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SS6952A - 高耐压50V/7A 单H桥电流控制电机驱动芯片

率能半导体 2025-11-06 09:41 次阅读
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SS6952A-单通道H桥电流控制电机驱动

SS6952A为电机一体化应用提供一种大电流单通道集成电机驱动方案。SS6952A有一路H桥驱动,可提供最大峰值电流7A,可驱动一个刷式直流电机,或者螺线管或者其它感性负载。

SS6952A的功率输出模块由N型功率MOSFET组成H桥电路,包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接口,衰减模式可选择为快衰减,慢衰减和混合衰减。

SS6952A提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路,以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式通过设置nSLEEP引脚来实现。内部关断功能包含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温保护,并提供一个故障输出管脚nFAULT引脚。

SS6952A提供一种带有裸露焊盘的eTSSOP28封装,能有效改善散热性能,且是无铅产品,引脚框架采用100%无铅电镀。


应用原理图abec3970-bab1-11f0-8ce9-92fbcf53809c.jpg

功能特色


1. 单通道H桥电流控制电机驱动器· 单个直流有刷电机

· 一个步进电机单相· PWM控制接口

2. 固定频率下电流控制可选择· 2bits 电流控制,提供4个电流台阶3. 低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)· 24V,Ta = 25°C时可实现7.0A最大驱动电流(在保证散热良好条件下)· 24V,Ta= 25°C时RDS(HS+LS)为150mΩ(典型值HS + LS)4. 最大供电耐压50V

5. 睡眠模式低电流6. 内置3.3V基准电压7. 带散热片的表面贴装封装

ac0d5dd0-bab1-11f0-8ce9-92fbcf53809c.jpg

引脚示意图


保护机制

01

欠压保护(UVLO)

如果VM电压低于欠压锁定阈值,芯片内部所有电路都不工作并且内部逻辑都清零。直到VM电压升高至比UVLO阈值高时才恢复工作。

02

过热保护(TSD)

如果芯片温度超过安全范围,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低。一旦温度降至安全水平,将自动恢复正常工作。

03

过流保护(OCP)

MODE2=”1”:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果模拟电流限制持续时间比OCP的尖峰时间(2.6us)长,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。经过10ms的等待时间后芯片重新工作,nFAULT引脚重新置高,并继续检测OCP。若在此时OCP故障仍存在,则芯片在10ms的等待时间后继续工作,以此循环下去,直到OCP故障取消。

MODE2=”0”:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果模拟电流限制持续时间比OCP的尖峰时间(2.6us)长,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。直到芯片故障排除,并且需要重新上电,或者通过nSLEEP、nRESET管脚重新复位芯片。

高边和低边功率管的过电流条件;即短路接地、短路到电源或电动绕组间短路,都会导致过电流关断。注意过电流保护不使用用于PWM电流控制的电流感应电路,与ISENSE电阻或基准电压VREF无关。


框图

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