大师陨落：萨支唐发明CMOS，中国受益巨大

在人类芯片历史中，萨支唐（Chihtang Sah，1932年11月10日—2025年7月5日）是最早创造巨大贡献的华人。

1963年，萨支唐和Frank M. Wanlass在硅谷的仙童科技发明了CMOS工艺。

萨支唐与妻子张淑南的骨灰于2025年11月27日归葬福州三山人文纪念园·科技功勋园，这是他们遗愿。

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萨支唐是雁门入闽萨氏十九世孙，福州蒙古族“雁门萨氏”人才辈出，著名的海军将领萨镇冰就曾两度任民国海军总长。

萨支唐出生于北平，他的父亲萨本栋是民国第一届中央研究院院士，国立厦门大学第一任校长。母亲黄淑慎曾打破三项中国奥林匹克田径赛纪录。弟弟萨支汉是数学家，哥哥萨本铁是有机化学家、生理学家、药物学家。

图注：2010年萨支唐（左）获厦门大学朱崇实校长颁发荣誉博士学位

第一节：CMOS工艺广泛应用，摩尔定律至今有效

1965年，仙童科技的戈登·摩尔（萨支唐的上司）通过分析1959年到1965年的集成电路发展历程，从而提出了集成电路领域最著名的定律之一：集成电路上可容纳的晶体管数目，每18-24个月增加1倍。

CMOS工艺的低功耗和高集成度特性，得以使摩尔定律至今有效。

从1970/80年代开始，CMOS逐步成为最主流的工艺，没有之一，如今90%以上集成电路都采用此工艺。CMOS工艺现在几乎用于所有现代大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电（VLSI）路中，尤其是MCU、CPU、GPU、手机SoC等计算芯片、存储芯片和其他数字逻辑电路系统。

2024年3月英伟达推出的GB200GPU采用台积电的4纳米工艺制程，由两个B200 Blackwell GPU芯片通过NVLink 5.0互联组成，采用台积电4纳米工艺（4NP节点）制造，共有多达2080亿个晶体管。

基于CMOS工艺也可以做模拟和数字混合电路。CMOS图像传感器（CIS）是由中国学者王国裕和陆明莹（东大）在爱丁堡大学主导发明的大芯片。魏少军和陈大同和王国裕是清华微电子所84届的同班同学，那里有一条芯片试制线，给大家练手。

宁波东方理工于11月28日正式揭牌，韦尔虞仁荣捐巨资办学。众所周知，韦尔收购了硅谷豪威CIS芯片，堪称最成功的海外并购案。

机器视觉（AOI）企业明锐理想的CEO冀运景告诉我：前几年在工业摄像头领域还有CCD的应用，大家觉得画质更好，但现在都用CMOS图像传感器（CIS）了，因为CIS“钱景”广阔，持续技术升级，画质已获得很大改善。

第二节、萨支唐发明CMOS，硅谷芯片奠基者之一

1949年，萨支唐从福州英华中学毕业，赴美国伊利诺伊大学香槟分校学习并于1953年获得电机工程和工程物理双学士学位。1956年，萨支唐获得了斯坦福大学的电机工程博士学位。

1947年，贝尔实验室的威廉·肖克利等三个人发明了晶体管，1955年，肖克利回到家乡四季如春的加州，在斯坦福大学找到一个客座教授的工作，但他的目标是创办自己的半导体公司，因此在1956年广发英雄帖，并有了30多人的队伍。1956年，斯坦福大学毕业的萨支唐就近加入了肖克利半导体实验室，跟随肖克利在工业界从事固态电子学方面的研究。

因为肖克利的情商低（超级聪明的人脾气大），1957年，罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔等八位高手（有“八叛逆”的说法）集体辞职，联袂成立了仙童科技。萨支唐起初并不在其中，不过他在两年后也加盟了。

1958年，伟大的集成电路时代来到了。杰克·基尔比在德州仪器发明了世界上第一块混合集成电路，他用的是锗晶片，其方案离实用尚远。张忠谋正好在德州仪器工作，见证了这个伟大的发明。

