倾佳电子代理的基本半导体碳化硅全系产品型号图谱与技术深度解析报告-电子发烧友网

倾佳电子代理的基本半导体碳化硅全系产品型号图谱与技术深度解析报告

倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，分销代理BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

1. 执行摘要

倾佳电子旨在为电力电子领域的行业专家、采购决策者及系统研发工程师提供一份详尽的、关于倾佳电子代理的深圳基本半导体（BASiC Semiconductor）产品的深度研究分析。在当前全球半导体产业向第三代宽禁带材料转型的关键时期，碳化硅（SiC）凭借其耐高压、耐高温、高频高效的物理特性，正重塑新能源汽车、光伏储能、轨道交通及高端工业控制等核心产业的能源转换架构。

作为中国第三代半导体行业的领军企业，基本半导体已建立起覆盖从碳化硅外延片、芯片设计、晶圆制造、分立器件封装、功率模块制造到驱动芯片开发的垂直整合（IDM）产品体系。倾佳电子基于基本半导体最新的2025年选型手册、技术白皮书及实测数据，全面梳理了其产品图谱。分析显示，基本半导体产品线在电压等级上覆盖650V至2000V，电流等级覆盖2A至950A，并针对不同应用场景开发了包括汽车级Pcore™系列、工业级Easy封装系列以及高性能分立器件在内的多元化解决方案。

倾佳电子将通过详细的参数对比、底层技术路线剖析、封装工艺解读及应用场景映射，构建一份详实的各种封装与规格的产品图谱，揭示其在第三代半导体领域的竞争地位与技术演进逻辑，为客户提供无可替代的选型参考与技术洞察。

2. 企业战略定位与技术制造底座

在深入分析具体产品型号之前，必须理解基本半导体的技术基因与制造布局，这直接决定了其产品的可靠性预期与供应链安全性。

2.1 垂直整合（IDM）模式与产业布局

基本半导体不仅是一家芯片设计公司，更是一家具备制造能力的IDM（Integrated Device Manufacturer）企业。这种模式使其能够从底层材料到最终封装进行全流程的质量控制，这对于车规级产品尤为关键。

深圳总部与晶圆制造：位于深圳坪山和光明的基地承担了总部的运营及碳化硅晶圆的制造任务，确保了核心芯片供应的自主可控。

无锡汽车级模块基地：专注于车规级功率模块的封装测试，引入了自动化产线，以满足汽车行业对一致性和可追溯性的严苛要求。

全球研发网络：在北京、上海、香港以及日本名古屋设有研发中心，特别是日本研发中心专注于车规级模块的先进封装技术开发，利用当地成熟的半导体人才资源反哺国内产线。

2.2 股东背景与生态协同

从资本结构和战略合作伙伴来看，基本半导体获得了产业巨头的战略投资。

基本半导体的产品质量管理体系（QMS）已对齐国际一流车规标准。

轨道交通与新能源汽车两大核心应用场景的头部客户验证，为产品在严苛环境下的可靠性提供了实战数据支撑。

3. 碳化硅MOSFET分立器件产品图谱与技术解析

碳化硅MOSFET是基本半导体的核心技术高地。相比传统的硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管），SiC MOSFET消除了拖尾电流，大幅降低了开关损耗，使得系统能够以更高的频率运行，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。基本半导体目前主力推广的是第三代（B3M系列）平面栅MOSFET技术，该技术在比导通电阻（RDS(on)×Area）与栅极氧化层可靠性之间取得了优异的平衡。

3.1 产品命名规则与代际演进

理解命名规则是快速选型的基础。以型号 B3M040120Z 为例，其蕴含了丰富的技术信息：

B：代表品牌 BASiC Semiconductor。

3：代表第三代技术平台（B3M系列）。相比第二代（B2M），第三代产品优化了元胞结构，显著降低了栅极电荷（Qg）和开关损耗（Eon/Eoff），更适合高频硬开关拓扑。

M：代表MOSFET器件。

040：代表典型导通电阻为 40mΩ（@25°C）。

120：代表额定阻断电压为 1200V。

Z：代表封装形式（此处Z特指TO-247-4封装）。

3.2 650V/750V 电压平台：高功率密度与SMD封装创新

该电压等级主要面向阳台光储，便携储能，混合逆变器、AI服务器电源及光伏微逆变器。为了适应这些应用对体积的极致追求，基本半导体在该电压段激进地引入了多种先进封装技术。

