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西北师范大学、中国科学院北京纳米能源与系统研究所:研发基于复合CaTiO₃/ZnO-PVDF摩擦电纳米发电机的自供

传感器专家网 来源:传感器专家网 作者:传感器专家网 2025-07-27 21:48 次阅读
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人工智能5G技术不断发展的背景下,越来越多的传感器被集成到日常生活中。基于摩擦纳米发电机TENG)的自供电可穿戴传感器代表了这一趋势的创新解决方案,但柔性TENG的输出性能仍然不理想。在本研究中,能带匹配的钛酸钙(CaTiO3)和氧化锌(ZnO)纳米结构形成CaTiO3/ZnO(CTO/ZnO)肖特基异质结。异质结随后掺杂到有机铁电聚偏二氟乙烯(PVDF)中,形成柔性复合薄膜,通过空间电荷极化显著增加介电常数。然后,CTO/ZnO-PVDF复合薄膜作为摩擦电材料组装基于CaTiO3/ZnO-PVDF的TENG(CZP-TENG)。优化异质结中ZnO与CTO的摩尔比和PVDF中CTO/ZnO的重量比后,CZP-TENG的输出电压和电流密度均得到显著提高,功率密度为106.6 mW m-2.最后,CZP-TENG为发光二极管温度传感器供电,用作步态传感器,并支持自供电的人体传感,特别是在步态识别方面,以预防与运动相关的疾病和损伤康复。

背景介绍

近年来,基于TENG的自供电传感器因轻便、成本低、易于集成等优点受到了研究者的关注。为了柔性TENG的输出性能,研究者通过构建异质结和介电掺杂等方法增加摩擦层的介电常数,可以有效提高静电感应过程中的转移电荷密度。聚偏二氟乙烯(PVDF)是一种典型的有机铁电材料,具有优异的电学性能,其高电压系数、优异的机械性能和耐化学性使其成为柔性TENG的合适候选者。氧化锌(ZnO)集成了压电和铁电效应,使其成为TENG中摩擦材料的普遍选择。钛酸钙(CaTiO3)是一种无机介电材料,具有出色的介电、热稳定性、机械和光学特性,它与ZnO匹配的能带结构可以形成肖特基异质结。基于此,本文通过简单的水热法合成CaTiO3/ZnO异质结,然后掺杂到PVDF中作为负摩擦电层,与Nylon一起组装CZP-TENG,优化并提升其性能,并应用为自供电步态传感器。

研究出发点

1)本研究通过水热法制备了CaTiO3/ZnO异质结,并掺入PVDF中,形成薄膜。

2)组装基于CaTiO3/ZnO-PVDF的摩擦纳米发电机(CZP-TENG),并通过优化掺杂比例,提高CZP-TENG的输出性能。

3)CZP-TENG应用为自供电步态传感器,进行步态识别及分析。

图文解析

采用水热法制备不同浓度比的CaTiO3/ZnO异质结。首先,在蒸馏水中加入一定比例的Zn(NO3)‧6H2O和CaTiO3粉末进行搅拌,直至溶液呈粉色,然后在溶液中加入HMTA和氨水,搅拌至均匀态。此后,将配置好的溶液转移到100ml反应釜中,在105℃下加热16h,将获得的粉末用去离子水和乙醇洗涤三次,再将洗涤后的溶液放入真空干燥箱中,设置60℃干燥8h,得到不同浓度比的CaTiO3/ZnO粉末。将制备的CTO/ZnO异质结粉末以不同比例加入PVDF溶液中,搅拌均匀。然后,将CTO/ZnO-PVDF的溶液旋涂到清洁好的ITO导电面上,在加热板上60 °C干燥1 h后,形成CTO/ZnO-PVDF/ITO负摩擦电层。以玻璃纤维为垫片,Nylon/Cu为正摩擦电层,从正极和负极各拉出一根线,组装为CZP-TENG。

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图1.制备及组装CZP-TENG的示意图

对CaTiO3/ZnO的结构进行了详细的表征。X射线衍射(XRD)检测到CaTiO3/ZnO的晶态特征峰中只有CaTiO3和ZnO的特征峰,表明CaTiO3/ZnO中没有杂质,并且随着异质结的形成,ZnO的特征峰发生了偏移。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图像显示,CaTiO3和ZnO纳米颗粒紧密结合,形成异质结。

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图2.CaTiO3/ZnO的结构表征

为了验证不同比例CTO/ZnO异质结及掺杂量对介电性能的影响,开展了系列介电性能的测试。CTO和ZnO的介电常数均低于CTO/ZnO,且CTO/ZnO的介电损耗在低频时较高,然后随着频率的增加而减小,最终在0.2MHz时达到稳定,说明异质结可以增大摩擦电材料的介电常数,并且提高TENG的电输出性能。当ZnO和CTO分别掺入PVDF中就提高了其介电常数,然后当ZnO和CTO组成异质结后掺入PVDF中进一步提高,其介电常数随着ZnO的浓度先增加后减小,在2:1时达到最佳。不同掺入量对介电性能的影响也不同,20wt%时介电常数达到最佳。

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图3.CaTiO3/ZnO-PVDF的介电性能表征

为了研究并优化CTO/ZnO异质结对TENG输出性能的影响,测量了以不同比例的CZP-TENG的输出电压、电流密度、电荷和功率密度。基于20wt%、浓度比为2:1的CZP-TENG的输出电压为93.4V,电流密度为24.4mA m-2,瞬时转移电荷为91nC,相较其他比例,具有明显提升,峰值输出功率为106.6mW m-2。这是由于CTO/ZnO异质结的均匀掺入,提高了介电常数。

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图4. CZP-TENG的输出性能

CZP-TENG作为自供电步态传感器,测试了不同人进行走路、跑步和跳跃活动时的输出电压,并通过分析输出电压信号曲线的强度、频率和曲线形状来进行步态识别和分析人类运动模式,这对提前预防疾病和伤痛康复有重要意义。

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图5.基于CZP-TENG的步态传感器

总结与展望

本研究通过水热法成功制备CTO/ZnO复合粉末,并且将其作为填料掺入PVDF中形成负摩擦层,以尼龙作为正摩擦层,组装了垂直接触分离模式的CZP-TENG。研究发现,CTO/ZnO异质结的形成大大提高了摩擦层的介电常数,进一步增大了CZP-TENG电极的电荷密度。同时,优化了CTO/ZnO的浓度比及其在PVDF中的含量,使CZP-TENG的输出电压为93.4V,电流密度为24.4mAm-2。轻轻敲击CZP-TENG,便可点亮25个LED,并且可为电容器进行充电,从而为设备通过电能。此外,CZP-TENG被用作自供电步态传感器,对不同人走路、跑步和跳跃进行检测,用于步态分析和身份识别。本研究提供了对TENG材料优化的见解,并将促进其在自供电可穿戴设备的发展。

审核编辑 黄宇

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