1959年，罗伯特·诺伊斯在仙童科技发明了硅基集成电路，并为半导体集成电路工艺和量产奠定了基础。“硅谷”名称由此而来。业界公认两人都是IC的发明人。

1959年—1964年，萨支唐在美国仙童公司工作。他开展了平面硅基集成电路的深入研发，解决了一系列重要的技术问题，做出了非常重要的贡献。他担任固态物理组经理，带领一个64人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究，并取得了一系列重要进展。1962年，Frank M. Wanlass加入了这个小组。

20世纪60年代初，利用Si平面工艺做出了MOSFET（金属－氧化物-半导体场效应晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），这是以SiO2作为绝缘栅的IGFET。首先做出的MOSFET是负极性p沟道器件，但是在制作正极性的n沟道器件遇到一些困难。

在萨支唐的指导和安排下，Wanlass开始有机会介入了仙童半导体公司的重点项目——“142号项目—平面控制设备（SurfaceControlled Devices）”并在其中参与了一部分工作。在不到六个月的时间里，Wanlass就设计了许多分立的N-MOS和P-MOS设备，以及用P-MOS设备制成的简单的MOS集成电路。但是所有的N-MOS都无法正常工作，只有少量的P-MOS能够工作。

1963年的固态电路大会上，萨支唐（C.T.Sah）和他的下属Frank.M.Wanlass在MOSFET基础上，首次提出CMOS（ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体场效应晶体管，互补MOS）半导体器件制造工艺的构想。

1963年的6月18日，Wanlass在萨支唐指导下，提交了关于互补MOS结构的第一项专利，美国专利3356858——“低待机功率互补场效应电路”，并指出电荷通过氧化物移动到作为EPROM器件基础的栅极上（1967年获批）。

最是耐人寻味的是，提交申请几天之后，他就离开了仙童，并于1964年加入通用电气，在那里他帮助成立了通用电气的微电子公司（GME），成为早期进入MOS市场的公司之一，那里制造了第一个商业MOS集成电路。

也是在1964年，萨支唐去伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授长达26年之久。

1998年，萨支唐被授予了半导体工业协会（SIA）最高荣誉——罗伯特·诺伊斯奖，以表彰他对半导体行业的卓越贡献。还有以他名字命名的方程式——关于MOS晶体管输出电流－电压特性的经典描述就是萨支唐方程。

仙童科技衍生出了众多的芯片公司，“硅谷”无限生机！

众所周知，1968年，上面提到的罗伯特·诺伊斯（集成电路的发明人）、 戈登·摩尔（摩尔定律提出人）、安迪·葛洛夫（《只有偏执狂才能生存》作者）离开了仙童科技，以“ 集成电子 ”（ Integrated Electronics ）之名创立了INTEL。虞有澄1972年加入英特尔，1975年辞职创业开发全球首台家用电脑“Video Brain”，1981年回归后主导存储器不良品指数从4000降至400，1984年推动英特尔退出存储器市场，“ALL IN CPU”！

2018年，正值集成电路发明60周年，我和明锐理想CEO冀运景赴INTEL博物馆参观留念，这里记录了硅谷集成电路的起源和历史。

值得一提的是，INTEL在1971年推出4004开创了微处理器（PMOS）先河，但在微处理器上率先采用CMOS技术做CPU的是美国RCA（1974年的1802）。

当年，西部（硅谷）刚刚兴起，东部则实力强大。巨头美国无线电公司（RCA）美国无线电（RCA）公司在半导体领域的主要研究力量主要来自公司旗下的固态电路部门（SolidState），特别是其所属的普林斯顿研究实验室和位于新泽西州的萨默维尔制造基地。 1966年，RCA研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1966年，美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； 1968年，美国无线电（RCA）公司的阿尔伯特梅德温（AlbertMedwin）带领研究团队成功攻克了第一个具有商用化的CMOS集成电路。1974年，RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802。这颗处理器的耗电量要小很多。RCA 1802是第一款应用在航天领域的微处理器，例如，Viking、Galileo和 Voyager等航天项目都应用了该芯片。