表 3.2.1：650V/750V SiC MOSFET 详细型号图谱

电压等级	典型内阻 (RDS(on))	额定电流 (ID@25∘C)	封装形式	典型型号	技术特性与应用场景深度解析
650V	40mΩ	67A	TO-247-3	B3M040065H	经典通孔封装。虽然寄生电感较大，但其成熟的散热接口使其成为标准PFC电路或替换现有Si MOSFET的低风险选择。
650V	40mΩ	67A	TO-247-4	B3M040065Z	开尔文源极设计（Kelvin Source）。通过引入独立的源极驱动引脚，将驱动回路与功率回路解耦，消除了源极电感上的L×di/dt反馈电压对栅极的干扰，显著提升开关速度并降低损耗，是高频硬开关电路的首选。
650V	40mΩ	64A	TOLL	B3M040065L	无引脚贴片封装（SMD）。TOLL (TO-Leadless) 封装体积仅为TO-263的一半，寄生电感极低（通常<2nH）。专为空间受限的高功率密度设计，如AI服务器电源模块和阳台光储，户储，微逆。
650V	40mΩ	64A	TOLT	B3M040065B	顶部散热（Top-side Cooling）。这是封装技术的一大创新。传统SMD器件热量通过PCB底部散发，限制了功率。TOLT将散热面置于顶部，允许散热器直接压在器件上，彻底解决了PCB热瓶颈，非常适合液冷板设计。
650V	40mΩ	45A	TO-263-7	B3M040065R	多引脚SMD。7引脚设计增加了源极的通流能力，并包含开尔文源极，兼顾了贴片工艺的便利性与大电流性能。
750V	10mΩ	240A	TO-247-4	B3M010C075Z	旗舰级低内阻。750V耐压设计为400V母线系统提供了更高的安全裕量（Derating）。10mΩ的极低内阻使其单管即可处理极大电流，混合逆变器，储能PCS,UPS，减少并联数量，降低系统复杂度。
750V	10mΩ	240A	TO-247-3	B3M010C075H	同样具备极低内阻，采用三引脚封装，兼容旧设计。但在极高频开关下，其栅极震荡风险高于4引脚版本。

深度洞察：封装演进背后的系统逻辑

从数据中可以清晰看到，基本半导体在650V等级上的布局策略是从“器件性能”向“系统集成度”转移。TOLL和TOLT封装的引入，不仅仅是封装形式的改变，而是对下游系统设计痛点的直接响应。在服务器电源功率密度要求达到100W/in³以上的今天，传统通孔器件的高度和引脚电感已成为瓶颈。TOLT封装通过顶部散热，使得PCB底部可以布设其他元器件，极大地提升了空间利用率，这表明基本半导体在与终端客户（如服务器电源厂商、混合逆变器，微逆，阳台光储，户储）的深度协同研发方面具备深厚功底。

3.3 1200V/1700V 电压平台：全场景覆盖的“长尾”策略

1200V及以上电压等级是SiC的主战场，广泛应用于800V高压快充、光伏逆变器（1100V系统）及工控变频器。基本半导体在此领域的布局展现了极高的细分度，电阻覆盖范围从11mΩ至160mΩ，形成了完整的“货架式”供应能力。

表 3.3.1：1200V SiC MOSFET 型号细分图谱

导通电阻	典型型号 (TO-247-4)	典型型号 (TO-247-3)	典型型号 (TO-263-7)	额定电流 (Typ.)	性能解析与应用匹配
11mΩ	B3M011C120Y	-	-	167A	超低阻抗。专为大功率光伏逆变器和储能变流器PCS单元设计。采用TO-247-4封装是必须的，因为在如此大的电流下，源极电感引起的栅极干扰会非常严重。
13.5mΩ	B3M013C120Z	B3M013C120H	-	>120A	第三代工艺的代表作，针对高效能转换应用，是替代传统IGBT模块进行分立器件并联设计的理想选择。
20mΩ	B3M020120ZL	B3M020120H	-	127A	黄金电阻段。平衡了成本与性能，是30-40kW充电桩模块的主流选择。ZL后缀代表长引脚，适合特定安规要求。
30mΩ	B2M030120Z	B2M030120H	B2M030120R	97A	广泛应用于15-20kW的光伏组串逆变器。提供SOT-227封装版本（B2M030120N），便于模块化安装。
40mΩ	B3M040120Z	B3M040120H	B3M040120R	64A	主推通用型号。应用最广泛，涵盖充电桩、储能及工业电源。提供ZN（细脚）等变体。
65mΩ	B2M065120Z	B2M065120H	B2M065120R	47A	适合中小功率辅助电源及三相PFC应用，性价比高。
80mΩ	B2M080120Z	B2M080120H	B2M080120R	39A	经济型选择，用于低功率应用或多管并联方案。
160mΩ	B2M160120Z	B2M160120H	B2M160120R	22.5A	适用于辅助电源（Auxiliary Power Supply）和低功率驱动，替代传统高压MOSFET 1

