三星进军5nm、4nm、3nm工艺_首次应用EUV极紫外光刻技术

这两年，三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔，虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实。

在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上，三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺，直逼物理极限。

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术，预计今年下半年投产。关键IP正在研发中，明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

在7LPP工艺的基础上继续创新改进，可进一步缩小芯片核心面积，带来超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术，结合此前5LPE工艺的成熟技术，芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产，也方便客户升级。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

Gate-All-Around就是环绕栅极，相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计，将重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。

三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管)，正在使用纳米层设备开发之中。

大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备，但其实在高性能领域，三星也准备了杀手锏，大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习，7LPP和后续工艺都能提供服务，并有一整套平台解决方案。

比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器)，三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。

而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备，三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案，从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任选择。