CMOS原理性解释：

CMOS（互补式金属氧化物半导体、互补CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）指一种技术或工艺，而不是具体的某一种产品。这个工艺是在硅质晶圆模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本器件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，CMOS技术就是把NMOS和PMOS连接成互补结构。两种极性的MOSFET一关一开，几乎没有静态电流，不会像其他逻辑形式（如 NMOS或 TTL）那样产生过多的废热，因此非常适合作为数字逻辑电路。CMOS作为NMOS和PMOS的有机组合构成的逻辑器件，静态电源功率密度低，工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。该器件在逻辑状态转换时才会产生大电流，在稳定状态时只有极小的电流通过。这一制造工艺的最大特点就是低功耗，此外还具有速度快、抗干扰能力强、集成密度高、封装成本逐渐降低等优点。

第三节、中国台湾集成电路借助于CMOS起步

中国台湾的芯片产业是从精准压中CMOS路线而起步的，如今到达世界之巅，让全世界叹为观止。

潘文渊（Wen-Yuan Pan，1912年－1995年1月），江苏苏州人，1931年毕业于（浙江嘉兴）秀州中学，1935年从上海交通大学电机系毕业，1937年，赴美国斯坦福大学留学，1940年获得博士学位，师从世界无线电权威、“硅谷之父”斯坦福大学弗雷德·特曼教授，毕业后他参与了雷达（当时还是电子管）的研制与改进。

1974年，时任美国无线电公司（Radio Corporation of America，RCA）微波研究室主任的潘文渊受邀访台，他提出了发展集成电路技术作为未来台湾新兴工业发展方向。他与孙运璿、李国鼎等人发起以海外华人为主要成员的电子技术顾问委员会（Technical Advisory Committee，TAC），提供中国台湾发展电子工业的技术咨询，并遴选美国无线电公司（RCA）作为技术转移的合作伙伴，选定引进集成电路中的“互补式金属氧化物半导体“（CMOS）”技术，同时在工研院成立电子工业研究发展中心（后扩大为电子工业研究所），作为发展集成电路计划的执行单位。

1976年4月，经过招募培训的19人团队，怀着兴奋、紧张，以及期待的心情，出发前往美国。

1977年，中国台湾工研院成功引进美国RCA技术，落成了第一座集成电路三英寸示范工厂（CMOS工艺）。中国台湾的晶圆制造事业以此为起点。

工研院当时看好民生消费及通讯等产品在未来的发展趋势，选定以电子表作为验证技术成果的载具。早期的CMOS工艺功耗非常低，但运算速度不快，特别适合用在电子表产品上。

液晶显示式石英电子手表于1973年投入市场，由瑞士和日本开创发明。香港也成了电子表生产重地，采用进口芯片。

工研院第一个客户就是在香港的台商，购买了10万颗！不到一年，工研院的芯片生产良率甚至超过了师傅美国RCA。随后，工研院又做出了包括音乐 IC，电子拨号器、计算机（器）IC 以及电话 IC等。

工研院做出IC之后，电子表价格也迅速暴跌，1980年代就到了区区数元，中国台湾也一度成为世界第三大电子表产地。

第四节、韩国芯片启动也做电子表

1962年，韩国留学生Kang Ki-Dong在俄亥俄州立大学获得博士学位，之后在美国亚利桑那州菲尼克斯市的摩托罗拉公司工作，那里是世界上最大的分立晶体管工厂之一。作为一名会说日语的韩国工程师，他多次带领到访的工程师参观工厂，建立了关系网络。当摩托罗拉在韩国开设工厂的时候，Kang被派去对土地和合同进行初步评估，包括面试未来的工程人员。

Kang回到美国之后，开始在另一家公司工作，随后他遇到了两个老朋友。第一个是Kim Chu-Han，一位著名的广播网络运营商，Kang几年前就接触了业余无线电。第二个是他的同学，Harry Cho，一家半导体公司的运营经理。Kim有融资渠道，Cho擅长销售，而Kang知道半导体制造技术。三人提出了共同成立一家新公司的想法：集成电路国际公司（ICII）。