表 3.3.2：1700V SiC MOSFET 特殊规格

电压	型号	封装	内阻	电流	备注
1700V	B2M600170H	TO-247-3	600mΩ	7A	高压小电流辅助电源专用。专为光伏系统设计，可直接从直流母线取电，通过Flyback拓扑为控制电路供电。
1700V	-	SOT-227	-	-	未来规划方向，用于更高压的工业传动。

技术洞察：微小差异中的工业理解

在1200V产品线中，基本半导体提供了ZL（长脚）和ZN（细脚）等细微变体。这种看似不起眼的差异，实则体现了对工业现场痛点的深刻理解。在污染等级较高或高海拔的工业环境中，标准TO-247引脚间距可能无法满足加强绝缘的爬电距离要求。通过提供特殊引脚版本，工程师无需对PCB开槽或涂覆三防漆即可通过安规认证，这极大地简化了系统设计与制造流程。

4. 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）产品图谱

碳化硅肖特基二极管利用多数载流子导电，具有几乎为零的反向恢复电流（Irr≈0），这一特性使其成为PFC电路和高压整流电路中提升效率的关键。基本半导体的SBD产品线覆盖了从650V到2000V的超宽电压范围，并提供了包括SOT-227大功率模块封装在内的多种形态，不仅服务于板载电源，更深入到了大功率电柜领域。

4.1 650V 系列：PFC与快充的首选

该系列二极管广泛应用于PFC（功率因数校正）电路，是提升AC-DC电源效率的关键器件。

表 4.1.1：650V SiC SBD 型号分布

电流等级	TO-220系列 (K/KS/KF)	TO-247系列 (H/HC)	贴片封装 (E/F)	选型与应用建议
4A	B3D04065K/KS/KF	-	B3D04065E (TO-252)	服务器电源PFC。KS后缀代表全绝缘封装（FullPAK），KF代表全塑封，无需额外的绝缘垫片，极大简化了量产装配工艺，降低了热阻不一致的风险。
6A	B3D06065K/KS/KF	-	B3D06065E (TO-252)	适配1kW-1.5kW的通信电源PFC级。
10A	B3D10065K/KS/KF	-	B3D10065E/F	主流功率段，广泛用于消费电子（如PD快充适配器）及PC电源。
20A	B3D20065K	B3D20065H/HC	B3D20065F (TO-263)	适用于车载OBC及空调压缩机驱动。TO-263封装适合全自动化贴片生产。
30A - 50A	-	B3D30065H / B3D50065H	-	大功率单管。通过单管处理大电流，减少并联带来的均流难题。
60A - 80A	-	B3D60065HC / B3D80065HC	-	超大电流单管。HC代表3引脚共阴极设计，通过双芯片并联增强散热，适用于大功率焊机及工业整流柜。

4.2 1200V/2000V 高压系列：光伏与特种医疗

1200V SBD是三相PFC和光伏Boost电路的核心器件。而2000V器件则是基本半导体的独特技术高地。

表 4.2.1：高压SiC SBD 特殊型号

电压	电流	型号	封装	独特性与应用分析
1200V	2A - 5A	B2D02120K1 / B3D05120K	TO-220	小电流高压。适用于辅助电源的高压整流环节，替代低效的超快恢复二极管（FRED）。
1200V	40A	B3D40120HC	TO-247-3	充电桩标配。30kW充电桩模块的标准整流器件，高可靠性设计。
1200V	100A*2	B3DM100120N	SOT-227	超大功率模块。采用SOT-227四孔螺丝安装，内部并联两颗100A芯片，总电流达200A。适用于极高功率密度的整流柜，直接替代笨重的IGBT模块反并联二极管。
2000V	40A	B3D40200H	TO-247-2	超高压器件。突破了常规1200V/1700V限制。适用于1500V DC光伏系统的直接整流或特种医疗电源（如CT机X光高压发生器）。在这些应用中，2000V器件可以减少串联级数，极大简化电路拓扑。

