倾佳电子固态变压器（SST）技术路线演进与未来十年应用增长深度分析

倾佳电子固态变压器（SST）技术路线演进与未来十年应用增长深度分析及基本半导体SiC MOSFET系列产品的战略应用价值报告

倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，分销代理BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

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倾佳电子-帅文广-SiC碳化硅MOSFET微芯 （壹捌玖 叁叁陆叁 柒柒陆伍）

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

1. 核心摘要

在全球能源结构向低碳化、数字化和分布式转型的宏大背景下，电力电子变压器（PET），即固态变压器（Solid State Transformer, SST），正处于从实验室走向规模化商业应用的关键拐点。作为智能电网的“能量路由器”，SST颠覆了传统工频变压器（LFT）仅依赖电磁感应进行被动电压变换的百年范式，通过引入电力电子变换级，实现了电压调节、谐波治理、无功补偿及交直流混合接口等主动控制功能。

倾佳电子旨在详尽分析SST在2025年至2035年间的技术路线演进逻辑与应用市场增长态势，并在此基础上，深度剖析基本半导体（BASiC Semiconductor）作为第三代半导体行业的领军企业，其碳化硅（SiC）MOSFET系列产品在SST生态系统中的核心应用价值。报告通过对海量技术规格书、可靠性测试报告及行业应用案例的交叉验证与深度挖掘，构建了从芯片微观物理特性到宏观电网架构的完整逻辑链条。

分析表明，SST的技术路线正向着模块化多电平（MMC）、高频化（>20kHz）和高压直挂方向演进。这一进程对核心功率器件提出了严苛要求：更高的阻断电压、更低的开关损耗以及在恶劣工况下的极致可靠性。基本半导体凭借其第三代B3M芯片技术、独创的Pcore™模块封装工艺（如Si3N4陶瓷基板、银烧结技术）以及在汽车级市场的深厚积累，为SST提供了克服“效率-体积-可靠性”不可能三角的关键钥匙。特别是其Pcore™2 E2B系列模块内置SiC肖特基二极管（SBD）的创新设计，彻底消除了体二极管反向恢复损耗，成为双向DC-DC隔离级（SST核心心脏）的理想选择。

2. 固态变压器（SST）技术路线发展趋势深度解析（2025-2035）

2.1 从被动传输到主动控制：SST的架构革命

传统工频变压器虽然具备高可靠性和低成本优势，但其体积庞大、重量沉重（主要由铁芯和铜绕组决定），且缺乏对电能质量的调控能力。SST的本质是将工频交流电整流为直流，调制为中高频交流电通过高频变压器耦合，再还原为工频或直流输出。这一过程的核心在于“频率置换体积”——根据变压器电动势方程，变压器体积与工作频率成反比。

2.1.1 拓扑结构的演进：模块化与级联化

在未来十年（2025-2035），SST面向中高压配电网（10kV/35kV）的渗透将确立**级联H桥（CHB）与模块化多电平换流器（MMC）**为主流技术路线。

输入级（AC/DC）：为应对配电网的高电压，无法使用单管直接耐压，技术趋势是采用多个低压（1200V/1700V）功率单元串联级联。这使得基本半导体的1200V和1700V SiC MOSFET模块 1能够通过“积木式”堆叠服务于10kV甚至更高电压等级的电网，规避了研发超高压（10kV+）器件的高昂成本与低良率风险。

隔离级（DC/DC）：这是SST减小体积的关键环节。**双有源桥（Dual Active Bridge, DAB）**拓扑因具备双向功率流动和软开关（ZVS）能力，已成为绝对的技术主流。然而，DAB在轻载或死区时间内易失去软开关特性，导致严重的硬开关损耗。这正是基本半导体零反向恢复模块大展身手的领域（详见后文分析）。

输出级（DC/AC）：面向低压侧负载，逆变级需要处理大电流并具备极高的过载能力，特别是应对电机启动冲击或电网短路故障。

2.2 频率提升与磁性元件优化

SST技术路线的核心驱动力是频率提升。

现状（2025）：主流商用SST样机的工作频率多在10kHz-20kHz区间，受限于硅基IGBT的开关损耗（拖尾电流效应）。

趋势（2030+）：随着SiC器件成本下降和磁性材料（如纳米晶、铁氧体）技术的进步，SST的工作频率将向50kHz-100kHz迈进。

器件挑战：频率提升意味着单位时间内的开关次数倍增。如果器件的单次开关损耗（Eon+Eoff）不能大幅降低，散热系统的体积增加将抵消变压器缩小的红利。基本半导体B3M系列芯片通过优化栅极电荷（Qg）和极间电容（Ciss/Crss），专为这种高频硬开关应用设计 。

