BD95831MUV 1ch降压开关稳压器文档介绍

BD95831MUV是可在输入电压范围（7.5V～15V）内通过大电流输出实现输出电压（0.8V～5.5V）的1ch降压开关稳压器。通过内置开关晶体管用的N-MOSFET，可实现省空间的高效同步整流开关稳压器。采用H3Reg™罗姆的ONTIME固定控制模式，无需相位补偿部件，即可实现高速瞬态响应特性。具有软启动功能、PowerGood功能、带计时锁存的短路输出 / 过电压保护电路功能，适用于数字AV设备用电源。

*附件：BD95831MUV.pdf

主要规格

型号 | BD95831MUV-E2

封装 | VQFN016V3030

包装形态 | Taping

包装数量 | 3000

最小独立包装数量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸图

特点：

• 因 H3Reg 控制实现快速瞬态响应
• 逐周期过流保护（OCP）
• 热关断（TSD）
• 欠压锁定（UVLO）
• 短路保护（SCP）
• 过压保护（OVP）
• 固定软启动（典型 1 毫秒）
• 电源正常指示功能

PCB 设计与使用注意事项

1. PCB 布局要点

• 电流环路优化 ：最小化两个关键电流环路面积 ——①高端 MOSFET 导通时：输入电容→VIN→SW→电感→输出电容→PGND→输入电容；②低端 MOSFET 导通时：低端 MOSFET→电感→输出电容→PGND→低端 MOSFET。
• 接地设计 ：PGND（功率地）与 GND（信号地）分开布线，最终单点连接；输入电容、输出电容需尽可能靠近 VIN/VOUT 引脚与 PGND，减少寄生电感。
• 散热设计 ：热焊盘需连接至大面积 GND 平面，建议在热焊盘下方布置多个热过孔（如 0.3mm 孔径），将热量传导至多层板地平面；参考热降额曲线，不同 PCB 层数散热能力不同（4 层板全铜铺地时 Pd 最大 2.66W，1 层板仅 0.62W）。

2. 使用限制与注意事项

• 抗辐射性 ：产品非抗辐射设计，不可用于有辐射环境的设备。
• 高危应用限制 ：不可用于医疗设备（如 Class Ⅲ/Ⅳ）、交通设备、航空航天设备等可能因故障导致人员伤亡或重大财产损失的场景，除非提前与 ROHM 确认。
• 静电防护 ：属于静电敏感元件，生产、存储、使用时需接地（人体、设备、电烙铁），使用离子风扇，控制温湿度。
• 引脚电压限制 ：避免输入引脚电压低于 GND，防止内部寄生二极管 / 晶体管导通导致电路干扰或损坏。