STMicroelectronics LD5602 超低噪声LDO是一款高精度稳压器，提供0.2A电流。LD56020通过输入和输出端的小型陶瓷电容实现稳定运行。LD56020具有极低压差、低静态电流和短路电流折返特性，因此适合用于低功耗电池供电应用。借助使能逻辑控制功能，该器件可进入关断模式，从而实现低于0.1µA的总电流消耗。

数据手册；*附件：STMicroelectronics LD56020超低噪声LDO数据手册.pdf

STM LD56020超低噪声LDO提供热保护，采用节省空间的CSP 0.65 x 0.65mm² SOT23-5L封装。

特性

• 输入电压范围：1.1V至5.5V
• 超低压差（200mA负载下的最大值为190mV）
• 低接地电流（无负载条件下的典型值为18μA）
• 输出电压容差：2%（过热），±1%（25°C时）
• 确保200mA的输出电流
• 超低输出噪声：8.8µV RMS （10Hz至100kHz）
• 输出电压步进：50mV（可根据要求提供）（0.6V至4.0V）
• 逻辑控制电子关断
• 热关断
• 有源输出放电功能
• 倒装芯片40.65 x 0.65mm²和SOT23-5L封装

框图

应用电路

STMicroelectronics LD56020超低噪声LDO技术解析与应用指南

一、产品概述

LD56020是意法半导体推出的一款高精度低压差线性稳压器，专门为空间受限的便携式设备设计。该器件在仅0.65×0.65 mm²的Flip-Chip4封装和SOT23-5L封装中，集成了超低压降、超低噪声和低静态电流等关键特性，成为电池供电应用的理想选择。

二、核心特性分析

2.1 电气性能优势

• ‌宽输入电压范围‌：1.1 V至5.5 V，兼容多种电池类型
• ‌超低压差电压‌：最大值190 mV（在200 mA负载条件下）
• ‌超低输出噪声‌：8.8 µVRMS（10 Hz至100 kHz频段）
• ‌低静态电流‌：典型值18 µA（空载时）

2.2 精度与稳定性

• ‌输出电压精度‌：±2%（全温度范围），±1%（25°C时）
• ‌输出电流能力‌：保证200 mA输出电流
• ‌输出电压步进‌：50 mV（0.6 V至4.0 V可调，需定制）

三、关键技术参数详解

3.1 动态性能指标

• ‌ 电源抑制比(PSRR) ‌：
  • 100 Hz时90 dB
  • 1 kHz时95 dB
  • 10 kHz时85 dB
  • 100 kHz时55 dB

3.2 保护功能

• ‌热关断保护‌：触发温度160°C，回滞20°C
• ‌短路保护‌：折返保护机制，短路电流典型值100 mA
• ‌输出主动放电‌：关断时快速释放输出电荷

四、应用电路设计要点

4.1 典型应用配置

根据数据手册提供的应用框图，标准配置包括：

• 输入电容(CIN)：1 µF（最小0.7 µF）
• 输出电容(COUT)：1 µF（最小0.7 µF）
• 使能控制：逻辑电平控制，内置1 MΩ下拉电阻

4.2 电容选择建议

• ‌输入电容‌：1 µF陶瓷电容，ESR范围5 mΩ至500 mΩ
• ‌输出电容‌：1 µF陶瓷电容，确保系统稳定性

五、热管理与封装考虑

5.1 热特性参数

• ‌Flip-Chip4封装‌：热阻210°C/W
• ‌SOT23-5L封装‌：热阻200°C/W
• ‌工作温度范围‌：-40°C至125°C（结温）

5.2 封装选择指南

• ‌空间优先‌：Flip-Chip4（0.65×0.65 mm²）
• ‌焊接便利性‌：SOT23-5L（标准封装）

六、典型应用场景

6.1 主要应用领域

• ‌智能手机/平板电脑‌：为敏感模拟电路提供洁净电源
• ‌图像传感器‌：满足低噪声、高PSRR要求
• ‌VCO和RF模块‌：确保相位噪声性能

七、设计注意事项

7.1 布局布线建议

• 输入输出电容应尽可能靠近器件引脚
• 电源走线应保持足够宽度以降低阻抗
• 接地引脚应直接连接到系统地平面

7.2 性能优化策略

• 为获得最佳噪声性能，建议VIN ≥ VOUT(NOM) + 0.3 V
• 在高温环境下使用时需考虑功率降额
• 使能引脚在浮空状态下自动关断，防止意外开启