开发与部署中的信息安全。
解析K8S实用命令
前言: 作为运维工程师,掌握 Kubernetes 命令行工具是日常工作的核心技能。本文将深入解析 K8S 最实用的命令,从基础操作到高级技巧,助你成为容器化集群管理专家。
深入解析S32K39、S32K37和S32K36系列MCU:特性、参数与应用考量
评论