探索 onsemi NST1602CL 双极晶体管:高性能与可靠性的完美结合
在电子工程师的世界里,选择合适的晶体管对于电路设计的成功至关重要。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NST1602CL 双极晶体管,这款器件以其卓越的性能和广泛的应用前景,成为众多设计中的理想之选。
文件下载:onsemi NST160xCL 160V 1.5A NPN双极晶体管.pdf
产品概述
NST1602CL 是一款 NPN 单极双极结型晶体管,具有高电流、低饱和电压和高速开关的特点。它采用了 LFPAK8 3.3x3.3mm 的薄型封装,不仅节省了电路板空间,还具备出色的散热性能。该器件适用于汽车应用,通过了 AEC - Q101 认证,并且具备 PPAP 能力,为汽车电子系统的可靠性提供了有力保障。
电气连接

主要特性
高性能指标
- 大电流处理能力:集电极电流(Ic)可达 1.5A,脉冲电流(IcP)更是高达 2.5A,能够满足高负载电路的需求。
- 低饱和电压:集电极 - 发射极饱和电压(VCE(sat))极低,例如在 IC = 250mA、IB = 25mA 的条件下,典型值仅为 0.04V,这有助于降低功耗,提高电路效率。
- 高速开关特性:开关时间短,如导通时间(ton)典型值为 30ns,存储时间(tstg)为 1340ns,关断时间(tf)为 30ns,适用于高频开关电路。
可靠性与环保
- 高允许功率耗散:集电极耗散功率(Pc)在不同条件下分别可达 0.8W 和 2.2W,能够承受较大的功率损耗。
- 宽温度范围:结温(TJ)最高可达 175℃,存储温度范围(Tstg)为 - 55℃至 + 175℃,适应各种恶劣环境。
- 环保设计:该器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合 RoHS 标准,满足环保要求。
典型应用
负载开关
NST1602CL 可作为负载开关,用于控制电路中负载的通断。其低饱和电压特性能够减少开关过程中的功率损耗,提高系统效率。
栅极驱动器
在栅极驱动电路中,该晶体管的高速开关特性能够快速响应控制信号,实现对功率器件的精确驱动。
DC - DC 转换器
在 DC - DC 转换器中,NST1602CL 可用于调节输出电压和电流,其高性能指标有助于提高转换器的效率和稳定性。
电气参数
绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | VCBO | 180 | V |
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 160 | V |
| 发射极 - 基极电压 | VEBO | 6 | V |
| 集电极电流 | Ic | 1.5 | A |
| 集电极电流(脉冲) | IcP | 2.5 | A |
| 集电极耗散功率(条件 1) | Pc (Note 1) | 0.8 | W |
| 集电极耗散功率(条件 2) | Pc(Note 2) | 2.2 | W |
| 结温 | TJ | 175 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 至 +175 | ℃ |
电气特性
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极截止电流 | ICBO | VCB = 180V,IE = 0A | 0.1 | μA | |||
| 发射极截止电流 | IEBO | VEB = 6V,IC = 0A | 0.1 | μA | |||
| DC 电流增益(IC = 100mA) | hFE1 | VCE = 5V | 140 | 280 | |||
| DC 电流增益(IC = 400mA) | hFE2 | VCE = 5V | 120 | ||||
| 增益 - 带宽积 | fT | VCE = 10V,IC = 100mA | 100 | MHz | |||
| 输出电容 | Cob | VCB = 10V,f = 1MHz | 10 | pF | |||
| 集电极 - 发射极饱和电压(IC = 250mA,IB = 25mA) | VCE(sat)1 | 0.04 | 0.08 | V | |||
| 集电极 - 发射极饱和电压(IC = 250mA,IB = 50mA) | VCE(sat)2 | 0.035 | 0.07 | V | |||
| 集电极 - 发射极饱和电压(IC = 500mA,IB = 50mA) | VCE(sat)3 | 0.07 | 0.14 | V | |||
| 基极 - 发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC = 250mA,IB = 25mA | 0.8 | 1.2 | V | ||
| 集电极 - 基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC = 10μA,IE = 0A | 180 | V | |||
| 集电极 - 发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC = 1mA,RBE = ∞ | 160 | V | |||
| 发射极 - 基极击穿电压 | V(BR)EBO | IE = 10μA,IC = 0A | 6 | V | |||
| 导通时间 | ton | 见 Figure 1 | 30 | ns | |||
| 存储时间 | tstg | 1340 | ns | ||||
| 关断时间 | tf | 30 | ns |
ESD 评级
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 类别 |
|---|---|---|---|---|
| 人体模型静电放电 | HBM | >2000,<4000 | V | 2 |
| 机器模型静电放电 | MM | >400 | V | M4 |
封装与订购信息
封装尺寸
NST1602CL 采用 LFPAK8 3.3x3.3mm 的封装,详细的机械尺寸和公差信息可参考文档中的相关图表。这种封装不仅紧凑,而且便于安装和焊接。
订购信息
| 器件型号 | 标记 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|---|
| NSVT1602CLTWG | NST1602G | LFPAK8(无铅/无卤) | 3,000/ 卷带包装 |
| NST1602CLTWG | NST1602G | LFPAK8(无铅/无卤) | 3,000/ 卷带包装 |
总结
onsemi 的 NST1602CL 双极晶体管以其高性能、可靠性和环保特性,成为电子工程师在设计汽车电子、负载开关、栅极驱动器和 DC - DC 转换器等电路时的理想选择。在实际应用中,我们需要根据具体的电路要求,合理选择器件的参数和工作条件,以充分发挥其优势。同时,要注意静电防护和散热设计,确保器件的长期稳定运行。你在使用双极晶体管时遇到过哪些挑战?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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