ICII设计了一款数字手表芯片，并在加州桑尼维尔的一条3英寸的小生产线上制造了第一个5微米CMOS大规模集成（LSI）部件。产品需求很大，比ICII的产能高出许多倍，于是客户推迟了批量生产订单。Kim的公司愿意为扩张提供资金，但前提是资本支出必须留在韩国国内。

Kang决定转移。他将继续在美国开展ICII芯片设计业务，但将ICII制造线送到富川（Puchon）并在那里进行扩张。新的合资企业是Hankook半导体公司。然而，1974年的全球石油危机和一连串的进口繁文缛节，使得搬迁成本远高于计划。晶圆厂终于成立并生产出了芯片，但运营资金在几个月内就所剩无几，到了破产的边缘。

在韩国，主要的技术融资渠道非常有限。经济环境不断恶化，石油价格继续飙升，日本人纷纷撤退。三星资金充足。李秉哲和他的儿子李健熙（Lee Kun-Hee）确信，他们必须涉足半导体业务，而不仅仅是购买芯片。父子二人试图说服他们的管理团队，让他们相信Hankook等先进芯片将是未来的发展方向。管理层犹豫不决。

1974年12月6日，李氏父子不顾管理层的忠告，自掏腰包出资入股Hankook半导体公司。到1977年底，业务完全合并，成为三星半导体。

三星半导体后来走入代工路线，与中国内地也有不少合作，如格科微的BSI技术最早就是在三星代工的，当时国内还没跟上。

第五节、中国在1980年代建立了CMOS工艺的量产能力

1、自主研发进步缓慢

计划经济时代，国内集成电路的领头羊878厂（国营东光电工厂）的发展状况是代表。

北京878厂在1969年试制出双极型TTL型中速与非门电路，之后陆续推出STTL型高速电路和双极型线性电路，并且各成系列投入批量生产。在上世纪70年代，在封闭的计划经济时代为国内各工业部门（从二机部到七机部）和科研院所提供了各种应用整机所需的众多集成电路。产品质量类别齐全，Ⅲ类、Ⅱ类、ⅠA类，乃至Ⅰ类电路应有尽有。当时北京878厂和上海无线电19厂被业界称为“南北两霸”，在一年两次（春季和秋季）全国电子元器件订货会上门庭若市，供不应求。北京大学电子仪器厂采用878厂生产的TTL中速电路和STTL高速电路研制成国内第一台一百万次大型电子计算机。

1973年初，四机部（后改名电子工业部）召开了一次集成电路座谈会。会上的一项重要议题，是指出国营东光电工厂（又称878厂）生产的集成电路（注：TTL和STTL电路）质量问题，这批国产集成电路质量不过关，影响到电子计算机整机调不出来。会后调研，878厂把质量原因总结为四个字：脏、虚、伤、漏——即肮脏、虚焊、划伤和漏气。

1973年5月，在中科院半导体研究所担任业务副所长的王守武，率领13人专家团队赴日考察，学习先进经验。

访日期间，把日立、东芝、NEC、松下、三菱、富士通、夏普各家公司看了个遍。了解到日本在1972年已经可以批量生产CMOS集成电路，部分企业开始采用3英寸晶圆生产线，而中国还在努力解决小规模集成电路的质量问题。

NEC表示愿意将全套先进的3英寸芯片生产线转让给中国，出让报价是：一种工艺技术及全线设备3000万美元，两种工艺及设备4000万美元，三种工艺及设备5000万美元。回头来看，这个价格真是诚意满得不能再满了，但当时我们的情况是，最多只拿得出1500万美元，而且之前引进美国电视机技术发生了”蜗牛“事件，因此专家们只能望洋兴叹。

