云电源的由来与应用

云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中，云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源，以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元 (PSU)，以及众多的 DC-DC 转换器来提供负载点电源。

由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数（2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%），因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终将会有损耗。这种发热如此之大，以至于导致冷却成本是运行服务器机群的主要成本之一。这导致 PSU 制造商不断寻求构建更高能效的 PSU。此外，为了以更佳的能效降低冷却成本，需要减小 PSU 的尺寸，从而使更多的服务器可以安装在相同的空间中。

传输这些数据的方式有很多种，但2019年部署的是下一代无线互联5G。一旦 5G 技术得以充分利用，它将能够提供比当前 4G LTE 网络快10倍的速度。这种速度的提高需要更高的功率，这将使每个 5G 无线电中的功率 MOSFET 数增加约5倍。

为此，安森美半导体提供高性能分立方案，以成功地实现云电源市场的高能效目标。相较上一代超级结器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET 系列使云电源能够达到这更高的能效。SuperFETIII 技术提供三种不同的版本：易驱动版本 (Easy Drive)、快恢复版本 (FRFET) 和快速版本 (FAST)。应用和拓扑结构将决定应该使用哪个版本来获得最佳的能效。

针对次级端，安森美半导体提供全系列中、低压 MOSFET，这些 MOSFET 已针对云电源进行了优化。T6 技术为30V、40V 和 60V 提供业界最低的 RDSon。新的 T8 技术为25V、40V、60V 和 80V 提供与 T6 相同的超低 RDSon，同时进一步改善了开关参数。对于80 V、100 V 和120 V，采用 PTNG 技术，提供出色的 RDSon 和体二极管性能。随着制造商挑战更高能效和强固性，他们开发出像安森美半导体的650及1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管这样的器件，用于功率因数校正 (PFC) 级。

随着基于云的物联网的急剧增加，云由最高能效的电源供电很重要。安森美半导体正尽己所能，提供25V 至650 V 的领先行业的 MOSFET，并开发下一代半导体 SiC。