5. 工业级全碳化硅功率模块图谱

工业模块是基本半导体替代传统IGBT市场的重拳产品。其产品线涵盖了行业标准的Easy封装（E1B/E2B）、62mm封装及34mm封装，旨在为光伏混合逆变器、储能（PCS）和DC/DC提供无缝升级方案，帮助客户在不改变现有机械结构的前提下实现性能跃迁。

5.1 Pcore™2 E1B/E2B 系列模块：充电桩与储能的基石

该系列采用了行业通用的Easy1B/2B封装尺寸，具有极高的替换便利性。基本半导体在此封装中引入了氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板。相比传统的氧化铝（Al2O3）DBC基板，AMB（Active Metal Brazing）基板的热导率提升了3倍以上，且具有极高的抗弯强度和热循环寿命，能够承受碳化硅器件高功率密度产生的剧烈热应力 1。

表 5.1.1：Pcore™2 E1B/E2B 工业模块型号

型号	电压	RDS(on)	额定电流	拓扑结构	封装	应用场景与技术细节
BMF011MR12E1G3	1200V	13mΩ	120A	半桥 (Half-bridge)	E1B	光伏逆变器MPPT通道，高频DC-DC。支持Press-Fit压接，提高装配效率。
BMH027MR07E1G3	650V	27mΩ	40A	H桥 (H-bridge)	E1B	在极小的E1B封装内集成全H桥（4个开关），功率密度极高。适用于紧凑型隔离DC-DC变换器。
BMF240R12E2G3	1200V	5.5mΩ	240A	半桥	E2B	明星产品。5.5mΩ的极低内阻，专为大功率充电桩（80kW+模块）设计。内部集成NTC温度传感器，实现精准热管理
BMF008MR12E2G3	1200V	8.1mΩ	160A	半桥	E2B	储能变流器（PCS）的主功率级，平衡了成本与性能。
BMF006MR12E2B3	1200V	6mΩ	240A	半桥	E2B	采用第三代芯片技术，开关损耗进一步降低。

5.2 34mm与62mm 经典封装模块：传统工业的升级利器

针对集中式储能PCS和光伏逆变器和工业电源市场中广泛使用的标准封装，基本半导体推出了“原位替换”的SiC方案。

表 5.1.2：34mm/62mm 工业模块图谱

封装	型号	电压	内阻/电流	特性与应用案例
34mm	BMF60R12RB3	1200V	21.2mΩ / 60A	经典半桥拓扑，引脚定义与标准IGBT模块完全兼容。
34mm	BMF80R12RA3	1200V	15mΩ / 80A	升级案例：在20kW电源应用中，使用该模块替代传统IGBT，开关频率可从20kHz直接提升至80kHz，不仅总损耗降低了约50%，还使得磁性元件体积大幅缩小，提升了焊机的动态响应速度。
62mm	BMF360R12KA3	1200V	3.7mΩ / 360A	超大功率。低至3.7mΩ的内阻，采用铜基板设计，杂散电感<14nH。适用于兆瓦级储能系统和工业感应加热电源。
62mm	BMF540R12KA3	1200V	2.5mΩ / 540A	即将发布。在标准62mm封装内实现540A的电流能力，挑战了该封装的功率密度极限，为从IGBT向SiC平滑过渡提供了最高性能选项。

5.3 Pcore™12 EP2 创新模块

BMS065MR12EP2CA2：这是一个针对商用暖通空调（HVAC）设计的创新模块。它在一个模块内集成了双三相桥结构（整流+逆变），电压1200V，内阻65mΩ。这种高度集成的设计极大简化了空调压缩机驱动板的布局，降低了系统组装成本。

6. 汽车级全碳化硅功率模块图谱

汽车级模块是基本半导体技术实力的集中体现，针对主驱逆变器的高可靠性要求设计。与工业级模块不同，汽车级产品全系导入了**银烧结（Silver Sintering）**工艺取代传统焊料，并使用DTS（Die Top System）铜线键合技术。银烧结层的熔点（960°C）远高于传统锡焊料（220°C），且热导率极高，配合Pin-Fin直接水冷散热底板，使得这些模块能够承受电动汽车频繁急加速带来的剧烈热冲击，满足车规级AQG-324的严苛可靠性标准。