如果当时引进这条生产线，我们或许将比台湾地区早3年（1977年）、比韩国早5年开展CMOS工艺批量生产。

因为NEC的全套设备和技术没有买成，后来就从日本和美国购买单台设备散拼生产线。以878厂为例，1978年建成小净化车间后开始上大规模集成电路。在国内领先采用2英寸硅片搞PMOS电路，试制出计算器电路，接着搞NMOS电路，试制出三片式4位微处理器电路。1980年在国内第一家建成大净化车间，在国内首先建成3英寸硅片生产线，打通双极型模拟电路工艺。同时，开始试制CMOS小规模电路，但是之后大净化车间3英寸线没有投入大批量生产，无法进行CMOS电路的规模化生产。

当年有一个调侃：“MOSMOS，一摸就死”，难搞啊！

2、香港三条四寸线有CMOS

1979至1983年，中国集成电路产业为了突破4英寸硅片和提高月产片量，通过不同渠道利用香港国际贸易自由港的优势，引进美日技术和设备，在香港大埔工业邨成立了3家公司：兴华、爱卡和华科，各自建成了4英寸芯片生产线。

首先由华科公司生产消费类电路产品时突破月产20000片的水平，另两家公司月产量也在10000片以上。为此，当时全国半导体行业协会在南京召开会员大会时，邀请华科公司到会上作了典型发言介绍经验，以此推进各厂提高自己的产片量。

三家公司的工艺水平接近同期国际标准（如台积电早期技术）。

香港的消费电子制造业非常发达，并且销往全球。三条线中肯定会有CMOS工艺，应用在电子表、计算器、时钟等低功耗场景。我也查到一条兴华早期的消息：

兴华半导体工业有限公司（深圳办事处）：兴华半导体工业有限公司（简称RCL）于1979年在香港成立，经过两年建设正式投产。RCL是先意识到半导体在电子产品中的重要性，是东南亚地区进入半导体行业的公司之一。 我公司目前主要生产计算器IC、数字钟表IC、行针钟表IC、LCD背光电路、音乐IC、闪灯IC、锂电池保护IC、降压型电压稳压电路、DC/DC升压转换器、三极管等等。

1987年，华润集团成立“华润集团（微电子）有限公司”，作为集团微电子业务的核心运营主体，承接华科电子的资产注入。仅一年后，华润集团进一步收购香港华科电子全部股份，依据集团整体战略，为其技术研发、产能扩张等关键环节提供专项支持。

3.1980年代中国实现CMOS电路的大规模生产

1988年：上海贝尔与上海无线电19厂（与北京878厂曾是”南北两霸“）合资组建上海贝岭微电子制造有限公司，1988年，上海贝岭微电子制造有限公司（从比利时贝尔引进）建成了中国大陆的第一条4英寸芯片生产线，这一成就滞后世界发展了13年。871厂绍兴分厂（华越微）也声称是88年建成内地第一条四英寸线。

贝岭生产线采用了2～3微米MOS电路工艺，首先生产了上海贝尔S1240程控交换机所用的9种LSI（大规模集成）电路，后来又引进了1.2微米CMOS电路工艺。 上海贝岭公司曾创造了中国半导体工厂中最好的经济效益，也是国内首家上市的微电子制造企业。

1989年8月8日成立中国华晶电子集团公司（简称华晶公司），它是由无锡742厂和24所无锡分所（由四川永川24所MOS部搬迁而来）合并而成。从德国西门子公司和日本东芝公司引进2～3微米CMOS型数字电路工艺4英寸和5英寸芯片生产线。

908工程中，华晶公司从美国朗讯公司引进一条6英寸芯片生产线，是0.9微米CMOS工艺产品，1998年1月通过对外合同验收。

中国CMOS产业终于大起步了。

华晶CMOS产线大量生产了各种MCU，下面的故事开始了。

第六节、中国在CMOS领域的创新设计

1、华南早期芯片多基于MCU之上的快速软件迭代

上世纪，Z80和MCS51系列单片机（核心是MCU）风靡一时，1980年代的用户程控交换机集体突破也是用这玩意儿。

电话机、复读机、MP3等电子产品风靡一时，华南有了第一批完全市场化的芯片企业，起步都是在MCU上进行快速软件迭代并形成整体方案。

成电（汇顶前身，深圳）、瑞芯微（福州）、炬力（珠海，台资）、全志（珠海）等都是这样起来的。

2001年，天讯龙和台湾华邦（MCU）定义了主叫识别（CID）话机单芯片一揽子解决方案，开启了TURNKEY SOLUTION先河。2010年开始，天讯龙大量采用华晶为其定制的MCU。

