扇出型晶圆级封装工艺流程

由于轻薄短小已经成为电子消费品的发展方向，既能省掉材料及工序，又能缩少元器件尺寸的晶圆级封装工艺，已经越来越普遍了。

晶圆级封装可分为扇入型及扇出型，如果封装后的芯片尺寸和产品尺寸在二维平面上是一样大，芯片有足够的面积把所有的 I/O 接口都放进去，就会采用扇入型。

如果芯片的尺寸不足以放下所有 I/O 接口时，就需要扇出型，当然一般的扇出型在面积扩展的同时也加了有源和/或无源器件以形成 SIP。

扇出型晶圆级封装工艺流程:

晶圆的制备及切割– 将晶圆放入划片胶带中，切割成各个单元准备金属载板– 清洁载板及清除一切污染物

层压粘合– 通过压力来激化粘合膜

重组晶圆– 将芯片从晶圆拾取及放置在金属载板上

制模– 以制模复合物密封载板

移走载板– 从载板上移走已成型的重建芯片

排列及重新布线– 在再分布层上(RDL)，提供金属化工艺制造 I/O 接口

晶圆凸块– 在I/O外连接口形成凸块

切割成各个单元– 将已成型的塑封体切割

扇出型封装“核心”市场，包括电源管理及射频收发器等单芯片应用，一直保持稳定的增长趋势。扇出型封装“高密度”市场，包括处理器、存储器等输入输出数据量更大的应用，市场潜力巨大。

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