BD9D300MUV同步整流降压型开关稳压器文档介绍

BD9D300MUV是一款同步整流降压型开关稳压器，内置了低导通电阻的功率MOSFET。可以输出高达3A的电流。因为振荡频率高，所以可以使用小型电感。采用独有的导通时间控制方法，可在轻负载条件下实现低功耗，适用于需要降低待机功耗的设备。

*附件：BD9D300MUV.pdf

主要规格

型号 | BD9D300MUV-E2

封装 | VQFN016V3030

包装形态 | Taping

包装数量 | 3000

最小独立包装数量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸图

特点：

• 单相同步降压直流 / 直流转换器
• 导通时间控制
• 轻载模式控制
• 过流保护（OCP）
• 短路保护（SCP）
• 热关断保护（TSD）
• 欠压锁定保护（UVLO）
• 可调软启动
• 电源正常输出
• 过压保护（OVP）
• VQFN016V3030 封装（背面散热）

典型应用电路

引脚配置

PCB 设计与散热要点

1. 布局核心原则

• 电流环路最小化 ：重点优化两个大脉冲电流环路 ——①高端 MOSFET 导通：CIN→PVIN→SW→L→COUT→PGND→CIN；②低端 MOSFET 导通：低端 MOSFET→L→COUT→PGND→低端 MOSFET。环路需短而粗（推荐线宽≥1mm），减少寄生电感与辐射噪声，提升效率。
• 接地分离与连接 ：AGND（信号地）与 PGND（功率地）分开布线，FB、SS 等敏感引脚接 AGND，输入 / 输出电容接 PGND，最终在靠近输出电容处单点连接 AGND 与 PGND，避免大电流干扰控制电路。
• 关键节点隔离 ：SW 节点（高频开关，电压波动大）需远离 FB、VOUTS 引脚（距离≥1mm）；RESERVE 引脚必须接地，不可悬空；输入电容与输出电容分开布局，避免输入谐波噪声影响输出纹波。

2. 散热设计

• 热阻特性 ：VQFN016V3030 封装在 4 层板（70mm×70mm×1.6mm）下结到环境热阻（θJA）典型 57.5℃/W，1 层板下为 189.0℃/W，需根据 PCB 层数调整散热设计 ——4 层板推荐在 EXP-PAD 下方布置≥74.2mm×74.2mm 铜箔，1 层板需增大铜箔面积或增加散热过孔。
• 降额要求 ：当环境温度超过 25℃时，需按热阻降额，例如 4 层板、Ta=85℃时，最大功耗 Pd= (Tjmax-Ta)/θJA= (150-85)/57.5≈1.13W，避免结温超 150℃（Tjmax）。