大家都知道，2005年联发科推出的MTK6225单芯片（基带+AP）一揽子方案发扬光大，服务山寨功能机。

胡正大却敏锐地看到了智能机发展方向，2005年创立敦泰电子研发电容屏的触控芯片，06在深圳设立研发机构，在芯片内嵌MCU上快速响应和软件定制来适配五花八门的机型是核心竞争力之一。

2009 年联想研发Lephone，敦泰时近一年研发出符合联想要求的产品，也就是公司历程里面的那一行“2010 年，触控方案导入联想主打触摸屏的智能手机LePhone，正式进军中国品牌智能终端市场。”拿下联想大单，这一仗让敦泰瞬间成名。2011 年做到千万美元规模，2012 年产品市场达到上亿美元规模。

2. CMOS图像传感器极大带动中国晶圆产业

1991年，王国裕和陆明莹在英国爱丁堡大学（VVL公司）作为最主要的研究者发明了基于CMOS工艺的图像传感器。在此之前，数码相机和摄像机广泛使用的是日本主导的CCD工艺。如果没有价廉物美、集成度高的CMOS IMAGE SENSOR，智能手机就难以标配如此多的摄像头，我们也无法享受如此丰富多彩的生活。TOF芯片也是类似的技术。

1995年，王国裕归国创业，于1998年3月开发成功我国第一个CMOS微型彩色摄像芯片，这是我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。他是最早海外归国的芯片创业人员。同年，他在清华的研究生同学魏少军也从海外归国任大唐微电子总经理。

硅谷豪威（当前在韦尔旗下）创始人洪筱英仔细看过了他们撰写的多篇论文后决定进入这个领域，合伙人RAYMOND WU拿着一颗王国裕在英国VVL公司做的芯片做演示，去台湾做陶瓷马桶和浴缸的和成（HCG）“骗”到了第一笔天使投资。有了钱之后，就邀请陈大同为联合创始人，他是王国裕在清华微电子所的研究生同班同学，于是一帮清华人进了公司。

豪威做出模样后，台积电又投了，并建立战略合作关系。豪威科技于2019年被韦尔股份收购。

无独有偶。2002年，赵立新从美国来到深圳，向高中同学夏风（华科）演示了CIS成像效果，并将创业做芯片说成像“喝蛋汤”（南县方言）一样容易。搞化学材料赚了快钱的夏风脑子一热，就投资了200万美元。随后，格科微也和中芯国际搭上了线，相互取暖。

2006年开始，山寨GSM手机爆发。上海格科微电子的廉价CMOS图像传感器在山寨机上热销，2009年1月八英寸晶圆产品累计出货突破10万片大关。代工厂中芯国际第一次实现了海量发货。当年，中芯的深圳八寸线大部分产能在为格科做CIS，珠三角涌现了一批小规模COM封装厂、模组厂，供应华强北山寨机。华虹也代工，并在格科微IPO前投资了格科。苏州晶方和昆山华天厂一度70%产能是给格科一家做WLCSP先进封装。

合肥“全村的骄傲”晶合集成（台湾力晶投资）的起步则与思特威（SmartSens清华徐辰）的CIS和DRIVER关系密切。

2019年广东粤芯第一期投产，是粤港澳地区首个量产的12寸产线，70%的产能是供格科微的一颗200万像素的芯片（GC02M1）。这颗芯片通常会被用作“微距”或“景深（虚化）”镜头，用作四摄、五摄，让手机摄像头更像”麻将牌“。

芯片TOF（Time of Flight，飞行时间）本质上也是类似的技术，可用在手机上做3D立体视觉识别，有芯视界、聚芯微、飞芯电子、炬佑智能、灵明光子等公司在努力。