2.3 智能化与多端口融合

未来的SST不再仅仅是变压器，而是“能源路由器”。

直流母线利用：传统变压器没有直流端口。SST中间级的直流母线（DC Link）将成为分布式光伏、储能电池和直流充电桩的直接接入点，省去了额外的AC/DC变换环节，大幅提升系统综合效率。

自我感知：为了实现智能运维，SST内部的功率模块必须具备感知能力。基本半导体的Pcore™系列模块全系集成了NTC温度传感器 ，允许控制系统实时监控每一相桥臂的热状态，实现动态增容和寿命预测。

3. 未来10年SST应用增长趋势分析

SST的应用增长并非孤立存在，而是由下游行业的电气化变革强力驱动。基于现有市场动态和基本半导体的战略布局，可以识别出以下四大高增长极。

3.1 极速电动汽车充电枢纽（800V/1000V架构）

这是SST未来十年最确定、最迅猛的增长点。随着电动汽车全面转向800V高压平台，传统的低压充电桩已无法满足350kW-600kW的兆瓦级充电需求。

痛点：建设一个包含10个超充桩的充电站，若采用传统方案，需要一台巨大的箱式变压器加上10套独立的AC/DC整流柜，占地面积大，配电效率低。

SST解决方案：采用SST直接从中压配电网（10kV）取电，输出统一的1000V直流母线。所有充电桩直接挂载在直流母线上进行DC/DC变换。这种“中压直供”方案可减少一级变换，提升效率2%-3%，并大幅节省寸土寸金的城市站点面积。

基本半导体机遇：基本半导体的碳化硅模块已被明确列为“大功率快速充电桩”的关键器件 。其Pcore™2 62mm模块（BMF540R12KA3）单体电流高达540A ，非常适合构建充电站母线的整流单元。

3.2 可再生能源的直流汇集（光伏与风电）

光伏：地面电站正向1500V甚至更高电压发展。SST可以作为升压单元，直接将光伏阵列的直流电并入中压交流网，替代笨重的工频升压变。

海上风电：风机塔筒顶部的机舱空间极其有限，且承重昂贵。传统油浸式变压器重量巨大，增加了塔筒造价。SST体积小、重量轻（无油、高频磁芯小），可显著降低海上风电的建设成本（CAPEX）。

环境适应性：海上高湿盐雾环境对器件可靠性是极大考验。基本半导体模块通过了H3TRB（高温高湿反偏）测试（85°C/85%RH/1000h） 1，证明了其在恶劣环境下的长期生存能力。

3.3 数据中心与工业直流微网

AI算力的爆发导致数据中心机架功率密度飙升至50kW-100kW。

趋势：为了降低传输损耗，数据中心供电架构正在从“UPS+PDU”向“中压直入+直流母线”转型。SST作为核心接口，将10kV市电直接转换为400V或800V直流电供给服务器机架。

3.4 轨道交通牵引变流

SST在高铁和地铁领域的应用前景。

车载SST：牵引变压器是列车上最重的部件之一。使用SiC SST替代传统牵引变压器，可减重30%-50%，这对于追求高速和节能的轨道交通至关重要。这要求器件具备极高的功率循环寿命，而基本半导体的银烧结工艺正是为此类高可靠性场景准备的。

4. 基本半导体SiC MOSFET系列产品技术深度剖析

要理解基本半导体在SST中的价值，必须深入其产品技术细节。作为一家采用IDM模式（设计、制造、封装一体化）的企业，基本半导体构建了针对SST需求的全方位产品矩阵。

4.1 第三代SiC芯片技术（B3M系列）：性能基石

B3M系列是基本半导体针对高性能应用推出的最新一代平面栅SiC MOSFET芯片。

超低比导通电阻：以B3M013C120Z为例，其典型导通电阻仅为13.5mΩ（1200V耐压） 。在SST的高电流整流级，这意味着极低的传导损耗（Pcond=I2×RDS(on)）。

高压布局：除了主流的1200V，基本半导体还推出了1400V MOSFET（如B3M010140Y） 。这一电压等级在SST应用中具有独特的战略价值：

在1000V直流母线系统中，1200V器件的电压余量仅为200V，考虑到开关过冲和宇宙射线失效率（FIT），安全裕度捉襟见肘。

1700V器件虽然安全，但导通电阻大幅增加，成本也更高。

1400V器件提供了完美的折中，既保证了足够的安规距离，又维持了较低的损耗，是SST直流环节优化的“黄金规格”。

4.2 Pcore™模块家族：为工业与SST定制

基本半导体没有简单沿用通用模块，而是开发了针对碳化硅特性的专用封装。

4.2.1 Pcore™2 E2B系列：DAB拓扑的完美匹配

该系列（如BMF240R12E2G3）采用了Easy2B兼容封装，但在内部电路拓扑上进行了重大创新——集成SiC肖特基二极管（SBD）。

技术细节：传统MOSFET依赖体二极管（Body Diode）续流，但体二极管存在反向恢复电荷（Qrr），会导致严重的开关损耗和电磁干扰。E2B模块并在MOSFET旁的SBD几乎消除了反向恢复电流（详见后文价值分析）。

