TPS7H6003-SP 抗辐射 QMLV 200V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册-电子发烧友网

TPS7H60x3-SP 系列抗辐射保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（额定电压 200V）、TPS7H6013-SP（额定电压 60V）和 TPS7H6023-SP（额定电压 22V）。驱动器具有可调死区时间能力、30ns 的小传播延迟以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高压侧和低压侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保 5V 的驱动电压。TPS7H60x3-SP 驱动器均具有分离栅极输出，可灵活地独立调整输出的导通和关断强度。
*附件：tps7h6003-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入控制。在 PWM 模式下，单个输入产生两个互补输出信号，用户可以调整每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入互锁，作为防击穿保护。当两个输入同时打开时，输入互锁不允许两个输出打开。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，这允许驱动器在许多不同的转换器配置中使用。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

特性

辐射性能：
- 抗辐射强度（RHA）高达 100krad（Si）的总电离剂量（TID）
- 单粒子闩锁（SEL）、单粒子燃尽（SEB）和单粒子栅极破裂（SEGR）不受线性能量转移（LET）的影响 = 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬态（SET）和单粒子功能中断（SEFI）的特性高达 LET = 75MeV-cm2/mg
1.3A 峰值拉电流，2.5A 峰值灌电流
两种作模式：
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 两个独立的输入
独立输入模式下的可选输入互锁保护
用于可调开启和关闭时间的分离输出
独立输入模式下 30ns 的典型传播延迟
5.5ns 典型延迟匹配

参数

方框图

一、产品概述

‌产品名称‌：TPSH3-SP
‌类型‌：辐射硬度保证（RHA）半桥GaN FET栅极驱动器
‌特性‌：专为高频、高效率应用设计，具有可调死区时间、小传播延迟和高侧/低侧匹配特性

二、主要特性

‌辐射性能‌：
- 辐射硬度保证（RHA）至总电离剂量（TID）krad(Si)
- 对单粒子闩锁（SEL）、单粒子烧毁（SEB）、单粒子栅极击穿（SEGR）免疫，线性能量转移（LET）=MeV-cm²/mg
- 单粒子瞬态（SET）和单粒子功能中断（SEFI）特性至LET=MeV-cm²/mg
‌电气性能‌：
- 峰值源电流：.A
- 峰值沉电流：.A
- 两种操作模式：单PWM输入模式（可调死区时间）和双独立输入模式
- 可选输入互锁保护（独立输入模式）
- 分裂输出，可调开通和关断时间
- 典型传播延迟：0ns（独立输入模式）
- 延迟匹配：5.5ns（高侧到低侧）

三、应用领域

‌空间应用‌：
- 卫星电源供应
- 通信有效载荷
- 命令与数据处理
- 光学成像有效载荷
- 卫星电力系统

四、电气特性

‌供电电压‌：VIN范围V至V
‌内部线性稳压器‌：高侧和低侧5V稳压器，确保栅极驱动电压稳定
‌死区时间‌：通过外部电阻可调，防止半桥配置中的直通
‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：保护内部稳压器和VIN免受低电压影响
‌ 电源良好（PGOOD） ‌：指示内部稳压器和VIN的UVLO状态

五、功能描述

‌操作模式‌：
- ‌PWM模式‌：单个PWM输入生成互补输出信号，用于同步降压转换器
- ‌ 独立输入模式（IIM） ‌：两个独立输入分别控制高侧和低侧输出，支持输入互锁保护
‌内部开关‌：用于半桥配置的自举电容充电，减少反向恢复损失
‌保护特性‌：包括输入欠压锁定、电源良好指示和可选的输入互锁保护