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AMC1304M05-Q1 产品核心信息总结

科技绿洲 2025-11-06 14:00 次阅读
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AMC1304M05-Q1是一款精密的 δ-σ (ΔΣ) 调制器,其输出通过具有很强抗磁干扰能力的电容式双隔离栅与输入电路隔开。该屏障经认证可提供高达 7000 V 的增强隔离符合 DIN V VDE V 0884-10、UL1577 和 CSA 标准。该器件与隔离式电源结合使用,可防止高共模电压线上的噪声电流进入本地系统接地并干扰或损坏低压电路。
*附件:amc1304m05-q1.pdf

AMC1304-Q1 的输入经过优化,可直接连接到分流电阻器或其他低电压电平信号源。±50mV 器件独特的低输入电压范围可显着降低分流器的功耗,同时支持出色的交流和直流性能。通过使用适当的数字滤波器(即集成在 TMS320F2807x 或 TMS320F2837x 系列上)对比特流进行抽取,该器件可以在 78 kSPS 的数据速率下实现 16 位分辨率,动态范围为 81 dB (13.2 ENOB)。

在高侧,调制器由集成的低压差 (LDO) 稳压器供电,该稳压器允许 4 V 至 18 V (LDOIN) 之间的非稳压输入电压。隔离式数字接口采用3.3 V或5 V电源(DVDD)供电。

AMC1304-Q1 采用宽体 SOIC-16 (DW) 封装。

特性

  • 符合汽车应用标准
  • AEC-Q100 符合以下标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C
    • HBM ESD 分类 2 级
    • CDM ESD 分类 C6 级
  • 引脚兼容系列,具有:
    • ±50mV或±250mV输入电压范围
    • CMOS 或 LVDS 数字接口选项
  • 优异的直流性能:
    • 失调误差:±50 μV 或 ±100 μV(最大值)
    • 失调漂移:1.3 μV/°C(最大值)
    • 增益误差:±0.2% 或 ±0.3%(最大值)
    • 增益漂移:±40 ppm/°C(最大值)
  • 安全相关认证:
    • 7000伏PK根据 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12 的增强隔离
    • 5000伏有效值隔离 1 分钟,符合 UL1577 标准
    • CAN/CSA 第 5A 号组件验收服务通知
  • 瞬态抗扰度:15 kV/μs(最小值)
  • 高电磁场抗扰度
    (参见应用笔记 SLLA181A)
  • 外部5 MHz至20 MHz时钟输入
  • 片内18V LDO稳压器

参数

image.png

方框图

image.png
AMC1304M05-Q1 是 AEC-Q100 认证的高精度增强型隔离 ΔΣ 调制器,内置 LDO 调节器,专为汽车高压场景设计,具备 ±50 mV 输入范围、CMOS 数字接口与高隔离等级,适用于牵引逆变器、车载充电器等场景的高精度电流 / 电压检测。

核心参数与特性

  • 性能规格 :16 位分辨率,微分非线性(DNL)±0.99 LSB,积分非线性(INL)±5 LSB;偏移误差最大 ±50 µV,偏移漂移最大 1.3 µV/°C,增益误差最大 ±0.3%。
  • 输入与接口 :差分输入范围 ±50 mV(最大钳位电压 ±62.5 mV),输入阻抗 5 kΩ;采用 CMOS 数字接口(带施密特触发器),外部时钟输入范围 5 MHz-20.1 MHz,数据同步于 CLKIN 下降沿输出。
  • 隔离与抗干扰 :增强型隔离等级,峰值隔离电压 7000 VPK,1 分钟耐压 5000 VRMS;共模瞬态抗扰度(CMTI)最小 15 kV/µs,共模抑制比(CMRR)直流时达 -98 dB,电磁干扰免疫力强。
  • 供电与功耗 :集成 LDO 支持 4V-18V 宽输入(LDOIN),输出 3.45 V(VCAP);控制器侧供电(DVDD)3.0V-5.5V;LDO 输入电流典型值 5.3 mA,CMOS 接口供电电流典型值 2.7 mA-5.5 mA(视 DVDD 电压而定)。
  • 封装与环境 :16 引脚 SOIC(DW)封装(10.3mm×7.5mm),工作温度范围 -40°C 至 +125°C,ESD 防护等级 HBM ±2500V、CDM ±1000V。

关键功能说明

  • 调制与滤波 :二阶 ΔΣ 调制器输出 1 位比特流,需搭配外部数字滤波器(如 sinc³ 滤波器) decimation 处理,78 kSPS 数据率下动态范围达 81 dB(13.2 ENOB)。
  • 集成 LDO 与供电 :内置 LDO 简化高压供电设计,无需额外稳压电路;LDO 输入需配置 0.1 µF 去耦电容,输出(VCAP)需搭配 0.1 µF 电容稳定电压。
  • 故障安全与过范围输出 :LDO 输入缺失时输出保持稳定,避免系统误动作;输入超量程时,每 128 个时钟周期输出一个特定比特,区分供电故障与满量程输入。
  • 抗干扰性能 :电源抑制比(PSRR)达 -110 dB,输入带宽 800 kHz,能有效抑制高压环境中的电源噪声与瞬态干扰。

典型应用场景

适用于汽车牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器电池管理系统(BMS)等高压场景,可直接对接分流电阻实现高精度电流检测,或通过电阻分压器实现隔离电压检测,适配 TMS320F2807x/F2837x 等 MCU 的 sigma-delta 滤波器模块(SDFM)。

应用设计要点

  • 电源与去耦 :LDOIN 引脚需外接 0.1 µF 低 ESR 陶瓷去耦电容(可追加 10 µF 电容增强滤波),VCAP 引脚配置 0.1 µF 去耦电容,均靠近引脚放置。
  • 布局建议 :严格保持引脚间爬电距离与电气间隙≥8 mm;模拟输入走线远离数字电路,分流电阻贴近模拟输入引脚且走线对称,减少信号干扰。
  • 输入配置 :电流检测时直接连接低阻抗分流电阻,电压检测需通过高精度电阻分压器衰减高压;为抵消偏置电流影响,建议在 AINN 引脚串联与检测电阻等值的匹配电阻。
  • 时钟与同步 :多通道应用时需同步外部时钟(CLKIN),占空比保持在 40%-60%;接口启动时间为 32 个 CLKIN 周期,模拟启动时间 1 ms,需预留足够启动时间。
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