4.2.2 Pcore™2 62mm系列：大功率SST的基石

针对兆瓦级SST，需要处理数百安培的电流。

规格：BMF540R12KA3提供1200V/540A的强悍能力 。

材料革新：采用Si3N4（氮化硅）AMB陶瓷基板和铜底板。Si3N4的抗弯强度是Al2O3（氧化铝）的1.5倍以上，热导率是其3倍以上 1。这使得大功率模块能承受SST长期运行中的剧烈热循环而不发生陶瓷碎裂或分层。

4.2.3 34mm系列：紧凑型设计的利器

BMF160R12RA3（1200V/160A） 提供了半桥拓扑的紧凑选择，非常适合构建SST中的级联单元（Cascade Cells），每个单元处理几千瓦到几十千瓦的功率，组合成兆瓦级系统。

5. 基本半导体SiC MOSFET在SST中的核心应用价值

本章节将结合SST的技术痛点与基本半导体的产品特性，进行点对点的价值映射分析。

5.1 价值一：极致的开关效率突破频率限制

SST要实现体积缩减，必须提高开关频率。然而，频率提升会直接导致开关损耗（Psw=fsw×(Eon+Eoff)）线性暴增。

数据支撑：根据基本半导体提供的对比测试数据 ，其BMF240R12E2G3模块（240A/1200V）在800V/150A工况下的总开关损耗（Etotal）仅为8.33mJ。

竞品对比：同样的工况下，某国际一线品牌（W***，推测为Wolfspeed）同类模块的损耗为9.15mJ，而传统的硅IGBT损耗通常在30mJ-50mJ量级。

SST应用含义：

热管理：更低的损耗意味着散热器体积可以减小，或者在相同散热条件下，SST可以输出更大的功率。

频率自由度：极低的Eoff（仅1.78mJ）使得SST设计者可以将频率从10kHz提升至50kHz，从而将高频变压器的磁芯体积缩小4-5倍，直接响应了SST“高功率密度”的技术路线需求。

5.2 价值二：“零反向恢复”解决DAB拓扑痛点

SST的核心隔离级——双有源桥（DAB）变换器，在进行功率双向流动调节时，经常会进入硬开关模式。此时，开关管必须承受反向并联二极管的反向恢复冲击。

痛点：普通MOSFET的体二极管虽比IGBT快，但仍有显著的Qrr。这不仅产生巨大的反向恢复损耗（Err），还会引起剧烈的电压尖峰和振荡（EMI问题），甚至导致桥臂直通炸机。

基本半导体方案：Pcore™2 E2B系列模块内部集成了SiC SBD。

价值量化：根据1数据，集成SBD后，反向恢复能量Err降至0.07mJ，几乎可以忽略不计。相比之下，未集成SBD的普通MOSFET体二极管Err通常高出一个数量级。

