安森美助力工业光伏储能与伺服系统高效进化

注：本文转载自电源网

在工业新能源与伺服驱动领域，高功率密度、高效率、长寿命及系统成本优化已经成为市场的核心挑战。在2025年7月12日的电源网电力电子与应用大会（深圳站）上，安森美（onsemi）电源方案事业部市场拓展负责人Hank Zhao针对安森美硅基（IGBT/MOSFET）与碳化硅（SiC）技术的协同创新进行了分享。

光伏储能系统：功率模块组合实现效率与成本平衡

在工业级光伏储能系统中，客户时常面临高功率密度、高效率、长寿命以及系统成本优化的多重挑战。碳化硅方案在储能端可大幅降低电池成本，已成为客户提升能效的关键选择。

针对这个大功率电源的应用，比如大功率的光伏、大功率的储能，安森美今年推出了最新的F5BP模块，运用这个模块可满足350千瓦等级的光伏逆变器的设计和250千瓦等级的储能逆变器的设计，并且其附带一个厚的铜基板，能够有效的降低热阻。针对100千瓦到150千瓦等级的储能、光伏的应用，安森美也推出了碳化硅单管和碳化硅模块的解决方案，从而有效的帮助客户提高系统的整体效率。

伺服驱动应用：功率密度与动态响应的双重突破

针对伺服电机对动态响应和功率密度的严苛要求，安森美提供了最新一代基于Field Stop 7的IGBT模块，其最大电流可达到35A，它是一个1200V的模块。

安森美今年又新推出了基于碳化硅的模块，其等效电流最大可达到70A。这两个模块都是SPM31封装，相对于35A IGBT模块，70A的碳化硅模块相当于功率密度翻倍，并且碳化硅模块开关频率可达40KHz，可以有效降低电机系统的体积和提高动态响应能力，和同样功率等级的IGBT模块对比，安森美碳化硅模块由于开关损耗更小，所以散热器就可以更小。因此在极端工作情况下对比，碳化硅/IPM的散热器可以缩小到IGBT模块下的1/20，甚至更小。

硅基与碳化硅的协同战略：场景化技术路径

在工业新能源应用中，碳化硅一直是市场上备受瞩目的热点，同时安森美也没有忽视在大功率光伏逆变器或工业电机驱动领域中，硅基 IGBT 和 MOSFET 模块仍具有重要地位。Hank Zhao表示：碳化硅迁移是一个渐进的过程，安森美通过技术组合满足不同阶段的工业需求。

针对大功率的光伏逆变器，目前主流的逆变方案仍然是以IGBT为主。但现在也有些客户会逐渐尝试采用混合碳化硅的技术，比如说在BOOST端采用碳化硅方案，针对储能的应用有利于提高储能的效率，大幅降低储能电池的费用。储能客户会倾向于采用碳化硅的技术，那其他的比如电机驱动应用，由于成本的考虑，仍然以IGBT技术为主。一些客户已经开始在高端电机驱动应用中采用碳化硅技术，其它比如EVC，碳化硅技术的使用已经越来越普遍。

技术迁移支持：全链路赋能客户设计

客户向碳化硅转型时面临驱动匹配、热管理及PCB布局重构难题。安森美的FAE团队能够通过设计工具、参考设计、仿真模型和技术支持，帮助客户克服这些挑战并加速产品上市。比如：PLECS Model Generator和Elite Power Simulator在线工具，来方便客户在线进行仿真。同时安森美提供丰富的Design Guide文件和评估板给到客户。安森美FAE会根据客户的实际工况来帮助客户申请仿真数据文件，提供整套解决方案来加速产品设计。包含但不限于不同功率段不同封装、单管或模块方案、以及安森美的信号链等全套方案。

安森美通过硅基与碳化硅技术的创新融合，持续突破功率密度与效率边界。从光伏储能的绿色转型到伺服系统的高精度控制，安森美模块化的解决方案能为全球工业客户提供可靠的技术基石，助力碳中和目标与智能制造升级的双重使命。