BD9A100MUV是内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器。最大可输出1A的电流。凭借SLLM™控制,实现轻负载状态的良好效率特性,适用于要降低待机功耗的设备。振荡频率1MHz的高速产品,适用于小型电感。是电流模式控制DC/DC转换器,具有高速瞬态响应性能,可轻松设定相位补偿。
主要规格
型号 | BD9A100MUV-E2
封装 | VQFN016V3030
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes
尺寸图

特点
- 同步单相直流 / 直流转换器
- SLLM™(简单轻载模式)控制
- 过流保护
- 短路保护
- 热关断保护
- 欠压锁定保护
- 可调软启动功能
- 电源正常输出
- VQFN16V3030 封装(背面散热)
核心功能与工作机制
1. 双模控制技术(SLLM™+PWM)
- SLLM™控制(轻载模式) :当负载电流较小时(如几十 mA),自动切换为非连续导通模式,减少开关次数以降低开关损耗,提升轻载效率(如图 22-24,轻载时效率比固定 PWM 模式高 10%-20%)。
- PWM 控制(重载模式) :负载电流较大时(如>0.1A),采用固定频率 PWM(1MHz 典型值),通过电流模式控制实现高速瞬态响应,输出电压稳定性更高。
2. 软启动与电源良好(PGD)功能
- 软启动 :通过 SS 引脚外接电容调节启动时间,公式为
T_SS = (C_SS × V_FB) / I_SS(I_SS 典型 1.8μA),默认开路时启动时间 1ms,可抑制启动浪涌电流与输出过冲。 - PGD(电源良好) :开漏输出引脚,需外接 10kΩ-100kΩ 上拉电阻。当 FB 电压在 0.8V±7% 范围内时,PGD 输出高电平(表示电源正常);超出 ±10% 时拉低(故障提示),具备 3% 滞回特性避免误触发。
3. 多重保护机制
| 保护类型 | 触发条件(典型值) | 动作方式 | 恢复方式 |
|---|---|---|---|
| 短路保护(SCP) | FB<0.4V 且持续 1ms | 关断高低端 MOSFET,暂停 16ms 后重启 | 自动重启(打嗝模式) |
| 过压保护(OVP) | FB>0.88V | 关断高端 MOSFET,导通低端泄放电压 | 输出电压下降后自动恢复 |
| 过热保护(TSD) | 结温 Tj>175℃ | 关断所有输出,进入待机 | Tj 降至 150℃以下自动恢复 |
| 欠压锁定(UVLO) | AVIN<2.45V | 关断输出,禁止启动 | AVIN 升至 2.55V 以上恢复 |
| 过流保护(OCP) | 高端 MOSFET 电流>2.5A | 周期 - by - 周期限制电流,不锁存 | 电流降至阈值以下自动恢复 |
总结
BD9A100MUV 作为一款高集成度同步降压 DC/DC 转换器,凭借 2.7V-5.5V 的宽输入范围、1A 的输出能力及 SLLM™双模控制技术,在轻载与重载场景下均能实现高效供电,尤其适配数字芯片、消费电子等对效率与空间要求较高的设备。其完善的多重保护机制与易配置的相位补偿特性,降低了设计复杂度;紧凑的 VQFN 封装与优化的散热设计,进一步提升了工程应用的灵活性。在实际设计中,需重点关注 PCB 布局的电流环路与接地隔离,结合输出电压需求合理选型外部元件,并遵循散热降额要求,以确保器件稳定可靠运行。
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