爆款方案！捷捷微电MOSFET、IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构，分析其器件选型特点及适用场景。

宽功率范围（250W-2000W）

架构1采用MOSFET实现高效调制，覆盖功率范围广，支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下：

特点：

高压MOSFET（650V）：如JMH65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。

低压低阻MOSFET（150V）：如JMSH15系列，导通电阻低至9.9mΩ，优化反激拓扑效率。

针对高功率段（>800W），架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：

特点：

高耐压（650V）与低饱和压降（1.7V），平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。

中低功率范围（250W-800W）

架构2专注于中低功率段，采用全桥拓扑设计，全系使用MOSFET以实现更高效率：

特点：

低压MOSFET（80V）：如JMSL/JMSH系列，导通电阻低至2.4mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。

紧凑封装（TO-252/PDFN）：优化空间布局，适配小型化设计。

对比与选型建议

功率覆盖：

架构1（250W-2000W）：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。

架构2（250W-800W）：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。

拓扑适配：

架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。

效率与成本：

低压MOSFET（如80V/150V）在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。

捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。