6.1 Pcore™6 (HPD) 系列：对标国际主流

Pcore™6是对标行业标准HPD（High Power Drive）封装的产品，是目前高端EV主驱的主流选择。

表 6.1.1：Pcore™6 汽车模块型号

型号	电压	电流	拓扑	技术特征
BMS600R12HWC4	1200V	800A	三相全桥	高性能四驱首选。内部采用8颗芯片并联（8-in-Para），标准端子设计。适用于800V平台的高性能轿跑或SUV主驱。
BMS700R08HWC4	750V	700A	三相全桥	针对400V平台的大功率车型，提供高性价比的SiC方案。
BMS800R12HLWC4	1200V	800A	三相全桥	长端子版本（Long Terminal）。针对特定的Busbar（母线排）连接设计，提供了更灵活的机械安装选项。

6.2 Pcore™2 (DCM) 与 Pcore™1 (TPAK) 系列：高密度与灵活性

Pcore™2 (DCM) ：基于模塑封装（Transfer Molded）技术，如BMF920R08FA3（750V/920A）。模塑封装相比灌胶封装具有更高的机械强度和更低的热阻，适用于空间极致紧凑的电驱“三合一”系统。

Pcore™1 (TPAK) ：单开关模块，如BMZ300R08TA3（750V/300A）。这是一种模块化设计思路，客户可以通过并联不同数量的TPAK模块（如2并、4并）来灵活构建不同功率等级的逆变器，极大降低了BOM管理的复杂度，实现了“一个模块打天下”的设计理念。

7. 门极驱动芯片与生态系统

为了充分发挥SiC器件的高速开关性能，基本半导体并未止步于功率器件，而是配套推出了BTD系列隔离驱动芯片，形成了“器件+驱动”的系统级护城河。SiC MOSFET的驱动要求与IGBT截然不同，需要更高的共模瞬态抗扰度（CMTI）和负压关断能力。

表 7.1：SiC专用门极驱动芯片图谱

系列	型号	通道数	绝缘电压	关键特性与SiC适配性	封装	目标应用
BTD3011R	BTD3011R	单通道	5000 Vrms	全功能保护。集成退饱和（Desat）短路保护、软关断、欠压保护。SiC器件短路耐受时间短（通常<3µs），该芯片能极速检测过流并执行软关断，防止关断过压击穿芯片，是保护昂贵SiC模块的最后一道防线。	SOW-16	主驱逆变器、大功率光伏
BTD5350	BTD5350MCWR	单通道	5000 Vrms	米勒钳位（Miller Clamp）。SiC的高dv/dt容易通过米勒电容耦合导致误导通。该芯片内置有源米勒钳位电路，在关断期间将栅极强拉至负压，彻底杜绝炸机隐患。	SOW-8	充电桩、UPS
BTD25350	BTD25350MMCWR	双通道	5000 Vrms	半桥专用。双通道设计，天然适配半桥拓扑。集成死区时间（Deadtime）设置功能，简化了DSP控制算法，防止上下管直通。	SOW-18	储能PCS、半桥拓扑电路
BTP1521	BTP1521P	-	-	驱动电源芯片。正激DC-DC拓扑，专为驱动芯片的副边隔离供电设计。能够配合变压器提供SiC所需的+18V/-5V或+15V/-3V非对称驱动电压，解决了传统LDO无法提供负压的痛点。	SOP-8	驱动电源辅助供电

8. 混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC）

这是一个极具性价比的跨界产品线，旨在以较低成本实现部分SiC的性能优势，是成本敏感型市场的理想选择。

表 8.1：混合碳化硅器件图谱

型号	电压	电流	构成	原理与性能优势
BGH50N65HF1	650V	50A	Si IGBT + SiC SBD	取长补短。将成熟的硅基IGBT与碳化硅肖特基二极管合封。在硬开关拓扑中，二极管的反向恢复电流是主要的损耗源之一。利用SiC二极管无反向恢复的特性，显著降低了IGBT在开通时的电流尖峰和损耗（Eon大幅降低）。这使得该器件能运行在比纯IGBT更高的频率，且成本显著低于全SiC MOSFET 。
BGH75N120HF1	1200V	75A	Si IGBT + SiC SBD	适用于PFC电路或光伏逆变器的升压级（Boost）。在这些不要求双向流动的电路中，混合器件提供了最佳的性价比平衡。

9. 总结与应用展望

深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
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