3.手机一度有内置FM接收功能

2000年，欧洲的恩智浦（NXP）最早推出了手机调频收音机芯片。美国芯科实验室（Silicon Labs）后来提供了体积小、整合度最高的全CMOS调频（FM）收音机芯片。芯片价格从几元到10元不等，这两家企业在该市场上赚得了丰厚的利润。

2006年底，上海的锐迪科微电子推出了被称作新一代收音芯片的RDA5800，采用中芯国际（SMIC）0.18um RF CMOS 先进工艺，是国内第一款FM收音机芯，开启中国FM SoC新时代。这是一颗模数混合芯片，集成了射频和数字处理功能。该款芯片可以广泛应用于移动电话、MP3/MP4、调频收音机等。2007年，RDA5800实现了大规模的出货。

艾为（孙洪军，我的同级同学）做出了低噪声放大器（LNA）等射频芯片，使得内置FM接收不用天线。

4.手机电视芯片助力山寨手机起飞

云维杰1985年在郑州大学获得物理和电子学学士学位，之后，在加州大学伯克利分校获得了科学与工程专业硕士与博士学位。

2004年，云维杰在硅谷桑尼维尔创立了泰景（Telegent System），基于CMOS工艺研发了模拟电视接收单芯片（SoC），将调谐器、解调器、解码器等集成在一只芯片上，体积小，功耗低，可以用在手机里。值得一提的是，其运营、销售和服务中心是位于上海张江的上海泰景，贡献了其95%以上的收入和利润，主要客户来自华南，如华强北。老杳当年有如此评价：泰景崛起是集成电路界的奇迹。

电视手机可以接收到高高的电视塔上传出来的模拟广播电视信号（Analog Signal），完全免费，并兼容全球。

泰景模拟电视芯片是单芯片方案，成本相对低。推广初期的过程也很苦涩，辛辛苦苦说服手机方案设计公司优思科技做了方案，又在华强北找到了敢喝“头啖汤”的山寨机制造商。然并卵，模拟电视手机在国内也没有激起大的浪花。

RONNY陈云荣分享了一个故事。2006年，华人AHONG在印尼创立了HiTech品牌，专门推广电视手机，请了很多明星代言，获得巨大成功！

图注：印尼HITECH H.38机型

到2010年11月，泰景累计发货了1亿颗移动电视芯片。

然而，眼见他起高楼，眼见楼塌了，罪魁祸首竟然是4G+Wi-Fi、智能手机和流媒体、短视频！

5.基于CMOS工艺的射频芯片——GPS LNA

卓胜微本来是做CMMB手机电视芯片的，2008年奥运还灿烂一时，但这个赛道却崩塌了。不过，卓胜微却借此和台积电和三星都建立了战略合作关系，为下一步发展奠定了基础。

2013年，百度地图和高德导航相继免费，从此再不看地图了，直接上车就走我快80岁的老母亲感慨地跟我说：这么小的手机，居然可以连上卫星知道自己在哪里，还哪里都知道去，这世界上的人啊，怎么这么聪明？！

智能手机内置导航GPS功能瞬间火爆登场，而必需的GPS LNA（低噪声放大器）缺货很严重。传统西方厂家是基于GaAs（砷化镓）等特种工艺生产的，产能优先，优先供应苹果等大厂。

卓胜微许志翰捕捉到了这个千载难逢的机遇。

也就是在2013年，卓胜微与台积电合作，首次研发出了基于0.13微米的RFCMOS工艺的GPS LNA产品，功耗低，适合用于手机。产品在深圳的众多山寨智能机得到验证，许志翰说他拜访了几乎所有具有规模的山寨机公司。之后，成功导入三星供应链。

这里还有一个小故事——”恋曲1990“。

许志翰是清华大学90级，模拟技术合伙人唐壮北大90级。我的同学陈伯友就读于清华电子工程1990级，我去北京找他玩的时候，在他的床上睡过一晚，这让我沾了清华微电子的仙气。2019年，5G刚发牌时，我去清华大学出版社（我学过谭浩强BASIC和C语言）做汇报，找到一张清华90级捐的长凳。