‌SN74SSTU32864 25位可配置寄存器缓冲器技术文档总结

这款 25 位 1：1 或 14 位 1：2 可配置寄存器缓冲器设计用于 1.7V 至 1.9V VCC操作。在 1：1 引脚配置中，每个 DIMM 只需要一个器件即可驱动 9 个 SDRAM 负载。在 1：2 引脚配置中，每个 DIMM 需要两个器件来驱动 18 个 SDRAM 负载。

除LVCMOS复位（RESET）和LVCMOS控制（Cn）输入外，所有输入均为SSTL_18。所有输出均为边沿控制电路，针对未端接的DIMM负载进行了优化，并符合SSTL_18规格。
*附件：sn74sstu32864.pdf

SN74SSTU32864采用差分时钟（CLK和CLK）工作。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点处记录。

C0输入控制1：2引脚排列的引脚配置，从寄存器A配置（低电平时）到寄存器B配置（高电平时）。C1输入控制引脚配置，从25位1：1（低电平时）到14位1：2（高电平时）。正常运行期间不应切换 C0 和 C1。它们应硬连线到有效的低电平或高电平，以将寄存器配置为所需模式。在 25 位 1：1 引脚配置中，A6、D6 和 H6 端子被驱动为低电平，不应使用。

该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时，差分输入接收器被禁用，未驱动（浮动）数据、时钟和基准电压（V 裁判 ） 输入。此外，当RESET为低电平时，所有寄存器都复位，所有输出都强制为低电平。LVCMOS RESET和Cn输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。

两个V裁判引脚（A3 和 T3）在内部连接在一起大约 150 个。但是，只需连接两个 V 中的一个裁判引脚连接到外部V裁判电源。未使用的 V裁判引脚应以 V 结尾裁判耦合电容器。

该器件还通过监控系统芯片选择（DCS 和 CSR）输入来支持低功耗有源作，并将在 DCS 和 CSR 输入都为高电平时控制 Qn 输出的状态变化。如果 DCS 或 CSR 输入为低电平，则 Qn 输出正常工作。RESET输入优先于DCS和CSR控制，并强制输出为低电平。如果不需要DCS控制功能，则可以将CSR输入硬接线到地，在这种情况下，DCS的建立时间要求与其他D数据输入相同。

为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出，RESET在上电期间必须保持低电平状态。

特性

• 德州仪器 （TI） Widebus+ ™ 系列成员
• 引脚排列优化了 DDR-II DIMM PCB 布局
• 可配置为 25 位 1：1 或 14 位 1：2 寄存器缓冲器
• 芯片选择输入可控制数据输出的状态变化，并最大限度地降低系统功耗
• 输出边沿控制电路可最大限度地降低未端接线路中的开关噪声
• 支持SSTL_18数据输入
• 差分时钟（CLK和CLK）输入
• 支持控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
• RESET输入禁用差分输入接收器，复位所有寄存器，并强制所有输出为低电平
• 闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78，II 类标准
• ESD 保护超过 JESD 22
  • 5000V 人体模型 （A114-A）
  • 200V 机器型号 （A115-A）
  • 1000V 充电设备型号 （C101）

参数

‌1. 产品概述‌
SN74SSTU32864是德州仪器（TI）Widebus+系列成员，专为DDR-II DIMM PCB布局优化设计的25位可配置寄存器缓冲器，支持SSTL_18输入/输出。关键特性包括：

• ‌配置模式‌：可设置为25位1:1或14位1:2寄存器缓冲器，通过控制引脚（C0、C1）选择。
• ‌低功耗设计‌：芯片选择输入（DCS/CSR）可禁用数据输出切换以降低系统功耗，RESET引脚可强制所有输出低电平并禁用差分接收器。
• ‌抗噪设计‌：输出边缘控制电路减少未端接线路的开关噪声。

‌2. 电气特性‌

• ‌工作电压‌：1.7V至1.9V VCC，参考电压（VREF）为0.9V。
• ‌输入/输出标准‌：数据输入为SSTL_18（除LVCMOS控制的RESET和Cn引脚），输出满足SSTL_18规范。
• ‌ESD保护‌：符合JESD 22标准（人体模型5000V，机器模型200V，充电设备模型1000V）。

‌3. 功能配置‌

• ‌引脚分配‌：提供三种终端分配模式（1:1寄存器、1:2寄存器A/B），具体由C0和C1控制。
• ‌控制逻辑‌：
  • RESET低电平时禁用差分接收器并复位寄存器。
  • DCS和CSR同时高电平时冻结输出状态。

‌4. 时序与性能‌

• ‌时钟频率‌：最高500MHz，差分时钟（CLK/CLK）触发数据锁存。
• ‌传播延迟‌：典型值1.4ns（VCC=1.8V±0.1V）。
• ‌输出压摆率‌：1.9V/ns至4.9V/ns（上升/下降沿）。

‌5. 封装与订购信息‌

• ‌封装类型‌：LFBGA-GKE（96引脚），尺寸13.6mm×13.4mm。
• ‌订购型号‌：SN74SSTU32864GKER（0°C至70°C工作温度）。

‌6. 应用场景‌
适用于需驱动多SDRAM负载的DDR-II内存模块设计，单设备可驱动9个负载（1:1模式），双设备驱动18个负载（1:2模式）。

‌7. 注意事项‌

• C0/C1需硬接线至固定电平，正常运行时不可切换。
• 未使用的VREF引脚需接耦合电容。
• 上电时需保持RESET低电平以确保输出定义明确。