系统级收益：这使得SST可以采用更简单的控制策略（无需复杂的全范围软开关算法），同时大幅降低死区时间的损耗，提升全负载范围内的效率。

5.3 价值三：1400V耐压优化直流母线架构

在光储充一体化的SST应用中，直流母线电压往往设定在1000V-1100V以提升传输效率。

痛点：1200V器件用于1100V母线，仅剩100V余量，极易因关断过压而被击穿。使用1700V器件则如同“大马拉小车”，增加了不必要的导通损耗。

基本半导体方案：B3M010140Y单管及其衍生的模块技术提供了1400V的额定耐压 。

价值分析：

安全裕度：提供了300V-400V的电压余量，足以应对电网波动和开关尖峰，显著降低了宇宙射线导致的随机失效率。

性能折中：相比1700V器件，1400V器件的漂移层更薄，导通电阻更低。这为SST设计者提供了一个兼顾效率与可靠性的最优解。

5.4 价值四：航天级材料工艺保障电网级寿命

电网设备通常要求20-30年的使用寿命，这远超消费电子甚至普通工业设备的标准。SST作为电网节点，必须承受日夜温差、负载剧烈波动带来的热机械应力。

技术特征：基本半导体的大功率模块采用了**Si3N4 AMB陶瓷基板和银烧结**工艺。

数据验证：

Si3N4的热导率（90W/mK）远高于Al2O3（24W/mK），热膨胀系数（2.5 ppm/K）与SiC芯片（4 ppm/K）更为匹配 。

在可靠性测试中，这种组合通过了15000次以上的功率循环（IOL）测试（ΔTj≥100∘C）1。

SST应用含义：意味着基本半导体的模块不会因为SST每天随光伏发电波动而产生的热胀冷缩导致焊层疲劳或基板开裂，从而保障了SST作为基础设施的长周期稳定运行。

5.5 价值五：全产业链自主可控与汽车级品质溢出

供应链安全是能源基础设施（如国家电网项目）的首要考量。

供应链价值：基本半导体拥有深圳的6英寸SiC晶圆制造基地和车规级封装产线 。这种IDM模式保证了在SST大规模部署（需求爆发）时，产能供应的稳定性和成本的可控性。

品质溢出：基本半导体已经向车企批量供货 。汽车行业对PPM（百万分之几）级失效率的苛刻要求倒逼企业建立了极致的质量管理体系。这种“车规级”的制造能力被直接移植到工业级模块生产中，使得用于SST的工业模块实际上享受了汽车级的质量红利。

6. 数据详实：关键产品参数与竞品对标表

为了更直观地展示基本半导体产品在SST应用中的竞争力，下表基于研究资料中的实测数据整理而成。

表1：1200V半桥模块关键性能对标（基于

1）

性能指标	测试条件	基本半导体 (BMF240R12E2G3)	国际竞品 W (推测Wolfspeed)*	技术优势分析
导通电阻RDS(on)	Tj=25∘C	5.5 mΩ	6.75 mΩ	更低的静态损耗，重载效率更高。
高温RDS(on)	Tj=150∘C	8.5 mΩ	7.6 mΩ (注：竞品温漂略优，但基本半导体初始值更低)	综合全温度范围，导通损耗处于第一梯队。
关断损耗Eoff	800V/150A	1.78 mJ	3.21 mJ	损耗降低45%。极低的关断损耗是高频应用的关键，允许SST运行在更高频率。
总开关损耗Etotal	800V/150A	8.33 mJ	9.15 mJ	总损耗降低约10%，减轻散热压力。
反向恢复能量Err	二极管特性	0.07 mJ	0.83 mJ (未集成SBD)	降低一个数量级。得益于集成SBD，完美解决DAB拓扑硬开关痛点。
绝缘基板材料	-	Si3N4 AMB	通常为Al2O3或AlN	机械强度更高，热循环寿命更长。

表2：超大功率62mm模块参数解析（基于

1）

参数	数值	SST应用解读
额定电流ID	540 A (@90°C)	极高的电流密度允许SST单机功率做大，减少并联器件数量，提升系统可靠性。
导通电阻RDS(on)	2.5 mΩ (Typ)	在300A运行电流下，导通压降仅0.75V，远低于同级IGBT（约1.5V-2.0V），传导损耗降低50%以上。
热阻Rth(j−c)	0.07 K/W	极低的热阻意味着芯片产生的热量能迅速传导至散热器，提升过载能力。
漏源电压VDSS	1200 V	标准电压等级，适合级联型SST单元。

7. 战略总结与展望

深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET单管及功率模块，配套驱动板及驱动IC，请添加倾佳电子杨茜微芯（壹叁贰 陆陆陆陆 叁叁壹叁）

固态变压器（SST）代表了电力电子技术在能源领域的终极形态之一。从技术路线看，SST正通过级联多电平架构、高频化磁集成和智能化控制，逐步克服成本与可靠性的障碍。从应用趋势看，电动汽车800V超充网络建设、可再生能源并网以及轨道交通轻量化需求，正在为SST创造一个千亿级的潜在市场。

在这一历史进程中，基本半导体凭借其精准的战略卡位和深厚的技术积累，展现出了极高的应用价值：

技术契合度高：其B3M系列芯片和Pcore™模块（特别是集成SBD的E2B系列和1400V产品）完美解决了SST对于高频、高效、高压直流链路的特定需求。

可靠性壁垒强：通过引入Si3N4 AMB基板和银烧结工艺，基本半导体将工业级产品的可靠性提升到了准车规级水平，消除了电网客户对SST寿命的顾虑。

产业生态完善：依托IDM模式和强大的股东背景，基本半导体不仅是器件供应商，更是SST产业链生态的重要参与者。

综上所述，基本半导体的SiC MOSFET产品不仅是SST核心功率单元的理想选择，更是推动SST从“技术示范”走向“规模应用”的关键赋能者。随着未来十年全球电网升级浪潮的到来，基本半导体有望在这一细分领域占据核心地位，助力构建更加高效、智能的绿色能源互联网。

审核编辑 黄宇